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第一章 常用半导体器件. 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和可控硅 1.6 集成电路中的元件. 返回. 1.1 半导体基础知识. 图 1.1.1 本征半导体结构示意图 图 1.1.2 本征半导体中的自由电子和空穴 图 1.1.3 N 型半导体 图 1.1.4 P 型半导体 图 1.1.5 PN 结的形成 图 1.1.6 PN 结加正向电压时导通 图 1.1.7 PN 结加反向电压时截止 图 1.1.8 PN 结平衡时载流子的分布
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第一章 常用半导体器件 • 1.1 半导体基础知识 • 1.2 半导体二极管 • 1.3 双极型晶体管 • 1.4 场效应管 • 1.5 单结晶体管和可控硅 • 1.6 集成电路中的元件 返回
1.1 半导体基础知识 • 图1.1.1 本征半导体结构示意图 • 图1.1.2 本征半导体中的自由电子和空穴 • 图1.1.3 N型半导体 • 图1.1.4 P 型半导体 • 图1.1.5 PN结的形成 • 图1.1.6 PN结加正向电压时导通 • 图1.1.7 PN结加反向电压时截止 • 图1.1.8 PN结平衡时载流子的分布 • 图1.1.9 外加正向电压时PN结载流子的分布 • 图1.1.10 PN结的伏安特性 • 图1.1.11 PN结的势势垒电容 • 图1.1.12 P区少子浓度分布曲线 返回
图1.1.3 N型半导体 返回
图1.1.4 P型半导体 返回
1.2 半导体二极管 • 图1.2.1 二极管的几种外形 • 图1.2.2 二极管的几种常见结构 • 图1.2.3 二极管的伏安特性 • 图1.2.4 由伏安特性折线化得到的等效电路 • 图1.2.5 二极管加正向电压的情况 • 图1.2.6 例1.2.1 电路图 • 图1.2.7 二极管的微变等效电路图 • 图1.2.8 直流电压源和交流电压源同时作用的二极管电路 • 图1.2.9 图1.2.8 所示电路的波形分析 • 图1.2.10 稳压管的伏安特性和等效电路 • 图1.2.11 稳压管稳压电路 • 图1.2.12 发光二极管 • 图1.2.13 光电二极管的外形和符号 • 图1.2.14 光电二极管的伏安特性 • 图1.2.15 例图1.2.3 电路图 返回
图1.2.8 直流电压源和交流电压源 同时作用的二极管电路 返回
1.3 双极型晶体管 • 图1.3.1 晶体管的几种常见外形 • 图1.3.2 晶体管的结构和符号 • 图1.3.3 基本共射放大电路 • 图1.3.4 晶体管内部载流子运动与外部电流 • 图1.3.5 晶体管的输入特性曲线 • 图1.3.6 晶体管的输出特性曲线 • 图1.3.7 晶体管的极限参数 • 图1.3.8 温度对晶体管输入特性的影响 • 图1.3.9 温度对晶体管输出特性的影响 • 图1.3.10 光电三极管的等效电路、符号和外形 • 图1.3.11 光电三极管的输出特性曲线 返回
1.4 场效应管 • 图1.4.1 结型场效应管的结构和符号 • 图1.4.2 N沟道结型场效应管的结构示意图 • 图1.4.3 uDS＝0时uGS对导电沟道的控制作用 • 图1.4.4 UGS(off)< uGS <0且uDS >0的情况 • 图1.4.5 场效应管的输出特性 • 图1.4.6 场效应管的转移特性曲线 • 图1.4.7 N沟道增强型MOS管结构示意图及增强型MOS的符号 • 图1.4.8 uDS＝0时uGS对导电沟道的影响 • 图1.4.9 uGS为大于UGS(th)的某一值时 uDS对iD的影响 • 图1.4.10 N沟道增强型MOS管的特性曲线 • 图1.4.11 N沟道耗尽型MOS管结构示意图及符号 • 图1.4.12 N沟道增强型VMOS管的结构示意图 • 图1.4.13 场效应管的符号及特性 • 图1.4.14 例 1.4.1 输出特性曲线 • 图1.4.15 例 1.4.2 电路图 • 图1.4.16 例 1.4.3 电路图 返回
图1.4.7 N沟道增强型MOS管结构示意图 及增强型MOS的符号 返回
