模拟电子技术基础

1. 模拟电子技术基础 本课程是入门性质的技术基础课

2. 一、电子技术的发展 • 47年 贝尔实验室制成第一只晶体管 • 58年 集成电路 • 69年 大规模集成电路 • 75年 超大规模集成电路 • 第一片集成电路只有4个晶体管，而97年一片集成电路上有40亿个晶体管。科学家预测集成度按10倍/6年的速度还将继续到2015或2020年，将达到饱和。

3. 二、模拟电路 • 数字量：离散性 • 模拟量：连续性，大多数物理量，如温度、压力、流量、液面……均为模拟量。 • 模拟电路：对模拟量进行处理的电路，最基本的处理是放大。 • 放大：输入为小信号，有源元件控制电源使负载获得大信号，并保持线性关系。 • 有源元件：能够控制能量的元件。

4. 三、课程目的 • 掌握基本概念、基本电路、基本分析方法、基本实验技能 • 具有能够继续深入学习和接收电子技术新发展的能力，将所学知识用于本专业的能力。 四、考察方法： • 会看：定性分析 • 会算：定量计算、CAD • 会选：电路形式、器件、参数 • 会调：测试方法、仪器选用、EDA

5. 五、学习方法 • 在入门阶段要以听课为线索； • 建立工程的观念、系统的观念、科学进步的观念、实践的观念； • 特别注意电路原理在电子电路分析中的应用。 六、考试方法 笔试开卷。

6. 第一章 半导体器件

7. 一、二极管 正向特性为指数曲线 端电压 电流 反向电流为常量 温度的 电压当量 反向饱和电流 开启电压 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移

8. 二极管的几个参数 最大整流电流IF：平均电流 最高反向工作电压UR：瞬时值 反向电流IR： IS，是对温度很敏感的参数 最高工作频率fM：结电容作用的结果

9. 二、晶体管（三极管、双极型管） 三个工作区域：放大区、截止区、饱和区 开关特性 数字电路 极限参数：最大集电极功耗PCM＝ICUCE 最大集电极电流ICM，c-e间击穿电压UCEO 模拟电路

10. 晶体管的三个工作区域 • 状态 uBE iCuCE • 截止 ＜Uon ICEOVCC • 放大 ≥ UonβIB ≥ uBE • 饱和 ≥ Uon ＜βIB＜ uBE

11. 温度对晶体管特性的影响

12. 第二章 放大电路基础

13. §2.1 放大的概念及 放大电路的性能指标 一、放大的概念 • 放大的对象：变化量 • 放大的本质：能量的控制 • 放大的特征：功率放大 • 放大的基本要求：不失真，放大的前提

14. 二、性能指标1.放大倍数

15. 二、性能指标2.输入电阻和输出电阻

16. 二、性能指标 3.通频带 • 衡量放大电路对不同频率信号的适应能力 4.最大不失真输出电压Uom 5.最大输出功率Pom和效率η