1 / 10

S ügavusprofiilid

S ügavusprofiilid. O ptical E mission S pectrometer. Rakendus : plasmaekraan ( surface DBD). e = 15. 0,1 mm. d. V 0. Ne/Xe . V G. 25 m m. MgO. Ne: g > 0,1. p = 600 torr. Endotermiline :. Keemilised reaktsioonid:. Eksotermiline :.

manny
Download Presentation

S ügavusprofiilid

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. Sügavusprofiilid Optical Emission Spectrometer

  2. Rakendus: plasmaekraan(surface DBD) e = 15 0,1 mm d V0 Ne/Xe VG 25 mm MgO Ne: g > 0,1 p = 600 torr

  3. Endotermiline: Keemilised reaktsioonid: Eksotermiline: Endotermilistereaktsioonide saagist võib oluliselt tõsta kasutades termodünaamiliselt mittetasakaalulist plasmat (Te >> Tg) Plasma ülesanne on elektronide vahendusel keemiliselt aktiivsete komponentide tekitamine  ioonid, metastabiilsed aatomid ja molekulid (N, O, OH,…). Tekkinud komponendid moodustavad uusi ühendeid kas gaasikeskkonnas või tahkise pinnal Plasmafüüsika Plasmakeemia Aeg (s) 10-12 10-10 10-9 10-8 10-7 10-6 10-5 10-4 10-3 10-1 10

  4. K f diss T, K Osooni genereerimine 102 ... 103mikrolahendust:  = 0.1 ... 1 mm; 10 ns ... 1 µs jahutusvesi

  5. SOx, NOX, VOC eemaldamine striimerkoroonaga Striimerid: Suur ruumiline ulatus; Levikukiirus 107 cm/s Elektronide energia 10 eV Kanali temperatuur 800 K

  6. Eksimerlambid ja -laserid Eksimermolekul Eksimerlambid Eksimerlaser Eelionisatsioon M1 A M2 K i 10 kA U dt 10 ns t

  7. Pinnatöötlus Barjäärlahendusatmosfäärirõhul

  8. Pinnatöötlus Atmosfäärirõhul kasutatakse barjäärlahenduse kolme moodi T – Townsend , 108 cm-3; F – filamentary (säde-), 1014 cm-3; G – glow (huum-) 1011 cm-3 G K A F K A T K G F

  9. Õõnes mikrokatood Plasmajuga (hollowmicrocathodedischarge) (plasma jet) Atmosfäärirõhul: D 0,1 mm Argoon: (pD)max = 10 Torr cm -U D +U Märgavuse muutus Singletne hapnik : Pikk eluiga, keemiliselt aktiivne 1 eV

  10. Barjäärlahendus Ülaltvaade Barjäärlahendus: miks tekib korrapära? Pindlaeng erinevatel poolperioodidel

More Related