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Un transistor Bipolar en un dispositivos de tres terminales

Un transistor Bipolar en un dispositivos de tres terminales Formado por una capa muy delgada del tipo N o P, empare Jado por otro tipo de material opuesto. Existen dos clases de transistores un de tipo NPN y otro De tipo PNP. N. P. N. I B = f(V BE , V CE ) Característica de entrada. +.

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  1. Un transistor Bipolar en un dispositivos de tres terminales Formado por una capa muy delgada del tipo N o P, empare Jado por otro tipo de material opuesto. Existen dos clases de transistores un de tipo NPN y otro De tipo PNP. N P N

  2. IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada + VCB - IE IC = f(VCE, IB) Característica de salida Características eléctricas del transistor bipolar Transistor NPN En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes: IC, IB, IE VCE, VBE, VCB En la práctica basta con conocer solo 2 corrientes y 2 tensiones. Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE y VBE. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fácilmente: IE = IC + IB VCB = VCE - VBE IC + IB VCE + VBE - -

  3. IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada  VCE IB VBE Características eléctricas del transistor bipolar Transistor NPN IC + IB VCE + VBE - - Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo. La característica de este diodo depende de VCE pero la variación es pequeña.

  4. IC VCE Características eléctricas del transistor bipolar Transistor NPN IC = f(IB, VCE) Característica de salida IC + IB IB VCE + VBE - - La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base IB.

  5. Zona activa: IC=·IB IC + IB VCE + VBE - - Zona de saturación Zona de corte Características eléctricas del transistor bipolar: linealización Transistor NPN: linealización de la característica de salida IB(μA) IC(mA) 400 40 30 300 20 200 10 100 0 VCE (V) 1 2 El parámetro fundamental que describe la característica de salida del transistor es la ganancia de corriente .

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