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~. POLARIZZAZIONI DEL BJT. Polarizzazione in «corrente». Polarizzazione in «tensione». I C. R C. R B. I B. V CC. V CC. I C. R C. V BE ~ 0.7V. R 1. I B. R B. ~. v u. v g. V BE ~ 0.7V. I B =(V CC -0.7V)/R B. R 2. R E. Polarizzazione della base. V CC. I C. R C. R 1. I B.
E N D
~ POLARIZZAZIONI DEL BJT Polarizzazione in «corrente» Polarizzazione in «tensione» IC RC RB IB VCC VCC IC RC VBE ~ 0.7V R1 IB RB ~ vu vg VBE ~ 0.7V IB =(VCC-0.7V)/RB R2 RE
Polarizzazione della base VCC IC RC R1 IB C B IC vu RB VBB E R2 IB RE IE RE
Polarizzazione del CEE che massimizza la dinamica di uscita per segnali bipolari VCC IC RC Infatti: R1 IB C B VBE ~ 0.7V E R2 RE Per ottenere questo valore si è trascurato il termine 0.2V
Amplificatore a transistor in configurazione Emettitore Comune con resistenza di emettitore (CEE) VCC IC RC R1 IB C B vu ~ vg VBE ~ 0.7V E R2 RE
Circuito equivalente del CEE per piccoli segnali a bassa frequenza c b ib iu rp gmvp RC ~ vi e RE
Amplificazione, Impedenza di ingresso e impedenza di uscita per configurazione CEE
~ vi BJT in configurazione CC(Emitter Follower) VCC Polarizzazione configurazione CC IC R1 IB C B VBE ~ 0.7V E R2 vu RE
Circuito equivalente per piccoli segnali a bassa frequenza BJT conf. CC c b ib rp ~ vi gmvp e RE
Disponendo diversamente i componenti ma senza modificare la topologia: ib iu b e gmvp rp Rg RE vu vb vg ~ c
Configurazione CB Nella configurazione a base comune (CB) la Base del transistor è in comune tra ingresso e uscita dell’amplificatore VCC gmvp ii c iu RC e E Rg - + + C RE RC vg rp vp vu vi RE vu ~ B + - - b -VEE vi Amplificatore con BJT in configurazione: Base Comune Circuito equivalente per piccoli segnali
VCC RC C Ip R’1 R1 vu B ~ vg R2 E R’2 R’E RE CEE CC
VCC RC C Ip R’1 R1 vu B ~ vg R2 E R’2 R’E RE CEE CC Amplificatori in «Cascata» Accoppiamento in AC
Amplificatori in «Cascata» VCC Accoppiamento in «continua» IC RC C Ip R1 IB’ vu B ~ vg R2 E R’E RE CEE CC
Esempio VCC =10 V IC=1.4mA RC=3.2kΩ VC=5.6V R1=45k Ω Ip C VCE’=5.0V Rg=50 Ω VB=1.55V B C=3.3mF ~ VE=0.95V vg VE’=5.0V E IE’=10mA R2 RE=0.68Ω RL=10 Ω R’E=0.5k Ω R2=8.2k Ω Frequenza di taglio per la misura dell’impedenza di uscita
Esempio – Transistor a Collettore Comune IB=200mA 40 Retta di carico (statica): 160mA 30 Punto di Lavoro 120mA Corrente di Collettore ,IC (mA) Retta di carico (dinamica): 20 80mA 10 40mA ICQ 0 2 4 6 8 10 0 Tensione Emettitore-Collettore ,VCE (V) VCEQ
Esempio IB=200mA 40 160mA 30 120mA Corrente di Collettore ,IC (mA) 20 80mA 10 40mA ICQ 0 2 4 6 8 10 0 VCE (V) VCEQ