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半导体三极管的参数分为三大类 : 直流参数 交流参数 极限参数 一、直流参数

1.3.4 BJT 的主要参数. 半导体三极管的参数分为三大类 : 直流参数 交流参数 极限参数 一、直流参数. 1 、 共发射极直流电流放大系数 = （ I C － I CEO ） / I B ≈ I C / I B  u CE =const. 1.3.4 BJT 的主要参数. 在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上，通过垂直于 X 轴的直线 (u CE =const) 来求 取 I C / I B ，如左图所示。在 I C 较小时和 I C 较大 时， 会有所减小。.

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半导体三极管的参数分为三大类 : 直流参数 交流参数 极限参数 一、直流参数

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  1. 1.3.4 BJT的主要参数 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 一、直流参数

  2. 1、共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB  uCE=const 1.3.4 BJT的主要参数

  3. 在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上，通过垂直于X轴的直线(uCE=const)来求 取IC / IB，如左图所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小。 图 在输出特性曲线上决定 图 值与IC的关系

  4. 2.共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 显然 与 之间有如下关系: ≈IC/IE= IB/1+ IB= /1+ 

  5. (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 1.3.4 BJT的主要参数 3. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 ICEO

  6. 1.3.4 BJT的主要参数 二、交流参数 1.共发射极交流电流放大系数 =iC/iBUCE=const 在放大区 值基本不变，可在共射接法输出 特性曲线上，通过垂 直于X 轴的直线求取 iC/iB。或在图上通 过求某一点的斜率 得到。 图 在输出特性曲线上求β

  7. 2.共基极交流电流放大系数α α=iC/iEUCB=const 当ICBO和ICEO很小时，≈、≈，可以不加区分。 3 .特征频率fT 三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。 由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降（距离变窄），并产生相移。当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。

  8. 三、极限参数1、集电极最大允许电流ICM 当集电极电流增加时， 就要下降， 当值下降到线性放大区值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 至于值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。 可见，当iC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。

  9. 2、集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= iCuCB≈iCuCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用uCE取代uCB。 由PCM、 ICM和U(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。

  10. 3、极间 反向击穿电压（定义）  U(BR)CBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压。  U(BR) EBO——集电极开路时发射结的反向击穿电压。 U(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压（集电结反偏）。 对于U(BR)CER表示BE间接有电阻，U(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系： U(BR)CBO≈U(BR)CES＞U(BR)CER＞U(BR)CEO ＞U (BR)EBO

  11. 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对ICBO的影响：平衡少子、正向变化。 二、温度对输入特性的影响：正向左移、反向变化。 三、温度对输出特性的影响：温度升高β增大。 结论：温度升高，集电极电流增大。

  12. 1.3.6 光电三极管 暗电流ICEO：无光照时的集电极电流。 光电流：集射极电压足够大时，集电极电流取决于入射光 照度。

  13. ？ 思 考 题 1. 既然BJT具有两个PN结，可否用两个二极管相联以构成一只BJT，试说明其理由。 2. 能否将BJT的e、c两个电极交换使用，为什么？ 3. 为什么说BJT是电流控制器件？ end

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