ÇAĞA ENERJİ

1. ÇAĞA ENERJİ MILLENNIUM ENERGY Yazan : ÇAĞA BİZİMCAN Patent: TPE: 2012/09041 FOTOVOLTAİK KUMAŞ PANELLERİNİ OLUŞTURAN İPLİKLERİN FOTOVOLTAİK HÜCRE YAPISI VE ELEKTRİK ÜRETİMİ İşbu slayt içinde yer alan yazı ve bilgilerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

2. N P ve N Tipi İplikler arasında elektron hareketleri P N-tipi İplik N-tipi İplik P-tipi İplik N-tipi İplik P-tipi İplik N-tipi İplik P-tipi İplik P-tipi İplik N P N P N P N P N - - - - “ “ “ “ + + + + - - - - “ “ “ “ + + + + - - - - “ “ “ “ + + + + - - - - “ “ “ “ + + + + - - - - “ “ “ “ + + + + İşbu slayt içinde yer alan yazı ve animasyonların her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

3. Fotovoltaik Gözenin İşleyişi - + - + İşbu slayt içinde yer alan yazı ve bilgilerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

4. Teknik Alan Bu buluş, eriyik halindeki yarı iletken kristalize saf silikonla periyodik cetvelin 3.grubundan elementlerin herhangi birinin katkılanması ile (P-Tipi) iplik üretilmesi ve yine eriyik halindeki yarı iletken kristalize saf silikonla periyodik cetvelin 5.grubundaki elementlerin herhangi birinin katkılanması ile (N-Tipi) ipliklerin üretilmesi ve üretilen bu iplikler ile bakır veya diğer metal iletken ipliklerin tekniğin bilinen dokuma tezgahlarında ve/veya örgü makinelerinde azami sıklıkta dokuma kumaş panelleri haline getirilmesi suretiyle oluşturulan fotovoltaik hücrelere güneş ışığı veya diğer yapay ve doğal ışık düşürülerek harekete geçirilmesi suretiyle doğrudan elektrik enerjisi üretilmesi ile ilgilidir. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve bilgilerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

5. Buluşun Amacı Bu buluşun çözümünü amaçladığı problem , dünyamıza gelen güneş ışığı veya diğer yapay ve doğal yollarla sağlanan ışığın,buluş olan (P-Tipi) ve (N-Tipi) ipliklerle dokunan ve/veya örülen fotovoltaik panel desenli kumaş üzerine düşürülerek tekniğin bilinen diğer yalıtkan ve iletken metal ve ametal ve/veya her tür iplik türlerinin de dokumaya ve örgüye dahil edilmesi ile çevreyi kirletmeyen , doğaya saygılı yolla doğrudan doğruya elde edilen elektriğin akülerde depolanması ve/veya doğrudan elektrik dağıtım şebekesine aktarılmasıdır. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve bilgilerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

6. A-BULUŞ, MONOKRİSTALİZE VEYA KRİSTALİZE SAF SİLİSYUM VEYA KRİSTALİZE SİLİKON HAMMADDESİ VE /VEYA MONOKRİSTALİZE VEYA KRİSTALİZE CAM HAMMADDESİNİN SAF VEYA BİLEŞİK KİMYASAL KATKI ELEMENTLERİNİN HARMONİZESİNDEN ELDE EDİLEN NORMAL VEYA KRİSTALİZE SİLİKON ELYAFI VE /VEYA NORMAL VEYA KRİSTALİZE CAM ELYAFI VEYA CAM YÜNÜNDEN DEVAMLI VEYA KESİKLİ NORMAL VEYA KRİSTALİZE 3.GRUP SİLİKON (P – TİPİ ) NANO ÖLÇEKTEN BAŞLAYIP EN YÜKSEK DENYEYE KADAR SİLİKON VE/VEYA CAM ELYAFLI İPLİK ÜRETİMİ İLE İLGİLİDİR. Bu buluşun konusunu teşkil eden eriyik halindeki yarı iletken kristalize saf silikonla periyodik cetvelin 3.grubundan elementlerin herhangi birinin katkılanması ile üretilen iplik ile yine eriyik halindeki yarı iletken kristalize saf silikonla periyodik cetvelin 5.grubundaki elementlerin herhangi birinin katkılanması ile üretilen ipliğin ve güç çıkışını sağlayacak bakır veya diğer metal iletken ipliklerin azami sıklıkta dokuma kumaş haline getirilmesi suretiyle oluşturulan fotovoltaik hücrelerin güneş ışığı veya diğer yapay ve doğal ışıklarla harekete geçirilmesi suretiyle doğrudan elektrik enerjisi üretilmesidir. Tekniğin bilinen yöntemleri ile monokristalize veya kristalize hale getirilen saf silisyum veya silikon elementi ve/veya monokristalize veya kristalize haldeki cam hammaddesi , periyodik cetvelin 3. grubundan (Bor, alüminyum, galyum, indiyum, talyum, ununtriyum,holmiyum, aynştaynyum) saf veya bileşik kimyasal katkı elementleri veya karışımı ile harmonize edilerek saf monokristalize ve kristalize silikon elyafı veya monokristalize ve kristalize cam elyafı veya yünü haline getirilerek , devamlı veya kesik tipte veya diğer iplik tiplerinde iplik üretimi için işleme tabi tutulurlar. Normal veya Kristalize saf silisyum veya saf silikon elyafı veya kristalize cam elyafı P-Tipi Silikon ve/veya cam elyafından iplik üretimi için işleme tabi tutulmadan önce ve/veya iplik haline geldikten sonra işleme tabi tutulan elyaf veya ipliğe elementlerin periyodik cetvelin 3. grubundan olan elementlerden biri veya bir kısmının veya tümünün eriyik veya katı veya diğer başka durumlardaki karışımı ile terbiye edilir ve/veya harmanlanır veya kaplanır.(örneğin; Bor elementi(*) ve/veya periyodik cetvelin aynı grubundaki diğer elementler ) ideal ölçülerde eklenir ve harmanlanır. Elde edilen bu karışım tekniğin bilinen her türlü iplik üretim düzenek ve cihazları ile bir veya birden fazla ideal kalınlıkta veya nano ölçülerde yuvarlak veya trilobal üçgen kesit-filamentlerin bir araya gelmesi ile emsal iplcinslerinin numaralandırıldığı en düşük denyeden ve/veya nano ölçekli numaralardan başlamak üzere en yüksek denyeye kadar iplik üretilir. Bu ipliğin teknik adının (P-Tipi iplik) veya (Kristalize 3.Grup Silikon iplik)veya (3.Grup cam iplik) olarak adlandırılarak büküm ve dokuma ameliyesinden önce 3.grup element veya elementlerin eriyik veya sıvı halinde olan saf veya karışımlarından ideal derecelerde ısıl işlemlerden veya kaplama işleminden geçirilerek bobin yada çile haline getirilir. Bobin ve çile yapılan iplik büküm veya 3.grup elementlerden hazırlanan eriyik veya sıvı tamamlayıcı ile leventlere sarılmaya ve haşıl işlemi sonrasında dokumaya hazırdır. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve bilgilerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

7. B-BULUŞ, MONOKRİSTALİZE VEYA KRİSTALİZE SAF SİLİSYUM VEYA KRİSTALİZE SİLİKON HAMMADDESİ VE/VEYA MONOKRİSTALİZE VEYA KRİSTALİZE CAM HAMMADDESİNİN SAF VEYA BİLEŞİK KİMYASAL KATKI ELEMENTLERİNİN HARMONİZESİNDEN ELDE EDİLEN NORMAL VEYA KRİSTALİZE SİLİKON ELYAFI VE /VEYA NORMAL VEYA KRİSTALİZE CAM ELYAFI VEYA CAM YÜNÜNDEN DEVAMLI VEYA KESİKLİ NORMAL VEYA KRİSTALİZE 5.GRUP SİLİKON (N – TİPİ ) NANO ÖLÇEKTEN BAŞLAYIP EN YÜKSEK DENYEYE KADAR SİLİKON VE/VEYA CAM ELYAFLI İPLİK ÜRETİMİ İLE İLGİLİDİR. Tekniğin bilinen yöntemleri ile Monokristalize veya kristalize hale getirilen saf silisyum veya silikon elementi ve/veya monokristalize veya kristalize haldeki cam hammaddesi , periyodik cetvelin 5.grubundan(Azot,fosfor,arsenik,antimon,bizmut,ununpentiyum) saf veya bileşik kimyasal katkı elementleri veya karışımı ile harmonize edilerek saf monokristalize ve kristalize silikon elyafı veya monokristalize ve kristalize cam elyafı veya yünü haline getirilerek , devamlı veya kesik tipte veya diğer iplik tiplerinde iplik üretimi için işleme tabi tutulurlar. Normal veya Kristalize saf silisyum veya saf silikon elyafı veya kristalize cam elyafı N-Tipi Silikon ve/veya cam elyafından iplik üretimi için işleme tabi tutulmadan önce ve/veya iplik haline geldikten sonra işleme tabi tutulan elyaf veya ipliğe elementlerin periyodik cetvelin 5. grubundan olan elementlerden biri veya bir kısmının veya tümünün eriyik veya katı veya diğer başka durumlardaki karışımı ile terbiye edilir ve/veya harmanlanır veya kaplanır. (örneğin; fosfor elementi ve/veya periyodik cetvelin aynı grubundaki diğer elementler ) ideal ölçülerde eklenir ve harmanlanır. Elde edilen bu karışım tekniğin bilinen her türlü iplik üretim düzenek ve cihazları ile bir veya birden fazla ideal kalınlıkta veya nano ölçülerde yuvarlak veya trilobal –üçgen kesit-filamentlerin bir araya gelmesi ile emsal iplik cinslerinin numaralandırıldığı en düşük denyeden ve/veya nano ölçekli numaralardan başlamak üzere en yüksek denyeye kadar iplik üretilir. Bu ipliğin teknik adının (N-Tipi iplik) veya (Kristalize 5.Grup Silikon iplik)veya (5.Grup cam iplik) olarak adlandırılarak büküm ve dokuma ameliyesinden önce 5.grup element veya elementlerin eriyik veya sıvı halinde olan saf veya karışımlarından ideal derecelerde ısıl işlemlerden veya kaplama işleminden geçirilerek bobin yada çile haline getirilir. Bobin ve çile yapılan iplik büküm veya 5.grup elementlerden veya bunların takviyesi ile hazırlanan eriyik veya sıvı tamamlayıcı ile haşıl işlemi ve leventlere sarılma sonrasında dokumaya hazırdır. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve bilgilerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

8. C- BULUŞ , (P-TİPİ ) VE (N-TİPİ ) İPLİKLERİN BAKIR VE/VEYA DİĞER İLETKEN METAL İPLİKLER VE/VEYA DİĞER İLETKEN ELEMENTLERDEN İPLİKLERİN (S) VEYA (Z) YÖNÜNDE BÜKÜLEREK VEYA BÜKÜLMEDEN HAM HALDE VE/VEYA HAŞIL İŞLEMİ İLE DOKUMAYA HAZIR DURUMA GETİRİLMESİ İLE İLGİLİDİR. 1)İpliklerin birbirleri ile bükülerek dokunması işlemi ; Üretilen (P-Tipi) ve (N-Tipi) 3. ve 5.Grup ipliklerin numaralandırıldığı nano ölçülerden başlamak üzere en yüksek kalınlığa kadar tekniğin bilinen iplik üretim cihazlarında çekilen iplikler ile tekniğin bilinen cihazlarında çekilen bakır ve/veya diğer iletken metal iplikler ve/veya diğer iletken elementlerden iplikler tekniğin bilinen iplik büküm makinelerinde birlikte (S) ve/veya (Z) yönünde dokumada kabarma yapmayacak devirde bükülerek dokuma tezgahlarında dokunmak üzere denyelerine göre tespit edilen tarak numarası ve kumaş eni ile çözgü sıklığına göre hesaplanan çözgü tel adedinde levent veya leventlere sarılır. Levent veya leventlere sarılan çözülmüş iplikler dokuma makinesi taraklarına desene göre dokuma raporu ile taharlanarak dokuma makinelerine yerleştirilerek dokuma ameliyesine atkı ipliklerinin mekikler veya havalı tezgahlarda dokuma raporuna uygun hesaplanan tel sıklığına göre fotovoltaik kumaş dokuması yapılır. Fotovoltaik kumaş hücrelerinin oluşturduğu enleme kumaşlar birbirlerine bakır veya iletken metal tellerle seri yada paralel bağlanarak akülere veya dağıtım şebekesine elektrik enerjisi iletilmesi sağlanır. 2)İpliklerin ham olarak örülmesi işlemi; İpliklerin numaralandırıldığı nano ölçüden başlamak üzere Üretilen (P-Tipi) ve (N-Tipi ) Periyodik cetvelin 3.ve 5.grup en yüksek kalınlığa kadar tekniğin bilinen iplik üretim cihazlarında üretilen iplikler, her türlü iplikten örgü yapan örme makinelerinde veya etiket makinelerinde fotovoltaik panel oluşturacak ölçülerde ve paneller arasında yalıtkan ipliklerle birlikte örülür. Panel oluşturulacak şekilde örülen kumaşlar üzerine bakır iplik veya iletken metal ipliklerle dikiş halinde şeritler geçirilerek bu metal ipliklerle fotovoltaik kumaş panelleri seri yada paralel bağlayarak akülere veya dağıtım şebekesine doğrudan elektrik enerjisi iletilmesi sağlanır. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve bilgilerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

9. 3) İpliklerin ayrı ayrı leventlere sarılarak ve taharlanarak dokunması işlemi ; Üretilen (P-Tipi) ve (N-Tipi) iplikler ile bakır veya iletken metal iplikler ve iletken olmayan dokumaya matuf iplikler dokuma tezgahlarında dokunmak üzere denyelerine göre tespit edilen tarak numarası ve kumaş eni ile çözgü sıklığına göre hesaplanan çözgü tel adedinde levent veya her iplik tipi ayrı leventlere sarılır. Levent veya ayrı ayrı leventlere sarılan çözülmüş iplikler tekniğin bilinen haşıl işlemi yapan makinelerinde (P) ve (N) tipi ipliklerin karışımları ile terbiye edildikleri 3. ve 5.grup periyodik cetvellerde yazılı kimyasal katkı maddeleri ile ve/veya bu kimyasal maddelerle uyum sağlayan diğer kimyasal katkı maddeleri ile haşıl muamelesine tabi tutularak tespit edilen taraklara kumaş eni ve çözgü sıklığına göre Bakır iplik ve diğer iletken metal iplikler ile iletken olmayan dokumaya matuf ipliklerin birlikte sarıldığı leventle birlikte taharlanmak üzere her bir levent dokuma makinesine yerleştirilir . Ayrıca tespit edilen tarak numarasına ve kumaş enine göre sıralanacak çözgü sayısına göre bakır ve/veya diğer iletken metal veya diğer iletken elementten mamul iplikler ve kumaşın fotovoltaik panellerini şekil:1 oluşturan gösterilen kenarı için tespit edilen başkaca bir levente veya duruma göre leventlere sarılarak aynı tarak üzerinde (P) ve (N) Tipi ipliklerin sarılı olduğu leventle birlikte taharlanarak dokumaya hazır duruma getirilir. (P)ve (N) tipi ipliklerin haşıl işleminden sonra dokuma öncesi makul bir süre dinlendirilip kurumaya bırakılarak 3.ve 5.grup periyodik cetvelde yer alan haşıl katkı maddelerinin birbirleri ve iletken bakır iplik veya diğer metal ipliklerle temas etmemesi sağlanır. Dokuma raporuna göre fotovoltaik panel oluşturacak şekilde atkı sıklığına göre (P) Tipi (N) Tipi ipliklerle bakır veya iletken metal iplikler ve iletken olmayan iplikler atkı ipliği olarak atılır ve kumaşın dokuma işlemi tamamlanır. Fotovoltaik panellerin birbirleri ile bağlantısını sağlayan çözgü ve atkıda kullanılan bakır veya iletken metal ipliklerle paneller seri yada paralel bağlanarak akülere veya dağıtım şebekesine doğrudan elektrik enerjisi iletilmesi sağlanır. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve bilgilerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

10. D- BULUŞ, FOTOVOLTAİK KUMAŞ PANELLERİ İLE ARA YALITKAN VE KENAR İLETKEN METAL DOKUMA İŞLEMİNİN RAPORLANMASI İLE İLGİLİDİR. • Dokuma ameliyesinde leventlere sarılı çözgü ipliklerinin tahar raporu sıralaması aşağıdaki düzende olacaktır; • 1)Fotovoltaik Kumaş panellerinin şekil:1çözgü taharının raporlanmasında panelleri oluşturan (P) ve (N)tipi ipliklerin sıralaması iki farklı düzende yapılmaktadır. • (P) ve (N) tipi ipliklerin ve iletken metal ipliklerin birlikte veya iletken ipliklerle (S)ve (Z) yönünde büküm işlemine tabi tutulması ile (P) ve (N)tipi ipliklerle yapılan fotovoltaik panel kumaşların dokunmasında çözgü ipliklerinin 3 ayrı iplikten bükülmüş olması sebebiyle seçilecek tarak numarasının dokuma randımanını düşürmemesi ve teller arasındaki temas ve sıklığı azami ölçüde sağlaması gerekmektedir. Dokuma sırasında atkı sayısının teller arasındaki sıkılığı da azami ölçüde sağlaması ve teller arasında hemen hiç boşluk bırakılmaması güneş ışığının veya doğal ve yapay ışığın paneller üzerine değmesi ile fotovoltaik paneller içinde oluşacak holde elektron geçişlerini yüksek ölçüde sağlayacak ve elektronların (+) ve (-) kutuplara rahat ve kolay ulaşmasını sağlayarak yüksek verimli elektrik üretilmesidir. • (P)ve (N) tipi ipliklerin birlikte veya ayrı ayrı haşıl işlemine tabi tutularak tek veya ayrı ayrı leventlere sarılarak başkaca levente sarılı iletken metal ipliklerin aynı tarakta taharlanarak çözgü haline getirilmesi ile üç ayrı mekikle (P) , (N) ve Metal ipliklerin dokuma raporundaki atkı sayılarına göre tespit edilecek desen raporuyla fotovoltaik panellerin oluşturularak dokunması ile iplik teller arasında azami sıklığın sağlanması suretiyle güneş ışığının veya doğal ve yapay ışığın fotovoltaik paneller üzerine düşürülerek fotovoltaik panellerde oluşacak holde elektron geçişlerini iletken metal iplikler vasıtasıyla (5) (+) ve (-) kutuplara rahat ve kolay ulaşmasını sağlayarak verimli elektrik üretilmesidir. • 2)İdeal genişlikte tespit edilen dokuma raporunun kumaş kenarını oluşturan kenar çözgü • telleri , atkı ve çözgü ipliklerinin kalınlığına göre hesaplanan ve nano ölçüden başlamak üzere en yüksek numaraya kadar bakır ve/ veya diğer iletken metal ipliklerle bu ipliklerin kalınlıklarına uygun veya eşdeğerde iletken olmayan yalıtkan polyester iplik veya diğer emsal iplik türevleri ile sıralı olarak taharlanır. Bu taharlanma işlemi kumaşın her iki kenarına aynı sıralama ile uygulanır. Sıralamada , kumaş kenarının en dışında bakır ve/ veya diğer iletken metal iplikler taharlanır.Bu iletken ipliklerin kalınlıkları ve çözgü sıralamasındaki tel sayısı fotovoltaik kumaş panellerinin ürettiği elektrik enerjisini taşıyacak dirençte hesaplanacaktır. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve bilgilerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

11. FOTOVOLTAİK KUMAŞ PANEL ŞEMASI (-) - - - - - bor ile katkılanmış silisyum esaslı iplikten gelen akım (-)- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + Fosfor ile katkılanmış silisyum esaslı iplikten gelen akım (+) + + + + + + + + + + Fosfor ile katkılanmış silisyum esaslı iplikten gelen akım (+) + + + + + - - bor ile katkılanmış silisyum esaslı iplikten gelen akım (-) - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- Bu bakır ve/ veya diğer iletken metal ipliklerin , örneğin ; 1.52 kumaş eni olan (1) ve 100 cm uzunluğunda 34 x 24 cm veya ideal ölçülerinde , çözgü boyunda aralarında 2’şer cm’lik veya ideal ölçülerde yalıtkan iplik dokuma (2) ile atkı boyunda da 2’şer santimlik veya ideal ölçülerde yalıtkan iplik dokuma (3) ile birbirlerine iletken olarak temas etmeyen 9 adet fotovoltaik hücreyi (1) barındıran ve iki ayrı kenarları 5cm olup kenar dokuması yalıtkan ve bakır ipliklerle dokunan (6) 100 metre veya ideal uzunluğunda bir kumaş topundan ibaret fotovoltaik kumaş panellerinin uygun güneşli ortamda takriben 15000 -20000Watt(1,5-2 kW/h) civarında ürettiği elektrik enerjisini taşıyacak mukavemette bakır veya diğer iletken iplikler grubu olması gerekmektedir.Kumaşın geniş enli dokuma tezgahlarında dokunması ve kumaş çözgü tel sayısının artırılması halinde fotovoltaik kumaş hücrelerinin ölçüleri veya adetleri artacağından kenar iletken metal ipliklerin mukavemetinin artırılması için metal tellerin denye numaralarının yükseltilmesi yani filamentlerin sayılarının artırılması veya filamentlerin kalınlaştırılması veya dokuma sırasında sorun yaratmayacak sayıda çözgü tel adetlerinin artırılması gerekmektedir. 3)Kumaşın fotovoltaik kısmını oluşturan güneş panellerinin dokuması ise 34 cm ve/veya diğer başka ideal genişlikte (P) tipi ve (N) tipi ipliklerle sıralı olarak taharlanır. 34 cm ve/veya diğer başka ideal ölçülerde taharlanan (1) no.lu resimde görülen fotovoltaik kumaş panelleri arasında tamamı iletken olmayan yalıtkan polyester ve diğer tipte ipliklerle (P) ve (N) tipi ipliklerle örülen fotovoltaik kumaş panellerinin birbirleri ile temas etmeyeceklerini sağlayan genişlikte tahar yapılır. Tahar işlemi 34 cm ve/veya diğer başka ideal genişlikte fotovoltaik kumaş panellerinin 1.maddede tarif edilen dış kenarına ulaşıncaya kadar tahar işlemi tekrarlanır. Tahar işlemi tamamlanan leventler kumaş dokunmak üzere dokuma tezgahına yerleştirilir. (-) İşbu slayt içinde yer alan yazı ve resimlerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

12. 4) Fotovoltaik kumaş panelleri ve bu panelleri oluşturan fotovoltaik hücrelerin tamamı veya bir kısmı nano ölçekten başlayıp ideal kalınlığa kadar silisyum hammaddesinden üretilen film kaplanarak (7) veya silisyum filminin üretiminde kullanılan kristalize veya monokristalize silisyum eriğiyi ile fotovoltaik kumaş hücrelerinin tamamının veya bir kısmının üzerleri sıvazlanarak veya silisyum esaslı silikonlarla yapıştırılarak veya fotovoltaik kumaş panelleri üzerinde hiçbir kaplama ve film yapıştırma işlemi yapmadan ham kumaş üzerine doğrudan güneş ışığının veya doğal ve yapay ışığın üretilen fotovoltaik kumaş hücreleri üzerine düşürülerek fotovoltaik kumaş panellerinde oluşacak holde elektron geçişlerini bakır veya iletken metal iplikler vasıtasıyla (5) , (+)ve (-) kutuplara rahat ve kolay ulaşmasını sağlayarak elektrik üreten ve akülere veya dağıtım şebekesine doğrudan elektrik enerjisi iletilmesini sağlayan buluştur. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve resimlerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

13. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve tabloların her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

14. Buluşun Sanayiye Uygulanma Biçimi Yukarıda bahsedilen amaçlara hizmet eden , çevreye ve doğaya saygılı yenilenebilir enerji olan elektriği üreten buluş olan dokuma kumaş ve örgü kumaş ve bu kumaşın dokunması ve örülmesinde kullanılan buluş olan (P-Tipi iplik) ve (N-Tipi iplik) hammaddeleri Sanayinin başta Tekstil ve Enerji sektöründe ve/veya sanayinin herhangi bir dalında üretilebilir ve her alanda kullanılabilir olup, sanayiye uygulanabilir yapıdadır. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve resimlerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

15. Başvuru No: 2012 / 09041 • İSTEMLER • Buluş, iplik üretim yöntemi olup özelliği ; A ve B kısımlarına sahip olmasıdır. • 2)İstem 1’deki buluşa ait A olup özelliği ; Yarı iletken monokristalize veya kristalize saf silisyum veya silikon elementi ve/veya monokristalize veya kristalize haldeki cam hammaddesi olmak üzere yarı iletken elementlerden güneş pili elde etmek için, periyodik cetvelin 3.grubundan (Bor, alüminyum, galyum, indiyum, talyum, ununtriyum, holmiyum, aynştaynyum) saf veya bileşik kimyasal katkı elementleri veya karışımı ile saf monokristalize ve kristalize silikon eriği veya monokristalize ve kristalize cam elyafı veya yünü ideal ölçülerde harmonize edilerek devamlı elyaf veya kesik elyaf tipinde veya diğer iplik tiplerinde işleme tabi tutulmasıdır. • 3) İstem 1’deki buluşa ait B olup özelliği ; Normal veya Kristalize saf silisyum veya saf silikon elyafı veya kristalize cam elyafı P-Tipi Silikon ve/veya cam elyafından iplik haline geldikten sonra veya henüz iplik elyafı halinde iken , periyodik cetvelin 3. grubundan olan elementlerden biri veya bir kısmının veya tümünün eriyik veya katı veya diğer başka durumlardaki karışımı ile terbiye edilir ve/veya harmanlanır veya kaplanır. (örneğin; Bor elementi ve/veya periyodik cetvelin aynı grubundaki diğer elementlerle ideal ölçülerde terbiye edilir veya harmanlanır) . (P-Tipi) ipliğin hammaddesini oluşturan karışımla tekniğin bilinen her türlü iplik üretim düzenek ve cihazları ile bir veya birden fazla ideal kalınlıkta veya nano ölçülerde yuvarlak veya trilobal –üçgen kesit-filamentlerin bir araya gelmesi ile üretilen ipliğin teknik adının (P-Tipi) iplik veya (Kristalize 3.Grup Silikon iplik)veya (3.Grup cam iplik) olarak adlandırılarak emsal iplik cinslerinin numaralandırıldığı en düşük denyeden ve/veya nano ölçekli numaralardan başlamak üzere en yüksek denyeye kadar fotovoltaik esaslı ipliği içermesidir. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve resimlerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

16. 4)Buluş, iplik üretim yöntemi olup özelliği ; C ve D kısımlarına sahip olmasıdır. 5) İstem 4’deki buluşa ait C olup özelliği ; Yarı iletken monokristalize veya kristalize hale getirilen saf silisyum veya silikon elementi ve/veya monokristalize veya kristalize haldeki cam hammaddesi olmak üzere yarı iletken elementlerden güneş pili elde etmek için , periyodik cetvelin 5.grubundan (Azot,fosfor,arsenik,antimon,bizmut,ununpentiyum) saf veya bileşik kimyasal katkı elementleri veya karışımı ile saf monokristalize ve kristalize silikon eriğiyi veya monokristalize ve kristalize cam elyafı veya yünü ideal ölçülerde harmonize edilerek , devamlı elyaf veya kesik elyaf tipinde veya diğer iplik tiplerinde iplik üretimi için işleme tabi tutulmasıdır. 6) İstem 4’deki buluşa ait D olup özelliği; Normal veya Kristalize saf silisyum veya saf silikon elyafı veya kristalize cam elyafı N-Tipi Silikon ve/veya cam elyafından iplik haline geldikten sonra veya henüz iplik elyafı halinde iken , periyodik cetvelin 5. grubundan olan elementlerden biri veya bir kısmının veya tümünün eriyik veya katı veya diğer başka durumlardaki karışımı ile terbiye edilir ve/veya harmanlanır veya kaplanır. (örneğin; Fosfor elementi ve/veya periyodik cetvelin aynı grubundaki diğer elementlerle ideal ölçülerde terbiye edilir veya harmanlanır) . Buluş olarak elde edilen (N-Tipi) ipliğin hammaddesini oluşturan karışımla tekniğin bilinen her türlü iplik üretim düzenek ve cihazları ile bir veya birden fazla ideal kalınlıkta veya nano ölçülerde yuvarlak veya trilobal –üçgen kesit-filamentlerin bir araya gelmesi ile üretilen bu ipliğin teknik adının (N-Tipi) iplik veya (Kristalize 5.Grup Silikon iplik)veya (5.Grup cam iplik) olarak adlandırılarak emsal iplik cinslerinin numaralandırıldığı en düşük denyeden ve/veya nano ölçekli numaralardan başlamak üzere en yüksek denyeye kadar fotovoltaik esaslı ipliği içermesidir. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve resimlerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

17. 7)Buluş, kumaş üretim yöntemi olup özelliği ; E,F,G,H, I kısımlarına sahip olmasıdır. 8) İstem 7’deki buluşa ait E olup özelliği ; İstem 1, A ve B kısımlarındaki (P-TİPİ) ve istem 4, C ve D kısımlarındaki (N-TİPİ) üretilen ipliklerin ve ayrıca tekniğin bilinen Bakır ve/veya diğer iletken elementlerden ipliklerle , (S) veya (Z) yönünde bükülerek ve/veya bükülmeden ham halde ve/veya yapılacak haşıl işlemi ile levent veya leventlere buluş kapsamındaki dokuma raporuna uygun çözülerek dokumaya hazır duruma getirilmesidir. 9) İstem 7’deki buluşa ait F olup özelliği ; E’deki işlemle , İstem 1, A ve B kısımlarındaki (P-TİPİ) ve istem 4, C ve D kısımlarındaki (N-TİPİ) üretilen ipliklerin Bakır ve/veya diğer iletken metal iplikler ve/veya diğer iletken ipliklerle (S) veya(Z) yönünde bükülerek ve/veya bükülmeden dokumaya hazır duruma gelmesi ile hazırlanan dokuma raporu ile bu ipliklerin denyelerine göre tespit edilen tarak numarası ve kumaş eni ile çözgü sıklığına göre hesaplanan çözgü tel adedinde çözülmüş ipliklerin levent veya leventlere sarılarak dokuma makinesi taraklarına desene göre taharlanmasıdır. 10) İstem 7’deki buluşa ait G olup özelliği ; E ve F’ deki işlem adımlarına göre hazırlanan dokuma raporu ile taharlanarak dokuma makinelerine yerleştirilerek dokuma ameliyesine sokulan çözgü ipliklerine , İstem 1, A ve B kısımlarındaki (P-Tipi) ve ve istem 4, C ve D kısımlarındaki (N-Tipi)iplikler ile Bakır veya diğer iletken iplikler ve yalıtkan atkı ipliklerinin tekniğin bilinen dokuma tezgahlarında mekikli veya havalı veya diğer şekillerde çalışan tezgahlarda dokuma raporuna uygun hesaplanan tel sıklığına göre fotovoltaik kumaş panel dokuması yapılarak bu kumaş içinde fotovoltaik panel deseni şeklinde görülen (P-Tipi) ve (N-Tipi) iplikler ve bakır ve/veya metal ipliklerle dokunan Fotovoltaik kumaş panellerinin (1) birbirlerine iletken ipliklerle seri bağlantısından (4) ve fotovoltaik kumaş panelleri arasında elektronların geçişini engelleyici yalıtkan ipliklerden atkı (2) ve çözgü (3) dokumasıyla oluşan enleme kumaşlar birbirlerine bakır veya iletken metal tellerle (6) seri yada paralel bağlanarak fotovoltaik kumaş panelleri üzerine güneş ışığı veya doğal ve yapay ışık düşürülerek fotovoltaik kumaş hücrelerinde üretilen elektriğin kumaş kenarından çözgü yönünde taharlanan bakır veya iletken ipliklerinin oluşturduğu akım telleri (5) ile akülere veya dağıtım şebekesine iletilmesinin sağlanmasıdır. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve resimlerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

18. İstem 7’deki buluşa ait H olup özelliği ; ipliklerin numaralandırıldığı nano ölçüden başlamak üzere , İstem 1, A ve B kısımlarındaki (P-Tipi) ve istem 4, C ve D kısımlarındaki (N-Tipi ) en yüksek kalınlığa kadar üretilen iplikler, her türlü iplikten örgü yapan örme makinelerinde veya etiket makinelerinde fotovoltaik hücre oluşturacak ideal ölçülerde ve fotovoltaik paneller arasında hücrelerin birbirleri ile temasını engelleyen yalıtkan ipliklerle ve/veya fotovoltaik hücrelerin seri veya paralel birbirine temasını sağlayan bakır veya iletken ipliklerle birlikte örülür. Fotovoltaik Panel oluşturulacak şekilde örülen kumaşlar üzerine bakır iplik veya iletken metal ipliklerle dikiş ve/veya örgü kumaşa örme şeklinde montaj halinde şeritler geçirilerek bu metal ipliklerle fotovoltaik kumaş hücrelerini seri ya da paralel bağlayarak fotovoltaik kumaş panelleri üzerine güneş ışığı veya doğal ve yapay ışık düşürülerek üretilen elektrik enerjisinin bakır veya iletken ipliklerin oluşturduğu akım telleri ile akülere veya dağıtım şebekesine iletilmesinin sağlanmasıdır. • 12)İstem 7’deki buluşa ait I olup özelliği ;Fotovoltaik kumaş panelleri ve bu panelleri oluşturan fotovoltaik hücrelerin tamamı veya bir kısmı nano ölçekten başlayıp ideal kalınlığa kadar silisyum hammaddesinden üretilen film kaplanarak (7) veya silisyum filminin üretiminde kullanılan kristalize veya monokristalize silisyum eriği ile fotovoltaik kumaş hücrelerinin tamamının veya bir kısmının üzerleri sıvazlanarak veya silisyum esaslı silikonlarla yapıştırılarak veya fotovoltaik kumaş panelleri üzerinde hiçbir kaplama ve film yapıştırma işlemi yapmadan ham kumaş üzerine doğrudan güneş ışığının veya doğal ve yapay ışığın üretilen fotovoltaik kumaş hücreleri üzerine düşürülerek fotovoltaik kumaş panellerinde oluşacak holde elektron geçişlerini bakır veya iletken metal iplikler vasıtasıyla (5) , (+)ve (-) kutuplara ulaşmasını sağlayarak üretilen elektriği akülere veya dağıtım şebekesine iletilmesinin sağlanmasıdır. İşbu slayt içinde yer alan yazı ve resimlerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

19. 5 cm 34 cm 2 cm 34 cm 2 cm 34 cm 2 cm 34 cm 5 cm (1) (3) 24 cm 24 cm 24 cm (5) _ + Başvuru No: 2012 / 09041 Şekil :1 İşbu slayt içinde yer alan yazı ve resimlerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

20. 5 cm 34 cm 2 cm 34 cm 2 cm 34 cm 2 cm 34 cm 5 cm (1) (3) 24 cm 24 cm 24 cm (5) - + (7) İşbu slayt içinde yer alan yazı ve resimlerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.

21. 3 (5) + - Şekil 1-Patent Çizimi 6 2 4 1 7 İşbu slayt içinde yer alan yazı ve resimlerin her hakkı mahfuz olup patent korumasındadır.İzinsiz kullanılamaz,basılamaz,yayınlanamaz ve dağıtılamaz.