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Reverse Engineering. 版图反向提取. 版图反向提取实验. 一、实验形式及内容 二、 Smic .18 工艺介绍 三、基本元器件介绍 四、一些版图常识 五、上机操作步骤及工具使用介绍 六、实验报告及考试. 版图反向提取实验. 一、实验形式及内容 二、 Smic .18 工艺介绍 三、基本器件介绍 四、一些版图常识 五、上机操作步骤及工具使用介绍 六、实验报告及考试. 一 . 实验形式及内容. 实验分成两个组进行, 各提取 一个模拟电路版图 + 一个数字电路版图 A 组 (2629 --2890 )
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Reverse Engineering 版图反向提取
版图反向提取实验 一、实验形式及内容 二、Smic .18工艺介绍 三、基本元器件介绍 四、一些版图常识 五、上机操作步骤及工具使用介绍 六、实验报告及考试 浙大微电子
版图反向提取实验 一、实验形式及内容 二、Smic .18工艺介绍 三、基本器件介绍 四、一些版图常识 五、上机操作步骤及工具使用介绍 六、实验报告及考试 浙大微电子
一. 实验形式及内容 实验分成两个组进行, 各提取一个模拟电路版图 + 一个数字电路版图 A组 (2629--2890) 提取的版图为analog1和digital1 B组 (2891—5136,1555) 提取的版图为analog2和digital2 浙大微电子
Analog1外端口 浙大微电子
Digital1外端口 浙大微电子
Analog2外端口 浙大微电子
Digital2外端口 浙大微电子
从剖面图到俯视图 浙大微电子
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二. SMIC 0 .18工艺介绍 • 0.18um Mixed Signal 1P6M with MiM Salicide 1.8V/3.3V工艺 • 主要的工艺层次 • 构成器件的工艺层次 • 实现互连的工艺层次 浙大微电子
构成器件的工艺层次 • AA——有源区 • NW——N阱 • GT——多晶硅(1.8V) • DG——与GT重叠,代表厚栅氧的多晶硅(3.3V器件的栅氧要厚) • SN——S+注入 • SP——P+注入 • SAB——Salicide Block(阻止P+淀积,用于提高多晶硅阻值) PS:想知道更多其它图层含义,可以参见 Design Rule 文件 浙大微电子
实现互连的工艺层次 • CT——引线孔 • M1-M6——金属1至金属6 • V1-V5 ——通孔1至通孔5 • MIM ——“金属/绝缘层/金属” 电容 浙大微电子
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三.基本元器件介绍 • 多晶硅电阻—rppo,rnpo • P+ or N+ poly resistor with salicide (rppo小, rnpo 更小) • 多晶硅SAB电阻—rpposab,rnposab • P+ or N+ poly resistor without salicide (n大,p更大) • MIM 金属电容--mim • PNP 三极管--pnp33 • 3.3V PMOS管--p33 • 3.3V NMOS管--n33 • 1.8V PMOS管--p18 • 1.8V NMOS管--n18 浙大微电子
rpposab 浙大微电子
rpposab 浙大微电子
MiM电容 • M5 • M6 • MIM • V5 浙大微电子
p18 浙大微电子
p18 浙大微电子
n18 浙大微电子
p33 浙大微电子
p33 浙大微电子
n33 浙大微电子
pnp33 浙大微电子
pnp33 浙大微电子
版图反向提取实验 一、实验形式及内容 二、Smic .18工艺介绍 三、基本元器件介绍 四、一些版图常识 五、上机操作步骤及工具使用介绍 六、实验报告及考试 浙大微电子
一些版图常识 浙大微电子
一些版图常识 浙大微电子
一些版图常识 浙大微电子
关于模拟版图中的保护环 • 保护环一般是一条包围器件或电路的带状封闭环,它由N+或P+注入形成。 • 保护环可以减小衬底耦合从而降低电路的噪声,它常见于对噪声敏感的数模混合电路,如ADC和RF电路。 • 此次提取的版图,每个MOS管都加上了保护环,这是一种保守的做法,产业界的MOS管不一定是这样做的。一般是将一个模块包在一起。 浙大微电子
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五.上机操作步骤及工具使用介绍 • 工作站登录 • 数据准备 • 版图编辑软件 Virtuso • 电路原理图绘制软件 Composer 浙大微电子
工作站登录 • 在微电所网站“服务指南”下载putty和vncviewer软件 • 使用putty连接到工作站192.168.83.131,使用SSH协议 • 登录用户名:学号(比如123456789) putty密码:eda@zueda • 工作站上运行vncserver,并记住冒号后返回的端口号: • [lab@ZUEDA7 ~]$ vncserver –depth 24 • New 'ZUEDA7:7 (123456789)' desktop is ZUEDA7:7 • Starting applications specified in /home/xyz/.vnc/xstartup • Log file is /home/123456789/.vnc/ZUEDA7:7.log 浙大微电子
工作站登录(续) • 首次运行vncserver会要求输入一个远程桌面密码, 创建一个并记住该vnc密码至整个实验结束。 • 本地运行vncviewer,连接工作站地址和端口号:192.168.83.131:7,输入vnc密码。 • PS:putty和vncserver命令只需运行一次(除非服务器重启),一个同学只分配这一个端口号至整个实验结束,记住该端口号,下次直接运行vncviewer即可。 • 进入vnc界面后,按鼠标左键,选择Xterm后进入命令状态。 浙大微电子
数据准备 • 登录工作站后,将/tmp/layoutlab 目录下的版图文件copy至个人目录下:cp /tmp/layoutlab/*.* ./ • 设置环境并运行cadence软件 [123456789@ZUEDA7 ~]$ source /opt/demo/cds.env [123456789@ZUEDA7 ~]$ icfb & • 添加工艺库 • 在icfb的主窗口中选Tools-Library Path Editor, 进入Library Path Editor界面 • 选择Edit-Add Library,进入Add Library界面 • 选择(双击)/home/pdk/smic18mmrf_1P6M…,按OK键 • 自动返回Library Path Editor界面,选择File-Save As, 填写/home/123456789/cds.lib,按OK保存工艺库文件。 浙大微电子
Icfb 主窗口 浙大微电子
数据准备(续) • 创建设计库 • 在icfb的主窗口中选File – New – Library,在弹出的窗口中输入设计库名(自定义,比如填 lab),选Attach to an existing techfile,按ok键。 • 在弹出的窗口中,technology library选Smic18mmrf库,按ok按钮。 • 读入版图数据文件,生成对应单元的layout view • 在icfb的主窗口中选File–import-stream…, 在弹出的窗口的 input file一栏用browse…选择所要填入的gds文件(比如digital1或analog1等),在Library name一栏填 刚创建的设计库名lab,按ok按钮。 浙大微电子
版图编辑-Virtuso • 打开对应单元的layout view。 • 在icfb的主窗口中选File –open,在弹出的窗口中选刚创建的设计库lab以及刚生成的单元analog1,在view name 选择layout,按OK键。 • 在icfb的主窗口中选Tools-library manager,也可打开对应单元的layout view。 • 根据版图识别出器件,然后根据连接关系画出电路图。 浙大微电子
Virtuso的使用 • 放大缩小可以使用左侧边栏的图标 或者快捷键: Ctrl+Z 视图放大两倍(也可点住鼠标右键拖动) Shift+Z 视图缩小两倍 • 选中某个对象(图层或者器件),按q可查看详细信息 • 演示 浙大微电子
analog1 浙大微电子
analog2 浙大微电子
digital1 浙大微电子