CH1 ：記憶體

1. CH1：記憶體

2. 記憶體的分類 為揮發性記憶體，資料會隨電源關閉而消失 為非揮發性記憶體，資料不會隨電源關閉而消失

3. 主記憶體 • 為存放正在運作中的程式及資料的場所 • 主記憶體可分為隨機存取記憶體(RAM，Random Access Memory)及隨讀記憶體(ROM，Read-Only Memory) • 與輔助記憶體相比，主記憶體的存取速度較快，但可儲存的容量較小。

4. RAM – DRAM (Dynamic RAM) • 將資訊儲存在電容裡的一系列電荷中，因電荷會漏電，所以必須週期性充電，以維持資訊的完整，故稱之為「動態」。 • 和SRAM (Static RAM)比較起來，DRAM設計結構較簡單，價格較低，一般使用者所稱的「記憶體」，指的就是主記憶體中的DRAM。 • 和SRAM比較起來，DRAM的存取速度較慢，耗電量也較大。

5. RAM – SRAM (Static RAM) • 透過正反器(Flip-Flop，為一種邏輯電路)來儲存資料，因為沒有需要充電的元件，所以不地進行自動充電的動作，故稱之為「靜態」。 • 和DRAM 比較起來，SRAM設計結構較為複雜，價格相對也較高，通常快取記憶體(cache)採用SRAM。 • 和DRAM比較起來，SRAM的存取速度較快，耗電量也較低。

6. 唯讀記憶體 (1/2) • ROM • 唯讀記憶體（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的記憶體。在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式唯讀記憶體」（masked ROM）。此記憶體的製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動。 • PROM • 可程式唯讀記憶體（Programmable ROM，PROM）其內部有行列式的鎔絲，可依使用者（廠商）的需要利用電流將其燒斷，以寫入所需的資料及程式，一經燒錄便無法再更改。 • 與Masked ROM的差別在於，Masked ROM在晶片製造過程中救被寫入資料，而PROM出廠時是空白的，之後再用PROM Programmer(或PROM Burner)裝置將資料燒進去。 • EPROM • 可抹除可編程唯讀記憶體（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光於紫外線下，則資料可被清空，並且可重複使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。

7. 唯讀記憶體 (2/2) • OTPROM • 一次編程唯讀記憶體（One Time Programmable Read Only Memory，OTPROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，編程寫入之後就不再抹除，因此不設置透明窗。 • EEPROM • 電子式可抹除可編程唯讀記憶體（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。

8. 快閃記憶體 (Flash Memory) • 又稱作Flash ROM，技術上屬於EEPROM，但EEPROM以位元(bit)為單元寫入資料，快閃記憶體可用區塊為單位寫入。一個區塊的內容可以用單一動作清除或寫入，更新資料較快，因此稱作快閃(flash) • 現今多數主機板採用Flash ROM來儲存BIOS，固可輕易更新BIOS。 • 記憶卡(Memory Card)為快閃記憶體的應用，如SD、CF記憶卡皆屬此類。

9. 輔助記憶體 • 大部分用來存放大量或需長久保存的資料。 • 與主記憶體相比，輔助記憶體的存取速度較慢，但可儲存的容量較大。 • 常見的輔助記憶體設備有：硬碟、光碟片/光碟機等

10. 硬式磁碟機(Hard Disk Drive) (1/2) • 硬碟的內部構造

11. 硬式磁碟機(Hard Disk Drive) (2/2)