1 / 22

5.5 การ ใช้ MOSFET ในการ ขยายสัญญาณ

5.5 การ ใช้ MOSFET ในการ ขยายสัญญาณ. การคำนวณหาจุดไบอัส. กระแสเดรนเมื่อ. DC term. Linear term. Non-linear term. เพื่อลด non-linear term. เมื่อ. จาก. พบว่า. และเมื่อแทน ลงในสมการข้างบนจะได้ .

lottie
Download Presentation

5.5 การ ใช้ MOSFET ในการ ขยายสัญญาณ

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. 5.5 การใช้ MOSFET ในการขยายสัญญาณ การคำนวณหาจุดไบอัส

  2. กระแสเดรนเมื่อ DC term Linear term Non-linear term เพื่อลด non-linear term

  3. เมื่อ จาก พบว่า และเมื่อแทน ลงในสมการข้างบนจะได้ ตัวอย่างเช่น ถ้า MOSFET ที่มี K= 1 mA/V2 และถูกไบอัสให้มีID = 1mA(VEFF = 1 V) จะมีgm = 2 mA/V (ซึ่งถือว่าต่ำเมื่อเทียบกับ BJT ซึ่งมี gm = IC/VT = 40 mA/V เมื่อ IC = 1mA)

  4. Graphical Interpretation

  5. อัตราขยายแรงดัน

  6. Small-Signal Equivalent Circuit Models

  7. 5.6 วงจรขยาย MOSFET

  8. Common-Source Amplifier

  9. Common-Source Amplifier

  10. Common-Gate Amplifier สมมุติให้roมีค่าสูงมากจนเป็นอนันต์

  11. เมื่อนำผล ของ ro เข้ามาคิดด้วย

  12. Common-Drain Amp.

  13. 5.7 FET ประเภทอื่น ๆ • Depletion MOSFET • อุปกรณ์ MOSFET ที่เราได้ทำการศึกษาในหัวข้อที่ผ่านเป็น MOSFET แบบ Enhancement • Depletion MOSFET จะเป็น MOSFET ที่ผ่านกระบวนการผลิตพิเศษทำให้สามารถปรับค่า Vtได้ อาทิ Depletion NMOS สามารถมี Vtn < 0 ได้ทำให้อุปกรณ์จะนำกระแสแม้กรณี VGS < 0

  14. สัญลักษณ์ของ depletion-MOSFET NMOS PMOS

  15. JFET • JFET เป็นอุปกรณ์ประเภท FET อีกตัวหนึ่ง • discrete JFET นิยมนำไปใช้ใน RF Amplifier • ใน integrated circuit นิยมใช้เป็นภาคอินพุตของออปแอมป์ BiFET เพื่อเพิ่ม input resistance ของออปแอมป์ (เช่น LF155)

  16. ย่านไตรโอด เราสามารถใช้ vGSในการควบคุมความต้านทานระหว่าง Drain และ Source ได้ ดังนี้ vGS ยิ่งมีค่าน้อย (ต่ำกว่าศูนย์มาก) จะทำให้บริเวณปลอดพาหะกว้างขึ้นส่งผลให้ความกว้างของช่องเดินกระแสลดลง และความต้านทานระหว่าง D และ S เพิ่มขึ้น

  17. ย่านคัตออฟ โดยถ้า vGS < VP(ซึ่งมีค่าน้อยกว่า 0) ช่องทางเดินของกระแสจะหายไป ทำให้ไม่มีกระแสไหลจาก D ไป S

  18. ย่านอิ่มตัว ในการใช้งาน JFET ในการขยายสัญญาณ เราจะไบอัส JFET ในอยู่ในย่านอิ่มตัวนั่นคือ vGS > VP (เพื่อไม่ให้อุปกรณ์คัตออฟ) และ vDS > vGS - VP (เพื่อให้เกิดการ pinch-off ในลักษณะเดียวกับ MOSFET) ซึ่งจะทำให้

  19. MESFET MESFET (Metal Semiconductor Field-Effect Transistor) สร้างขึ้นจากสารกึ่งตัวนำแกลเลียมอาร์เซไนด์ (Gallium Arsenide: GaAs)ซึ่งสารที่มีความคล่องตัว (mobility) ของอิเล็กตรอนสูงนิยมใช้ในงานความถี่สูง เช่นในวงจรรวมความถี่ไมโครเวฟ (monolithic microwave integrated circuits: MMICs) ภายในโทรศัพท์มือถือ ระบบสื่อสารดาวเทียม ระบบเรดาร์ เป็นต้น

More Related