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MEMS 集中講義 2013 追加分

MEMS 集中講義 2013 追加分. 50μm. 半導体イオンセンサ ( ＩＳＦＥＴ (Ion Sensitive Field Effect Transistor) (4 年生の時に研究室先輩の野宮氏 ( 当時日立武蔵工場 ) に製作依頼していたもの ). 追加. ( 松尾正之、江刺正喜、飯沼一浩 , 電気関係学会東北支部連合大会 (1971)). イオンに感じないための埋め込み拡散層. 追加. 装着し易く工夫した ISFET( 半導体イオンセンサ )

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MEMS 集中講義 2013 追加分

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Presentation Transcript

  1. MEMS集中講義 2013 追加分

  2. 50μm 半導体イオンセンサ ( ＩＳＦＥＴ (Ion Sensitive Field Effect Transistor) (4年生の時に研究室先輩の野宮氏(当時日立武蔵工場)に製作依頼していたもの) 追加 (松尾正之、江刺正喜、飯沼一浩, 電気関係学会東北支部連合大会 (1971))

  3. イオンに感じないための埋め込み拡散層 追加 装着し易く工夫したISFET(半導体イオンセンサ) (M.Esashi, Supplement to the J.J.AP.,44 (1975),339-343)

  4. 追加 1980年に製品化

  5. 凹みに入れた細分割した一重らせんDNAは、塩基分子(A,T,C,G)を持つ核酸分子溶液を入れた時に選択的な結合(A-T, G-C)をして二重らせんDNAを合成する。液を切り替えたとき、この結合で生成される水素イオンはpH変化として検出される。 ISFET付凹みを1.6億個/チップ持つ3 チップ全DNA解析装置 追加 (IEEE Spectrum, March 12, 2013, 25)

  6. Cu基板上で使える化学増幅型ポジレジスト (2008 マイクロマシン/MEMS技術大全　p.652) 追加

  7. DCスパッタリング RFスパッタリング ダブルカソードスパッタリング (ターゲット上に正電荷が蓄積されない) (李正中、光学薄膜と成膜技術、アグネ技術センター) 追加

  8. 追加 (a) Film transfer process, (b) Device transfer process, (c) Device transfer process (via-last) (via-first) 　　　　ヘテロ集積化プロセス

  9. 追加 人と接触する安全なロボット用の触覚センサネットワーク(イベントドリブン、割込型) (室山真徳、巻幡光俊 他、電気学会論文誌Ｅ,129, (2009) 450)

  10. 通信信号波形 変更 触覚センサネットワーク (M.Makihata, M.Muroyama et.ai., 2012 MRS Spring Meeting, San Francisco (2012) B3.2)

  11. 差周波数変調シリコン加速度センサ 追加 (A.A.Trusov, A.M.Shkel et.al. (U.C.Irvine), MEMS2013, p.29)

  12. 追加 Whole-angle gyro (積分ジャイロ) (I.P.Prikhodko, A.M.Shkel et.al., Sensors & Actuators A, 177 (2012) p.67)

  13. HF2LI Lock-in Amplifier ZurichInstruments The HF2LI is an advanced digital lock-in amplifier with an extended signal frequency range of 50 MHz. With its 2 physical units, it replaces 2 traditional lock-in amplifiers for measurement setups; its 128-bit processing delivers unprecedented performance. The HF2LI is a technology milestone in both the support of existing applications and in the enabling of the development of many new ones. HF2LI Key Features 2 independent lock-in units 1 fundamental and 2 harmonic frequencies per lock-in unit 1 µHz - 50 MHz frequency range 210 MSample/s, 14 bit A/D conversion 5 nV/√Hz input noise voltage 1 µs - 500 s time constant 6 to 48 dB/oct filter slope (1st to 8th order) 4x 1 MSample/s, 16 bit, ±10 V auxiliary analog output 2x 400 kSample/s, 16 bit, ±10 V auxiliary analog input USB 2.0 high-speed host connection Included graphical user interface, programing interfaces and data server 追加

  14. 追加

  15. 追加 (I.P.Prikhodko, A.M.Shkel et.al., Sensors & Actuators A, 177 (2012) p.67)

  16. 追加 (I.P.Prikhodko, A.M.Shkel et.al., Sensors & Actuators A, 177 (2012) p.67)

  17. 追加 (I.P.Prikhodko, A.M.Shkel et.al., Sensors & Actuators A, 177 (2012) p.67)

  18. 追加 (I.P.Prikhodko, A.M.Shkel et.al., Sensors & Actuators A, 177 (2012) p.67)

  19. 追加

  20. 追加

  21. 追加 位相検出、自己校正　MEMSジャイロ (A.N.Shirazi, F.Ayazi et.al. (Georgia Tech. USA), Transducers2013, p.960)

  22. 追加 M.Daial, F.Ayazi et.al., 2012 Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Workshop (2012) pp.328-331)

  23. 追加

  24. 追加 (日経マイクロデバイス 2007 April)

  25. 追加 携帯電話機向け1チップのSi電子コンパス　 (日経マイクロデバイス 2007 April)

  26. 追加 (旭化成の携帯電話用磁気センサ (カタログ))

  27. 追加 (旭化成の携帯電話用磁気センサ (カタログ))

  28. 振動子を用いた磁気センサ 磁場中、梁の共振周波数の電流 iで駆動 →　梁が共振し、振幅は磁気強度に比例 →　ピエゾ抵抗素子で振動を検出 (E.Donzier (Sextant), Sensors and Actuators A, 25-27n(1991) 357-361) ローレンツ力による変位を容量変化で検出する磁気センサ 追加 (H.Emmerich (Bosch), IEEE Trans.on Electron Devices, 47 (2000) 972-977) (B.Eyre, K.S.J.Pister (UCLA) et.al., IEEE Electron Device Letters, 19 (1998) 496-498

  29. 歩行速度の分解能を100μm/secに改善 追加 靴底面圧分布計測用GRSA (Ground Reaction Sensor Array) (Q.Guo et.al.(Univ.of Utha, USA), Transducers2013, p.2535)

  30. 追加 (Q.Guo et.al.(Univ.of Utha, USA), Transducers2013, p.2535)

  31. Single ended 追加 (Q.Guo et.al.(Univ.of Utha, USA), Transducers2013, p.2535)

  32. 追加 (Q.Guo et.al.(Univ.of Utha, USA), Transducers2013, p.2535)

  33. ピアースガン型nc-Si電子源アレイ 追加

  34. 第10回 マイクロシステム融合研究会　– MEMS製品製作・製造 - 日時 : 9月12日（木）13:00-17:00, 18:00-20:00 交流会 場所 : 東北大学　「西澤記念研究センター」　http://www.mu-sic.tohoku.ac.jp/coin/attach/JNRC_access.pdf内　「仙台MEMSショールーム」 主催 : 東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC)　 産総研　集積マイクロシステム研究センター (UMEMUSUME) MEMSパークコンソーシアム(MEMSPC) 問合先 : 東北大学　マイクロシステム融合研究開発センター　蛸島武尚、Tel.022-795-6256, Fax 022-795-6259、E-mail tako@mems.mech.tohoku.ac.jp 参加 : 無料、当日直接参加可、交流会(3000円) 【プログラム】 13:00　 阿部均　(大日本印刷) 「MEMSファンドリーの動向と課題」 13:20　細野靖幸 (村田製作所)　「MEMSビジネスとフィンランドVTI関係」(仮題) 13:40  加藤健二 (協同インターナショナル) 「スウェーデンSilex社のMEMSファウンダリビジネス」 14:00　野代卓司 (アダマンド工業)　「カナダMicralyne社のMEMSファウンダリビジネス」 14:20　秋永広幸(産総研) 「産総研ナノプロセシング施設～先端機器共用による産業界への課題解決支援～」 15:10　 戸津健太郎 (東北大)  「試作コインランドリにおける企業の製品製作」 15:30　 徳永博司 (M.T.C.)「受託開発を行う場としての試作コインランドリ」 15:40　西竹宏 (ソニーセミコンダクタ)「ソニーセミコンダクタのMEMSファウンダリビジネス」 16:00   瀬戸幸 (経済産業省) 「産業活性化へのMETIの取組」(仮題) 16:20　 三宅常之　(日経BP) 「LSI高付加価値化としてのMEMS」 16:40　 原山優子　(内閣府)　「産学連携」(仮題) 18:00-20:00 交流会 (四季彩)http://www.eng.tohoku.ac.jp/map/?menu=campus&area=c&build=03) 追加

  35. 10/31 (Thu.) μSIC Symposium and FhG Symposium Sendai sun plaza, Crystal room, Miyagino room 9:00-12:00 μSIC Symposium (Micro System Integration Initiative先端融合関係) T.Ono (Tohoku Univ) & Group leaders 12:30-14:00 Lunch 14:00-17:30 (18:00) FhG Symposium 14:00-14:05 L. Granrath (Welcome and Introduction) 14:05-14:15 S. Tillich (Prime minister of Saxony, Germany) 14:15-14:25 Yukimoto Ito (Deputy Mayer) 14:25-14:35 S. Satomi (President of Tohoku Univ) 14:35-14:50 A. v. Zyl (Rector of Chemnitz Univ.) 14:50-15:00 M. Kotani (Tohoku Univ.) 15:00-15:30 T. Gessner (Fraunhofer ENAS, Chemnitz Univ.) 15:30-16:00 Break 16:00-16:30 K.-D. Lang (Fraunhofer IZM) 16:30-17:00 S. Tanaka (Tohoku Univ.) 17:00-17:30 A. Schubert (Fraunhofer IWU) 18:00-20:00 Banquet 11/1 (Fri.) Technicaltour (Nishizawa center + company) 追加

  36. 第2回東北大- IMEC シンポジウム、日時 : 11月8日（金） 9:00-14:30 場所 : 東北大学　「西澤記念研究センター」　http://www.mu-sic.tohoku.ac.jp/coin/attach/JNRC_access.pdf内　「仙台MEMSショールーム」 主催 : 東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) 趣旨 : ベルギーのIMECはアジアの戦略連携校である東北大学と、シンポジウムを開催します。今年は東北大学で公開で行いますので、宜しければご参加ください。講演は英語。問合先 : 東北大学　マイクロシステム融合研究開発センター　蛸島武尚、Tel.022-795-6256, Fax 022-795-6259、E-mail tako@mems.mech.tohoku.ac.jp 参加 : 無料、当日直接参加可 9:00  Opening Address(Masayoshi Esashi) 9:10  Overview of  MEMS Hands-on Facility (Kentaro Totsu) 9:30  Overview of IMEC (Jo de Boeck) 9:50  MEMS (Shuji Tanaka) 10:10 MEMS (Xavier Rottenberg) 10:50 Biodevice (Yoichi Haga) 11:10 Bio device (Peter Peumans) 11:30 Imaging device (Shigetoshi Sugawa (or Rihito Kuroda) 11:50 Imaging device (Andy Lambrechts) 12:10 Lunch 13:10 Body area network, Sensors, Energy harvesters (Hiroki Kuwano) 13:30 Body area network, Sensors, Energy harvesters (Chris Van Hoof) 13:50 Photovoltaics and large area device (Seiji Samukawa) 14:10 Photovoltaics and large area device (Philip Pieters) 追加

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