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半导体光电器件特性测量

半导体光电器件特性测量. 光敏电阻 光敏二极管 光敏三极管 光电池. 光敏电阻. 光电导效应原理(半导体材料的体效应) —— 光电导探测器 光照下改变自身的电阻率(光照愈强 , 器件自身的电阻愈小) —— 光敏电阻(光导管). 光敏电阻又称光导管,它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。 本征型光敏电阻 —— 一般在室温下工作适用于可见光和近红外辐射探测 非本征型光敏电阻 —— 通常在低温条件下工作常用于中、远红外辐射探测. 光敏电阻是一种电阻元件,具有灵敏度高、体积小、重量轻、光谱响应范围宽、机械强度高、耐冲击和振动、寿命长、价格便宜等优点,应用广泛。.

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半导体光电器件特性测量

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Presentation Transcript


  1. 半导体光电器件特性测量 • 光敏电阻 • 光敏二极管 • 光敏三极管 • 光电池

  2. 光敏电阻 • 光电导效应原理(半导体材料的体效应)——光电导探测器 • 光照下改变自身的电阻率(光照愈强,器件自身的电阻愈小)——光敏电阻(光导管)

  3. 光敏电阻又称光导管,它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻又称光导管,它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。 • 本征型光敏电阻——一般在室温下工作适用于可见光和近红外辐射探测 • 非本征型光敏电阻—— 通常在低温条件下工作常用于中、远红外辐射探测

  4. 光敏电阻是一种电阻元件,具有灵敏度高、体积小、重量轻、光谱响应范围宽、机械强度高、耐冲击和振动、寿命长、价格便宜等优点,应用广泛。光敏电阻是一种电阻元件,具有灵敏度高、体积小、重量轻、光谱响应范围宽、机械强度高、耐冲击和振动、寿命长、价格便宜等优点,应用广泛。

  5. 光敏电阻没有极性, 纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。 • 无光照时,光敏电阻值(暗电阻)很大,电路中电流(暗电流)很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时,它的阻值(亮电阻)急剧减小,电路中电流迅速增大。 • 一般希望暗电阻越大越好,亮电阻越小越好, 此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级, 亮电阻值在几千欧以下。

  6. 1. 光敏电阻的结构 光敏电阻的结构:管芯是一块安装在绝缘衬底上带有两个欧姆接触电极的光电半导体,一般都做成薄层。为了获得高的灵敏度,电极一般采用硫状图案。

  7. 2. 工作特性 (1)光谱特性 光谱特性:照射光波长与光电流的关系,光谱特性与光敏电阻的材料有关。 硫化铅光敏电阻在较宽的光谱范围内均有较高的灵敏度,峰值在红外区域;硫化镉、硫化铊的峰值在可见光区域。在选用光敏电阻时,应把光敏电阻的材料和光源结合起来考虑,才能获得满意的效果。

  8. (2)光照特性和伏安特性 光照特性:在一定外加电压下,光敏电阻的光电流和光通量之间的关系。 通常光照特性曲线均呈非线性,因此它不宜作定量检测元件,这是光敏电阻的不足之处。 一般在自动控制系统中用作光电开关。􀂋

  9. 伏安特性:在一定照度下,加在光敏电阻两端的电压与电流之间的关系。伏安特性:在一定照度下,加在光敏电阻两端的电压与电流之间的关系。 • 在给定偏压下,光照度较大,光电流也越大。 • 在一定的光照度下,所加的电压越大,光电流越大,而且无饱和现象。 • 注意:电压不能无限地增大,因为任何光敏电阻都受额定功率、最高工作电压和额定电流的限制。

  10. (3)时间响应特性 光敏电阻的响应时间常数是由电流上升时间和衰减时间表示的。 光敏电阻的响应时间与入射光的照度,所加电压、负载电阻及照度变化前电阻所经历的时间(称为前历时间)等因素有关。

  11. (4)稳定特性 光敏电阻的阻值随温度变化而变化的变化率,在弱光照和强光照时都较大,而中等光照时,则较小。 例:CdS光敏电阻的温度系数在10lx照度时约为0;照度高于10lx时,温度系数为正;小于10lx时,温度系数反而为负;照度偏离10lx愈多,温度系数也愈大。 另外,当环境温度在0~+60℃的范围内时,光敏电阻的响应速度几乎不变;而在低温环境下,光敏电阻的响应速度变慢。例如,-30℃时的响应时间约为+20℃时的两倍。 光敏电阻的允许功耗,随着环境温度的升高而降低。

  12. (5)噪声特性 光电导探测器的噪声主要有三个噪声源贡献:产生-复合噪声、热噪声、1/f 噪声。

  13. 3.几种典型的光敏电阻 (1)CdS和CdSe 低造价、可见光辐射探测器 光电导增益比较高(103~104) 响应时间比较长(大约50ms) (2)PbS:近红外辐射探测器 波长响应范围在1~3.4μm,峰值响应波长为2μm 内阻(暗阻)大约为1MΩ 响应时间约200μs

  14. (3)InSb 在77k下,噪声性能大大改善 峰值响应波长为5μm 响应时间短(大约50×10-9s) (4)HgxCd1-xTe探测器 化合物本征型光电导探测器,它是由HgTe和GdTe两种材料混在一起的固溶体,其禁带宽度随组分x呈线性变化。 当x=0.2时响应波长为8~14μm,工作温度77k,用液氮致冷。

  15. 4. 使用注意事项 (1)用于测光的光源光谱特性必须与光敏电阻的光敏特性匹配; (2)要防止光敏电阻受杂散光的影响; (3)要防止使光敏电阻的电参数(电压、功耗)超过允许值; (4)根据不同用途,选用不同特性的光敏电阻。

  16. 实验步骤:

  17. 光敏电阻实验接线图

  18. 1.光照特性测量 光敏电阻的测量电压(U测)为+5V时,光敏电阻的光电流随光照强度变化而变化,它们之间的关系是非线性的。调节光源0~12V电压得到不同的光照度,测得数据填入表,并作曲线图。

  19. 2.伏安特性测量 在一定的光照强度下,光电流随外加电压的变化而变化,测量时,在给定光照强度100LX时,光敏电阻输入0-5V可调电压,调节0-5V电压(由电压表监测),测得流过光敏电阻的电流,测得数据填入表,并作不同照度的三条伏安特性曲线。

  20. 3.光谱特性测量 光敏电阻对不同波长的光,接收的光灵敏度是不一样的,这就是光敏电阻的光谱特性。在光路装置中先用照度计窗口对准遮光筒,然后撤下光源前盖,更换不同的滤光片,得到对应各种颜色的光。 作光谱特性时,需调节光源强度(调0—12V电压),得到相同的照度。光敏电阻在某一固定工作电压下(+5V),在同一照度下(例如100LX),在不同波长(颜色)时测量流过光敏电阻的电流值,就可作出其光源特性曲线。

  21. 思考题: 1、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池之间有什么不同? 2、以上实验的主要误差来源有那些? 注意事项: 1、请注意仪器的正确使用。 2、实验完成后,应将结果交老师检查、签字,然后关闭电源、整理好仪器、元件,并在实验卡片上签上班级、学号、姓名、实验日期,然后才能离开。

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