1 / 11

МНОГОСЛОЙНЫЕ МАГНИТНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ F e /S i

МНОГОСЛОЙНЫЕ МАГНИТНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ F e /S i ПОЛУЧЕННЫЕ ТЕРМИЧЕСКИМ ИСПАРЕНИЕМ В СВЕРХВЫСОКОМ ВАКУУМЕ. Лаборатория ФМЯ ИФ СО РАН Кафедра ТФ СибГАУ. к.т.н. Варнаков С.Н.

jolie-hall
Download Presentation

МНОГОСЛОЙНЫЕ МАГНИТНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ F e /S i

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. МНОГОСЛОЙНЫЕ МАГНИТНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ Fe/Si ПОЛУЧЕННЫЕ ТЕРМИЧЕСКИМ ИСПАРЕНИЕМ В СВЕРХВЫСОКОМ ВАКУУМЕ. Лаборатория ФМЯ ИФ СО РАН Кафедра ТФ СибГАУ к.т.н. Варнаков С.Н. Работа проводилась при активном участии: С.Г. Овчинникова, А.С. Паршина, С.В. Комогорцева, Г.С. Патрина, Н.В. Волкова, Е.В. Еремина, А.А. Лепешева, D. Rafaja, L. Kalvoda, А.Д. Балаева, Г.В. Бондаренко М.М. Коршунова, J. Bartolomé, J. Sesé, P. Nevoral.

  2. Цель работы: Усовершенствование сверхвысоковакуумной технологии на базе технологического комплекса «Ангара» для воспроизводимого получения систем нанометрового диапазона магнитных (Fe) и полупроводниковых материалов (Si), а также in situ определения толщины, элементного и химического состава полученных систем. Определение влияния технологических условий на структурные, химические и магнитные свойства получаемых пленочных систем.

  3. Программно-аппаратное управление сверхвысоковакуумным технологическим комплексом ЭПМ – камера эпитаксии элементарных полупроводников, металлов и диэлектриков; ЭПС – камера эпитаксии полупроводниковых соединений; ПАП – камера анализа и подготовки подложек; ЗиВП – камера загрузки и выгрузки подложек; ШЗ – шиберный затвор; М - манипулятор; ИМ – испарительный модуль; НП – нагреватель подложки; ИВ – ионизационный вакуумметр; МРН – магниторязрядный насос; БК – блок контроля вакуумной системы; ДОБЭ – дифрактометр отраженных быстрых электронов; ВК – видеокамера; ЭОС – электронный оже-спектрометр; БЛЭ – быстродействующий лазерный эллипсометр. Приборы и техника эксперимента, 2004 №6., с. 125-129. С.Н.Варнаков и др.

  4. ПАРАМЕТР ПСИ КАК ФУНКЦИЯ ВРЕМЕНИ В ПРОЦЕССЕ РОСТА Fe/Si/Fe СТРУКТУРЫ Fe(10nm) Приборы и техника эксперимента, 2004 №6., с. 125-129.С.Н.Варнаков и др. Fe(10nm) Si Участки AB, BC, CD соответствуют росту отдельных слоев железа, кремния и железа.

  5. Низкоэнергетический участок оже - спектра от структуры Si(100 А) / Fe(5 А) Euro-Asian symposium “Trends in magnetism” Krasnoyarsk, 2004., p. 318.А.С. Паршин и др. Низкоэнергетический участок оже - спектра от структуры Si(100 А) / Fe(15 А)

  6. МАЛОУГЛОВАЯ ДИФРАКЦИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ Fe-Si Письма в ЖТФ,2005, том 31, вып. 22. с. 1-8. С.Н.Варнаков, А.С. Паршин и др. D. Rafaja, Institute of Physical Metallurgy, TUBergakademie Freiberg, Germany

  7. ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ ФЕРРОМАГНИТНОГО СЛОЯ НА МЕЖСЛОЕВОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В ПЛЕНКАХ Fe/Si/Fe Письма в ЖЭТФ,2004, том 80, вып. 7. с. 560-562. Г.С.Патрин,Н.В. Волков и др. Зависимости энергии межслоевого взаимодействия от толщины ферромагнитного слоя для пленок с кремниевой прослойкой tSi = 2 nm. 1 – Т = 200 К, 2 – Т = 300 К.

  8. nm nm nm nm ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ НОРМИРОВАННОЙ НАМАГНИЧЕННОСТИ НАСЫЩЕНИЯ ПЛЕНОК [Fe(x)/Si(1.5nm)]2/Fe(x)/Si(10nm) J. Bartolomé,Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon, Zaragoza , Spain

  9. ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ ФЕРРОМАГНИТНОГО СЛОЯ НА НАМАГНИЧЕННОСТЬ ПЛЕНОК СИСТЕМЫ Fe/Si Варнаков С.Н., Комогорцев С.В.,Институт физики им Л.В. Киренского СО РАН

  10. ОЦЕНКА НАМАГНИЧЕННОСТИ НАСЫЩЕНИЯ М0 И ТОЛЩИНЫ ХИМИЧЕСКОГО ИНТЕРФЕЙСА МЕЖДУ СЛОЯМИ Fe И Si.

  11. ВЫВОДЫ 1.Модернизирован комплекс технологического оборудования на базе многомодульной установки «Ангара». 2.Отработана технология воспроизводимого получения однослойных и многослойных структур на основе Fe и Si на различных подложках. Получены многослойные наноструктуры системы (Fe/Si)N , где варьировались такие параметры, как N = 1, 2, … 10; толщина кремния 1 нм ≤ dSi ≤ 350 нм, а также толщина железа 1 нм ≤ dFe ≤ 20 нм. 3.С помощью методов электронной спектроскопии, лазерной эллипсометрии in situ контролировались элементный и химический состав, толщины получаемых слоев. Структурные характеристики были определены ex situ методом малоуглового рентгеновского рассеяния. 4. Исследованы трехслойные магнитные пленки Fe/Si/Fe методом магнитного резонанса. Обнаружен эффект влияния толщины ферромагнитного слоя на величину межслоевого взаимодействия. 5. Определены основные магнитные параметры для пленочных структур, получаемых с помощью модернизированной установки «Ангара». Определены пределы существования намагниченности насыщения М0 и толщины химического интерфейса между слоями Fe и Si.

More Related