1 / 8

ОАО «НИИМЭ»

Разработка монолитных интегральных схем приемного тракта на основе гетеропереходных транзисторов для диапазона частот 57-64 ГГЦ. ОАО «НИИМЭ». VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014. В.А. Дмитриев

angelica-farley
Download Presentation

ОАО «НИИМЭ»

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Разработка монолитных интегральных схем приемного тракта на основе гетеропереходных транзисторов для диапазона частот 57-64 ГГЦ ОАО «НИИМЭ» VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014 В.А. Дмитриев vdmitriev@mikron.ru Д.А. Копцев dkoptsev@mikron.ru

  2. Преимущества SiGeтехнологии • Достаточно высокое быстродействие • Приемлемый уровень шума • Низкое энергопотребление • Низкая стоимость микросхем • Область применения устройств 60 ГГц • Портативные электронные устройства • Системы «умного дома» • Автомобильные радары • VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

  3. Архитектура приемного тракта Супергетеродинная структура • Преимущества • Ультравысокая скорость передачи данных • Хорошая помехозащищенность • Высокая чувствительность и селективность RF сигнал – 57-64 ГГц LO сигнал – 52-59 ГГц ПЧ сигнал – 5 ГГц (совместим со стандартом 802.11а) • VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

  4. Понижающий смеситель Структурная и электрическая схема понижающего смесителя • VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

  5. Понижающий смеситель Структура микросхемы понижающего смесителя Структура микрополоскового фильтра Топология смесителя Результаты • VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

  6. Малошумящий усилитель Электрическая схема 4-х каскадного МШУ Структура согласующих CPW линий Параметры МШУ • VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

  7. Результаты Параметры понижающего смесителя Параметры МШУ • VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

  8. Спасибо за внимание • VI Всероссийская научно-техническая конференция Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем, Москва, 2014

More Related