1 / 25

Wielokrotnie zapisywalne nośniki DVD z materiałów o zmiennej fazie

Wielokrotnie zapisywalne nośniki DVD z materiałów o zmiennej fazie. T.Stobiecki Katedra Elektroniki AGH 19.10. 2004 3 wykład. Dostępne nośniki DVD. Magneto – optyczne Materiały z zmiennej fazie (Phase change media). Zasada zapisywania, odczytu i kasowania materiałów o zmiennej fazie.

marrim
Download Presentation

Wielokrotnie zapisywalne nośniki DVD z materiałów o zmiennej fazie

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Wielokrotnie zapisywalne nośniki DVD z materiałów o zmiennej fazie T.Stobiecki Katedra Elektroniki AGH 19.10. 2004 3 wykład

  2. Dostępne nośniki DVD • Magneto – optyczne • Materiały z zmiennej fazie (Phase change media)

  3. Zasada zapisywania, odczytu i kasowania materiałów o zmiennej fazie

  4. Stan krystaliczny i amorficzny

  5. Krystalograficzy a amorficzny

  6. Predkość przejścia pomiędzy fazami

  7. Uwalnianie energii cieplnej - Gips • G = H – TS • G – uwalnianie energii – Gips • H – energia • T – temperatura • S - entorpia

  8. Temperaturowa zależność uwalniania ciepła G

  9. Przejście ze stanu krystalicznego w płynny • Tm – temperatura topnienia • Tg – temperatura krzepniecia

  10. Wymagania co do materiału • 1. Zapis • 2. Stabilność zapisanych danych • 3. Łatwy odczyt • 4. Wymazywanie • 5. Odporność i wytrzymałość na liczne cykle kasowania i zapisywania

  11. Wymagania i właściwości materiałów

  12. Historia wykorzystywanych materiałów • 1971: Te-Ge-Sb-S • 1974: Te-Ge-As • 1983: Te-Ge-Sn-O • 1985: Te-Sn-Se, Ge-Se-Ga • 1986: Te-Ge-Sn-Au, Sb2-Se, In-Se, GeTe, Bi-Se-Sb, Pd-Te-Ge-Sn • 1987: GeTe-Sb2Te3, (Ge2Sb2Te3, GeSb2Te4), In-Se_Tl-Co • 1988: In-Sb-Te, In3SbTe2 • 1989: GeTe-Sb2Te3-Sb, Ge-Sb-Te-Pd, Ge-Sb-Te-Co, Sb2Te3-Bi2Se3 • 1991: Ag-In-Sb-Te

  13. Diagram fazy

  14. Minimalny czas i temperatura dla rekrystalizacji

  15. Proces zapisu Elementem dokonującym zapisu jest laser. Wiązka lasera musi mieć określoną moc i czas trwania. Efektem działania lasera jest unormowana zmiana zdolności odbicia ΔRC

  16. Proces zapisu 1 – brak zmian sieci krystalicznej 2 – przejście w fazę amorficzną 3 – rekrystalizacja materiału 4 – redukcja zdolności odbicia

  17. Proces wymazywania 1 – brak zmian sieci krystalicznej 2 – zmiana fazy na krystaliczną 3 – reamorfizacja materiału 4 – zmiana fazy na krystaliczną 5 – znaczna utrata zdolności odbicia

  18. Ograniczenia gęstości zapisu NA – apertura numeryczna soczewki obecnie: NA=0,5 – 0,6 w przyszłości: NA=0,8 ograniczenie ¾* λ λ – długość fali lasera obecnie: λ=780nm w przyszłości: InGaAlP λ=635nm niebieski laser λ=400nm

  19. Zwiększania gęstości zapisu Zatopione soczewki (immersion lens)

  20. Zwiększania gęstości zapisu Mikroskopia przypowierzchniowa (near-field microscopy)

  21. Zmiana rezystancji

  22. Rezystancja komórki w zależności od impulsów prądu

  23. Struktura komórki PCRAM

  24. Matryca komórek PCRAM

  25. Zalety pamięci PCRAM • Duże szybkości zapisu i odczytu ( 10ns ) • Niewielkie napięcia operacyjne ( >1V ) • Nieskomplikowana logika sterująca • Duża gęstość zapisu • Łatwość integracji w układach CMOS • Wysoka stabilność • Niski koszt produkcji • Prostota wykonania • Duża trwałość 1012 cykli set/reset

More Related