ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ)

1. Биполярные транзисторы. Слайд 1 из 20. Тема ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (ОЭ, ОК, ОБ) План темы 1. Схемы включения транзисторов 2. Каскад ОЭ 3. Каскад ОК 4. Каскад ОБ 5. Схемы питания каскадов 6. Контрольные вопросы Автор Останин Б.П. Конец слайда

2. Биполярные транзисторы. Слайд 4 из 20. ОЭ ОК ОБ К К К Э Б Б Э Э Б Схемы включения транзисторов Автор Останин Б.П. Конец слайда

3. Биполярные транзисторы. Слайд 3 из 20. Токи при наличии uВХ Токи в режиме покоя UП UП IБ0 IБ0 RБ RБ RH RH IК0 iК=IК0+iК~ IБ0 iБ=IБ0+iВХ iВХ СР СР VT VT uВХ IЭ0 iЭ=iБ+iК iК~ = iВХ·h21Э h21Э – коэффициент усиления токабазы Каскад ОЭ Автор Останин Б.П. Конец слайда

4. Биполярные транзисторы. Слайд 4 из 20. UП RБ RК СР2 iК iБ СР uВЫХ VT uВХ iЭ Каскад ОЭ Автор Останин Б.П. Конец слайда

5. Биполярные транзисторы. Слайд 5 из 20. Каскад ОЭ КI – составляет десятки, сотни и даже тысячи h21Э =  - статический коэффициент усиления тока для схемы ОЭ. Он определяется при RH = 0, т.е. при UКЭ = const, так как должен характеризовать только сам транзистор. Автор Останин Б.П. Конец слайда

6. Биполярные транзисторы. Слайд 6 из 20. Каскад ОЭ Коэффициенты усиления UmБЭ – десятые доли вольта; UmКЭ – единицы и десятки вольт; КU – десятки, сотни. КР – сотни, тысячи, сотни тысяч. Автор Останин Б.П. Конец слайда

7. Биполярные транзисторы. Слайд 7 из 20. Входное сопротивление каскада ОЭ rВХ – сотни Ом, единицы кОм Пример. UmБЭ = 200 мВ, ImБ = 0,4 мА. тогда rВХ = 200: 0,4 = 500 Ом. rВЫХ - составляет единицы и десятки кОм. Каскад инвертирует фазу входного сигнала. Недостатки схемы ОЭ – худшие по сравнению с ОБ и ОК частотные и температурные свойства. Автор Останин Б.П. Конец слайда

8. Биполярные транзисторы. Слайд 8 из 20. EП iК СП iБ VT uВХ iЭ RЭ uВЫХ ECМ ССМ Каскад ОК (эмиттерный повторитель) Выходное напряжение полностью подаётся на вход (100% ООС) Автор Останин Б.П. Конец слайда

9. Биполярные транзисторы. Слайд 9 из 20. Каскад ОК Коэффициент усиления тока на единицу больше чем схемы с ОЭ Коэффициент усиления напряжения меньше единицы Каскад ОК не инвертирует фазу Автор Останин Б.П. Конец слайда

10. Биполярные транзисторы. Слайд 10 из 20. Каскад ОК Входное и выходное сопротивления Входное сопротивление каскада ОК – десятки кОм. Выходное сопротивление каскада ОК – сотни Ом - единицы кОм. Каскад ОК не инвертирует фазу входного сигнала. Автор Останин Б.П. Автор Останин Б.П. Конец слайда Конец слайда

11. Биполярные транзисторы. Слайд 11 из 20. UП RБ1 RК СР2 СБ VT СР1 uВЫХ RЭ RБ2 uВХ Каскад ОБ Схема имеет значительно меньшее усиление мощности и меньшее входное сопротивление, чем каскад ОЭ. Зато по частотным и температурным свойствам она значительно превосходит лучшие схемы ОЭ. Статический коэффициент передачи тока для схемы ОБ Автор Останин Б.П. Конец слайда

12. Биполярные транзисторы. Слайд 12 из 20. Каскад ОБ Коэффициент усиления по напряжению такой же, как в схеме ОЭ Входное сопротивление для схемы ОБ в десятки раз меньше чем в схеме ОЭ (составляет всего лишь десятки, а у мощных транзисторов – единицы Ом). Выходное сопротивление достигает сотен кОм и более Каскад ОБ не инвертирует фазу входного сигнала Автор Останин Б.П. Конец слайда

13. Биполярные транзисторы. Слайд 13 из 20. Таблица сравнения каскадов Автор Останин Б.П. Конец слайда

14. Биполярные транзисторы. Слайд 14 из 20. EП СП RБ RК СР2 СР VT uВЫХ uВХ Обычно тогда Схемы питания транзистора, включённого по схеме ОЭ Автор Останин Б.П. Конец слайда

15. Биполярные транзисторы. Слайд 15 из 20. EП СП RБ1 RК СР2 СР1 VT uВЫХ RБ2 IД uВХ Схемы питания транзистора, включённого по схеме ОЭ Автор Останин Б.П. Конец слайда

16. Биполярные транзисторы. Слайд 16 из 20. Схемы питания транзистора, включённого по схеме ОЭ Способ подачи напряжения смещения с помощью делителя применяется довольно часто, но он не экономичен. Кроме того, делитель заметно уменьшает входное сопротивление каскада. Для получения более стабильного напряжения смещения желательно, чтобы ток делителя был возможно больше, а это значит, что сопротивление делителя должно быть маленьким. Уменьшение сопротивления делителя ведёт к уменьшению входного сопротивления каскада. Обычно устанавливают IД = 3…5 IБ0. Сопротивление входного разделительного конденсатора rВХ – входное сопротивление самого транзистора. Автор Останин Б.П. Конец слайда

17. Биполярные транзисторы. Слайд 17 из 20. Обычно отсюда или в мкФ Ёмкости конденсаторов каскадов Для схемы с делителем надо учесть сопротивление делителя (RБ1RБ2) Тогда входное сопротивление каскада Ёмкость СП (в мкФ), определяется аналогично ёмкости СР Автор Останин Б.П. Конец слайда

18. Биполярные транзисторы. Слайд 18 из 20. Существенным недостатком транзисторов является значительное изменение их характеристик при изменении температуры. Схемы стабилизации каскадов даны в следующей презентации. Автор Останин Б.П. Конец слайда

19. Биполярные транзисторы. Слайд 19 из 20. 1 2 Контрольные вопросы 1 Автор Останин Б.П. Конец слайда

20. Биполярные транзисторы. Слайд 20 из 20. 1 2 Контрольные вопросы 2 Автор Останин Б.П. Конец слайда