§5-3 面缺陷与体缺陷一、层错层错是在密排晶体中原子面的堆垛顺序出现反常所造成的面缺陷。前面讨论晶体的密堆积方式时得到：

§5-3 面缺陷与体缺陷 一、层错层错是在密排晶体中原子面的堆垛顺序出现反常所造成的面缺陷。前面讨论晶体的密堆积方式时得到：（1）fcc晶体在平行于{111}面的原子排列顺序是ABCABCABC……。（2）hcp晶体在平行于{0001}面的原子排列顺序是ABABAB……。

若使堆垛顺序发生局部变化，形成如下几种新结构：若使堆垛顺序发生局部变化，形成如下几种新结构：（1）外层错：插入一密排层，形成 ABCAB(A)CABC……。（2）内层错：抽去一密排层，形成 ABCABCBCABC……。（3）孪生：对称密排层，形成 ABCABCABCACBACBA……。

堆垛层错并不改变原子最近邻的关系，只产生次近邻的错排，而且几乎不产生畸变，所以是一种低能量的面缺陷。堆垛层错并不改变原子最近邻的关系，只产生次近邻的错排，而且几乎不产生畸变，所以是一种低能量的面缺陷。除密堆积结构外，其它类型的晶体也可能出现层错，如金刚石结构和闪锌矿结构的{111}面在外延生长过程中，将可能出现层错。

二、晶界 多晶是由许多小晶粒组成，晶粒与晶粒的交界区域称为晶界。

晶界的特点 • (1) 晶界是个缺陷密集的过渡区， • 晶界是扩散的快通道； • （2）晶界是杂质的富集区； • （3）晶界可形成离子的聚集或吸附， • 形成对载流子运动的势垒或势阱； • （4）晶界能量较高。

小角晶界 晶界结构和性质与相邻晶粒的取向差有关。当取向差小于10˚时，晶界称为小角晶界；当取向大于10˚时晶界称为大角晶界。实际的多晶材料一般都是大角晶界，但晶粒内部的亚晶界则是小角晶界。

小角晶界

三、体缺陷 在体缺陷中比较重要的是包裹体。包裹体是晶体生长过程中所捕获的夹杂物。气孔也可以认为是一种包裹体。包裹体严重影响晶体性质，如造成光散射，或吸收强光引起发热从而影响晶体的强度。由于包裹体的热膨胀系数一般与晶体不同，在单晶体生长的冷却过程中会产生体内应力，造成大量位错的形成。

透明陶瓷研究

透明陶瓷研究 • 目前制备的透明陶瓷透过率>70%

§5-3 面缺陷与体缺陷 一、层错 层错是在密排晶体中原子面的堆垛顺序出现反常所造成的面缺陷。前面讨论晶体的密堆积方式时得到：