1 / 22

Кацивели , 02 октября 201 2

НТУУ «КПИ» Факультет электроники Кафедра физической и биомедицинской электроники. « МЕТОД ХАРТРИ И ПРИЛИЖЕНИЕ ЛИНЕЙНОГО ПАДЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА ». Докладывает: ФЕДЯЙ Артем Васильевич , к.т.н. Соавтор:

Download Presentation

Кацивели , 02 октября 201 2

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. НТУУ «КПИ» Факультет электроники Кафедра физической и биомедицинской электроники «МЕТОД ХАРТРИ И ПРИЛИЖЕНИЕ ЛИНЕЙНОГО ПАДЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА» Докладывает: ФЕДЯЙ Артем Васильевич, к.т.н. Соавтор: МОСКАЛЮК Владимир Александрович, проф., к.т.н. Кацивели, 02октября 2012

  2. Содержание • Объект: • 1.1) топология резонансно-туннельного диода (РТД); • 1.2) принцип работы РТД; • Модель. • Приближение линейного падения потенциала. • Приближение самосогласованного потенциала (метод Хартри). • Верификация: • 5.1. РТД с однородным эмиттером. • 5.2. РТД со ступенчатым эмиттером. • 6. Выводы. 2

  3. Объект моделирования ток lФ ≈ 35 нм Lp ≈ 0.35 мкм Lф ≈ 0.1 мкм Для «активной» области выполняется условие микроскопичности L << lФ, Lp, Lф

  4. Resonant-tunneling diode: principle of operation Низкое напряжение мЗонная структура при низком напряжении E0>EF k-пространство, мореФерми, k0 Ни один эл-н не удовл. условию kz=k0 м условие резонансноного туннелирования НЕ ВЫПОЛНЯЕТСЯ НИ ДЛЯ ОДНОГО ЭЛЕКТРОНА лПока нет электронов с kz=k0, нет и тока 4

  5. Resonant-tunneling diode: principle of operation Средние напряжения мEc<E0<EF мКоличество электронов в эмиттере сkz=k0возрастает сV,пока k0не совпадетс экваторомморя Ферми (kz = 0) Условие резонансного туннелирования выполняется для лЧем больше электронов с kz=k0, тем больше ток 5

  6. высокое напряжение мВысокоенапряжениеE0<Ec мМаксимальное перекрытиеимеет место дляk0=0. Затем: о экспериментальная ВАХ о теоретическаяВАХ k0становится мнимым ни одинэлектрон из ЗПне удовлетворяет условию резонансного туннелирования лНет электронов => нет тока 6

  7. Модель Описание электронного коллектива в квантовой области производится: в рамках одноэлектронного приближения в рамках формализма огибающей волновой функции В продольном направлении электроны описываются волнами Блоха: огибающие которых – плоские волны, и уравнение Шредингера имеет тривиальное решение Поэтому «рабочее» уравнение одномерно:

  8. Методика расчета тока Ток рассчитывается, используя близкий к Ландауэру подход, используя который можно получить формулу Цу-Эсаки: – коэффициент прохождения ДБКС Поиск – центральная проблема любого метода

  9. Приближения для потенциальной энергии электрона рельеф ЗП при условии электронейтральности потенциал Линейное падение потенциала: метод Хартри (система «Шредингер-Пуассон») . 9

  10. Наглядный пример отличий приближений потенциала Линейное падение потенциала: метод Хартри 10

  11. Учет рассеивания в квантовой яме • Введение мнимого потенциала в Гамильтониан [7],[50],[52],[53]:  Введение «некогерентного» канала в рамках улучшеной в части нахождения TLи TRмодели [7],[50]: [50] Buttiker M. – 1988. – Vol. 32. – P. 63–75. [52] Zohta Y. J. Appl. Phys. – 1993. – Vol. 74. – P. 6996–6998. [53] Sun J.P. VLSI Design. – 1998. – Vol. 6. – P. 83–86. [7]Абрамов И.И. – 2005. – Том 39, Вып. 9. – C. 1138–1145. 11

  12. Модель переноса между ЭКЯ и ОКЯ Конечная ширина d приводит к «естественному» расширению Гn за счет сокращения времени жизни на tn: Но к такому же расширению приводили бы и процессы релаксации энергии со временем релаксации tE: Поэтому, меняя Td, можна моделировать изменение tE: Td(a)tE  j(Ez| Ez < Ec,L). Заданному tE соотв. Td (обозн. Tтеор): мЧастьзоннойдиаграммы Введем: M :=Tпракт/ Tтеор На практиці для даного d отримаємо: Считая, что получим: ,

  13. Как на практике реализованы модели? численнаяреализация: КРС 2-го порядкаточности. Консервативная. С/c по методу Гуммеля • Программная • реализация: • GUI* * Есть версия, доступная online (написана на Java); а есть - на Matlab-GUI, все доступно с www.phbme.kpi.ua/~fedyay/QuanT 13

  14. Верификация: РТД с однородным эмиттером не предсказывается область плато область плато предсказывается эксперимент транспорт между ЭКЯ и ОКЯ учитывается! линейное падение потенциала метод Хартри

  15. Механизм формирования области «плато» Для РТД с однородным эмиттером (в локальная плотность состояний) красный>зеленый>синий

  16. 16

  17. Прелюдия к верификации-2. РТД со «ступенчатым» эмиттером а) обычный эмиттер б) ступенчатый эмиттер ч топология ш z z ч зонная диаграмма ш

  18. Верификация РТД со «ступенчатым» эмиттером не предсказывается область плато область плато предсказывается эксперимент Транспорт между ЭКЯ и ОКЯ можно не учитывать, никакого видимого вклада он не вносит линейное падение потенциала метод Хартри

  19. Откуда берется область плато? специфика ступенчатого эмиттера подынтегральное выражение для тока для РТД с однородным эмиттером подынтегральное выражение для тока для РТД со ступенчатым эмиттером

  20. Верификация РТД со «ступенчатым» эмиттером никакого отношения к образованию областей «плато» перекрытие уровней ЭКЯ и ОКЯ не имеет. Ez, эВ

  21. ВЫВОДЫ • Напряжение пика всегда лучше предсказывается в приближении Хартри. • Путем верификации показано, что модель, исп. приближение Хартри, не в состоянии предсказать «особенности» на падающем участке ВАХ («плато» и т.д.) • Область «плато» на ВАХ вне зависимости от физического механизма ее формирования предсказывается при помощи приближения линейного падения потенциала. • Из 2 и 3 следует, что приближение Хартри предсказывает «завышенное» количество эмитируемых из резервуаров электронов. Их пространственный заряд «выталкивает» т.н. эмиттерную квантовую яму вверх, нивелируя возможность ее заселения в обычных РТД и препятствуя нетривиальной интерференции в РТД со ступенчатым эмиттером.

  22. СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ. artem.fedyay@gmail.com www.phbme.kpi.ua/~fedyay

More Related