1 / 8

Maszkkészítés

Maszkkészítés. Planár technológia Kvázi-sík felületen Technológiai lépések: rétegek megmunkálása Struktúra kialakítása: 2D ábrák szerint Litográfia Ábrák kialakítása a felületen Adott munkafázis gátlása adott helyen Pl. leválasztás, marás, fémezés stb. Ábraalakítás eszközei: maszkok

kacia
Download Presentation

Maszkkészítés

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Maszkkészítés • Planár technológia • Kvázi-sík felületen • Technológiai lépések: rétegek megmunkálása • Struktúra kialakítása: 2D ábrák szerint • Litográfia • Ábrák kialakítása a felületen • Adott munkafázis gátlása adott helyen • Pl. leválasztás, marás, fémezés stb. • Ábraalakítás eszközei: maszkok • CMOS: legalább 10 különböző maszk kell

  2. Maszkkészítés • Maszkok • Primer: ábrahordozó, árnyékolás levilágításnál • Reziszt (szerves): művelet gátlás, oxidmaszk kialakítás • Oxid: védelem műveletek ellen, amire reziszt nem alkalmas

  3. Maszkkészítés • Kritérium: pontosság • Abszolút pontosság • Technológiai felbontás egysége (l) szerint (vonalvastagság, ábra alakja) • Relatív pontosság • Koherencia: illeszthetőség adott munkadarab különböző maszkjai között • Illesztés a lépések során: kézzel (~1mm) / lézeres interferometria (pár nm) • Előtorzítás: a technológia okozta torzítások ellen

  4. Maszkkészítés • Primer maszk • fém vagy Fe2O3 üveg hordozón • Pontos és drága (pl. előállításkor stabil hőmérséklet szükséges) • Koherenciához: egyszerre kialakítás vagy lézeres interferometria • Klasszikus: rubilit-fóliába vágott kép> 1:10 kicsinyített fotó > fotózás továbbkicsinyítve, chipeknek megfelelően többszörözve

  5. Maszkkészítés • Korszerű • nem készül mesterrajz (rubilit) • Digitális ábragenerálás a „második”, kicsinyített szintre • Ez közvetlenül szeletre fotózható (sok példányra lassú az illesztések miatt), DSW: direct step writing • vagy készíthető „1x” maszk • „1x” maszk: kontakt (kopik) vagy proximity: kb. 1mm magasan (alávilágítás ellenére ez ma a jellemző)

  6. Maszkkészítés • Elektronsugaras ábraalakítás • Közvetlenül a szeletre (DWW: direct wafer writing, kis példányszám) • Közvetlenül az „1x” maszkra RTG ábragenerálás • RTG: kis hullámhossz, de nem tudjuk fókuszálni • Optikai (UV) ábragenerálás • A fizikai határok közelében, de még mindig ez az általános

  7. Maszkkészítés • Ionsugaras ábraalakítás • DWW (rezisztre) • Anyageltávolítás (l. katódporlasztás) • Pl. krómmmaszk javítása, Cr leválasztás ionból • Közvetlen implantáció lehetősége • Trench-kapacitásos DRAM-cella: trench fala közvetlenül implantálható

More Related