1 / 7

Unidad 2: Circuitos Electrónicos con Transistores

UNIVERSIDAD ALONSO DE OJEDA FACULTAD DE INGENIERÍA ESCUELA DE COMPUTACIÓN ASIGNATURA: ELECTRÓNICA. Unidad 2: Circuitos Electrónicos con Transistores. PROFESOR: ING. GERARDO ALBERTO LEAL, MSc. EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):. Numero de Electrones: E > C y C >> B.

iphigenie
Download Presentation

Unidad 2: Circuitos Electrónicos con Transistores

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. UNIVERSIDAD ALONSO DE OJEDA FACULTAD DE INGENIERÍA ESCUELA DE COMPUTACIÓN ASIGNATURA: ELECTRÓNICA Unidad 2: Circuitos Electrónicos con Transistores PROFESOR: ING. GERARDO ALBERTO LEAL, MSc

  2. EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT): Numero de Electrones: E > C y C >> B

  3. EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT): Estructura Interna y Simbología C Diodo Colector Base (Salida) B Diodo Emisor Base (Entrada) Aspecto E

  4. EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT): Corrientes en los Diodos de Entrada y Salida Análisis de Corrientes del BJT e IC IB e IC IB Según LKC: IE = IB + IC IB << IC IE es aproximadamente igual a IC e IE IE β = Ganancia de Corriente Relación de corriente de salida sobre la corriente de entrada. Diodo BE (Pol Directa) Diodo BC (Pol Inversa) La mayor cantidad de electrones se mueven del Emisor al Colector y una pequeña cantidad salen por la Base. β = IC / IB

  5. I R C C R V B V CC CE I B V V I BE BB E EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT): Circuito básico de polarización Emisor Común BJT NPN + + – + – + – – Parámetros Etapa de Salida: VCC = Voltaje de la Fuente de Colector RC = Resistencia limitadora de Colector IC = Corriente de Colector VCE = Voltaje Colector-Emisor IE = Corriente de Emisor Parámetros Etapa de Entrada: VBB = Voltaje de la Fuente de Base RB = Resistencia de polarización por la Base IB = Corriente de Base VBE = Voltaje Diodo Base-Emisor (0,6 V) Silicio

  6. EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT): Curva característica del BJT y Zonas de Operación Zona Activa Recta de Carga Zona Saturación Zona Corte Punto de Operación (Q)

  7. EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT): Funciones básicas del BJT en Emisor Común Amplificación: BJT Trabajando en la Zona Activa Conmutación: BJT Trabajando en las Zonas de Corte y Saturación

More Related