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電子電路與實習. Chapter 4 二極體特性與應用. 四技一年級下學期 授課教師:任才俊. I. V. V ON. . V. I. 圖 3.3. 圖 3.4. 二極體元件特性. 二極體由半導體製成,特性近似左下圖,是一顆很好的穩壓元件。右下圖是其電路符號,「+」端為陽極,「-」端為陰極,箭頭顯示其方向性,也是電流主要流動的方向。. 在二極體的陽極和陰極間加上一個電壓,其 V-I 關係為: I S :逆向飽和電流 (Reverse saturation current) ,由二極體實際結構決定的定值
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電子電路與實習 Chapter 4二極體特性與應用 四技一年級下學期 授課教師:任才俊
I V VON V I 圖3.3 圖3.4 二極體元件特性 • 二極體由半導體製成,特性近似左下圖,是一顆很好的穩壓元件。右下圖是其電路符號,「+」端為陽極,「-」端為陰極,箭頭顯示其方向性,也是電流主要流動的方向。
在二極體的陽極和陰極間加上一個電壓,其V-I關係為: • IS:逆向飽和電流(Reverse saturation current),由二極體實際結構決定的定值 • n :介於1和2之間的常數,矽材n = 1 • VT:thermal voltage,在常溫下VT25mV V>0 表示陽極電位高於陰極,為順向偏壓(Forward bias);V<0 表示陰極電位高於陽極,為逆向偏壓(Reverse bias),
順向偏壓 V>0 時,電流由陽極流向陰極,其中大約分為兩個狀態 • 一. V<0.5V:電流幾乎等於0;因為IS數值很小,約在1010~1018 A的數量級。 • 二. V>0.5V:電流隨電壓變動而快速上升;因為I-V特性成指數關係,且VT很小。 • 區分兩種狀態的電壓稱為切入電壓 Vcut-in (Cut-in voltage),約等於0.5V。
I V Vcut-in 圖3.5 • 典型的二極體V-I關係曲線見下圖 • Vcut-in:切入電壓(cut-in voltage) • 分析、設計電路時,估算(estimate)電壓電流的能力,遠比利用KCL配合元件特性解方程式,或電腦軟體模擬得到精確值, 還重要。
觀察二極體的V-I特性曲線,V = Vcut-in(0.5V)開始導通,之後電流隨電壓增加快速上升,大約V = 0.8V時瀕臨極限。 • 一般合理的電路設計都不會讓V超過0.8V • 正常情況下,二極體的導通電壓(VD(on))約介於0.6V至0.8V之間,一般假定VD(on) = 0.7V,也就是,若判斷二極體導通,端電壓 = VD(on) = 0.7V 。
逆向偏壓 V<0 時,二極體處於截止(cutoff)狀態,電流為零;V-I關係式與順向偏壓相同,只是V為負值。 • IS 非常小,所以逆向偏壓通常假定 I=0 • I為負值表示電流由陰極流向陽極
I Vreaks V Vcut-in 圖3.7 • 二極體逆向偏壓時的I-V特性曲線,見下圖 • Vbreak :逆向崩潰電壓(Reverse breakdown voltage) • 逆向偏壓大於二極體的逆向崩潰電壓(Vbreak)時,將進入崩潰狀態而產生大電流。若無特別電路保護,很可能因為過熱而燒燬。 • 一般而言Vbreak約數十伏特, 可忽略不考慮。
二極體是具方向性的元件 (忽略反向崩潰效應) :截止狀態,近似絕緣體 :導通狀態,近似金屬導體
VCC I1 1K R1 I2 V2 圖3.8 例 1. • 在右圖中,若(1) VCC = 5V,(2) VCC = 0.2V,請分別求二極體上的電流及電壓。(假設Vcut-in = 0.5V,VD(on)= 0.7V)
5V I1 1K R1 I3 I2 R3 V2 圖3.9 例 2. • 在右圖中,若(1) R3 = 2K,(2) R3 =0.1K,請分別求二極體上的電流及電壓(Vcut-in =0.5V、VD(on) = 0.7V)
12V R1 Vref D1 D2 D3 圖3.10 • 利用二極體作為穩壓元件製作的穩壓電路所受的限制:所要的電壓必須是VD(on)的整數倍(0.7V,1.4V,2.1V,…) 。 • 例如需要參考電壓Vref = 2V時,只能用三顆二極體串聯得到最接近的2.1V,如右圖。 • 稽納二極體無此限制,所以實用電路中通常採用稽納二極體,很少用一般二極體串接來穩壓。
VCC12V R1 Io Vref D1 圖3.11 (重複) D2 Rin D3 例 3. • 在右圖的電路中,若外接電路的電流並非定值,因環境變動其大小由0.2 mA至1mA皆有可能。請設計R1使得在任何情況下,皆保證二極體處於導通狀態且ID至少0.5mA以上。
二極體穩壓電路設計的注意事項: • 保證二極體處於導通狀態 • 二極體應有合理的導通電流 • 好的電路設計包含兩個部分: • 良好的電路結構。 • 適當的元件值。
0.7V R s(t) Vo I 圖4.3 截波電路 • 截波電路:去除過高或過低的電壓信號,保護電路不因為太高或太低的電壓,造成電路工作不正常。利用二極體限幅,是積體電路(Integrated Circuit, IC)設計中常用來保護電路的方法。 • 右圖即為截波電路 • 輸入信號 • 假定外加電壓小於0.7V:截止狀態 • 外加電壓高於0.7V:導通且維持 導通電壓VD(on) = 0.7V
0.7V R s(t) Vo I 圖4.4 • 下圖: • s(t) > -0.7V:截止狀態, • s(t) <= -0.7V:導通狀態, →限制Vo不小於0.7V
並聯截波 逆偏:Diode off 順偏:Diode on
並聯截波 逆偏:Diode off 順偏:Diode on
串聯截波 逆偏:Diode off 順偏:Diode on
串聯截波 逆偏:Diode off 順偏:Diode on
串聯截波 逆偏:Diode off 順偏:Diode on
串聯截波 逆偏:Diode off 順偏:Diode on
圖4.5 R s(t) Vo I D1 D2 雙截波電路 • 下圖: • s(t) > 0.7V:D1導通、D2截止, • s(t) < -0.7V:D2導通、D1截止, • -0.7V < s(t) < 0.7V:D1/D2皆截止,Vo = s(t) →限制Vo在0.7V及0.7V之間
R s(t) Vo I D1 D2 Va Vb 圖4.6 • 下圖: • s(t) > Va + 0.7V;D1導通、D2截止, • s(t) < (Vb+0.7V) :D2導通、D1截止, • (Vb+0.7V) < s(t) < (Va+0.7V) :D1/D2皆截止, Vo =s(t) →限制Vo在(Vb + 0.7V)及(Va + 0.7V)之間
4.3V s(t) Vo I R 圖4.7 整流電路 • 半波整流電路(half-wave rectifier) 見下圖,s(t) < 0.7V:截止狀態,電流為零s(t) >= 0.7V:導通並維持其端電壓為0.7V →限制Vo不小於0.7V。 • 利用二極體的方向性整流,將小於0.7V的部分截掉,僅讓大於0.7V以上的信號通過,其最高電壓為4.3V。
圖4.12 電壓轉換單元 外接電路 穩壓單元 AC→DC轉換單元 110V/60Hz 實用電源電路 • 將110V/60Hz交流電,轉變為直流電源的實用轉換電路,主要由三個電路單元所組成 • 電壓轉換單元 • 交流對直流轉換單元 • 穩壓單元
圖4.13 R1 R2 電壓轉換單元 • 通常作交流對直流轉換前需先降壓 ,因為110V/60Hz交流電源的 ,但實際的直流電壓通常遠低於156V。 • 利用電阻分壓是最簡單的降壓電路,如下圖,缺點是電阻會消耗功率,因而不實用。
N1 : N2 V1 V2 圖4.14 • 變壓器(Transformer)(下圖),是實用的降壓裝置;其輸出及輸入的交流電壓比,由線圈比所決定,與電流無關 • 變壓器輸入端:一次測(Primary terminal) • 變壓器輸出端:二次測(Second ary terminal)。 • 輸入/輸出電壓關係為: • N1與N2 :一次測及一次測的線圈數
圖4.16 1 12V 3 110V/60Hz 0V 2 12V • 變壓器理論上不消耗任何功率,但實際上會有部分功率損失造成變壓器發熱,所以變壓器有最大限制電流,避免過熱而燒燬。 • 中間抽頭式變壓器(center-tapped transformer)的二次測中心接地後:由端點1,3及端點2,3,可得兩個12V、振幅相同但反相的弦波信號由端點1,2,可得一個振幅為24V的弦波信號。
圖4.17 110:12 C V2 Vo 110V/60Hz 交流對直流轉換單元 • 半波整流(half-wave rectifier) :只在輸入信號的正半週進行一次充電,右圖4.17為變壓器加上半波整流器,利用二極體及電容組成的交流對直流轉換電路轉成直流電壓。 • 整流器有負載時,輸出電壓會有漣波(Ripple)產生
經由數學推導,Vripple可簡化為: • 電容量愈大, Vripple愈小,即輸出電壓愈穩定。 上式隱含的物理意義為:電容電壓由儲存的電荷所決定,所以電荷減少將造成電壓改變 。(即漣波電壓)
圖4.19 D1 C R 110V/60Hz D2 • 全波整流(full-wave rectifier) :電容在一個弦波信號週期的正負半週皆能充電,比半波整流電路多一次充電機會,可降低漣波電壓 ;利用中間抽頭的變壓器及兩顆二極體組成,如下圖。 • 電阻R:外接電路的等效電阻
中間抽頭式的變壓器兩輸出端信號反相D1導通對電容充電時,D2於截止狀態;D2導通對電容充電時,D1於截止狀態。中間抽頭式的變壓器兩輸出端信號反相D1導通對電容充電時,D2於截止狀態;D2導通對電容充電時,D1於截止狀態。 • 在一個弦波信號週期內,電容有兩次充電機會,放電間隔為:漣波電壓為 是半波整流的一半。
圖4.20 Vo D2 D1 110V/60Hz V2 C R D4 D3 • 橋式整流電路(bridge rectifier) :利用兩端輸出的變壓器和四顆二極體所組成的全波整流電路,功能與全波整流電路完全相同
橋式整流電路的工作原理: :D1、D4導通對電容充電D2、D3處於截止狀態 :D2、D3導通對電容充電 D1、D4處於截止狀態 :四顆二極體皆於截止 狀態,電容經電阻放電。 • →一個週期內,電容充電兩次,故漣波電壓與全波整流電路相同
圖4.21 I'o Io 110 : 12 Vo = 12V 7812 負載 C 110V/60Hz 穩壓單元 • 為有效消除漣波,穩定輸出電壓,整流電路之後會加上一個穩壓電路,通常是一顆穩壓IC (ex. 7812 ) 或是一個複雜的穩壓電路 • 78xx系列是常用的穩壓IC,其最後兩位數即表示輸出電壓 • 下圖為包含變壓、整流、穩壓單元的實用電源電路
I VZ 圖3.12 稽納二極體 • 當二極體於崩潰狀態,端電壓幾乎不隨電流而改變,情形類似正向導通,可利用這個效應來作穩壓;只是Vbreak >> 0.7V • 稽納二極體(zener diode),電路符號如右圖 • VZ :稽納電壓(zener voltage),就是Vbreak。 • 實用上通常將稽納二極體反向偏壓,故習慣上其電壓電流的標示和一般二極體相反 。
I Vbreak V Vcut-in 圖3.7 • 稽納二極體的I-V特性曲線如下圖,正向偏壓特性與一般二極體相同,但反向崩潰電壓(Vbreak)遠低於一般二極體,故成為實用的穩壓元件。 • 以稽納二極體為穩壓元件的優點是可以簡化電路,提供穩定的參考電壓;不像以二極體時,需要的電壓較大就需要大量的二極體。
圖3.13 12V R1 Vref R3 VZ • 外加反向電壓 < VZ:稽納二極體處於截止狀態,電流為零外加反向電壓 > VZ:稽納二極體維持 VZ的壓降,電流則由電路決定。 例 4. • 右圖中假定VZ = 2V,R1 = 10K,若(1) R3 = 5K;(2) R3 = 1K,請分別計算稽納二極體上的電壓電流。
I Vz0 V 斜率 圖3.15 • 稽納二極體在崩潰區間V-I關係的特性。 • VZ0:瀕臨崩潰的臨界電壓 • Z是一個小電阻,數值通常很小,反映VZ 隨IZ 的變化。 • VZ隨IZ 的變化不大,在精確的穩壓電路設計中才需考慮。
IL 圖3.14 VCC R1 Vref RL VZ 例 5. • 右圖的穩壓電路中,假定 Z = 10,VZ0 =3V,R1 = 1K(1) 假如IL =2mA,而VCC的變動範圍為6V至14V,請估算VCC變動對VZ的影響。 (2) 假如VCC = 10V,而IL的變動範圍為0 mA至3mA,請估算IL變動對VZ的影響。 (3) 假如VCC 的變動範圍為6V至14V,IL的的變動範圍為0 mA至3 mA,請設計R使得任何時候IZ 皆大於1 mA。
圖3.17 I V 1.5V 發光二極體 • 發光二極體(Light Emitting Diode, LED),可作為小型顯示器。 • 加入磷、砷或鎵 • LED的I-V特性曲線和一般二極體類似,見右圖。唯一不同的是,LED的導通電壓通常在1V以上,因為所用材料不是矽半導體。 VLED:1.5~2.5V 崩潰電壓約3~15V
P I 圖3.16 • LED的工作原理 :二極體導通時,會有大量電子與電洞結合,過程會釋放能量;LED因為材料的緣故,以光的形式釋放;由於電子數目與電流成正比,所以LED發光強度和電流成正比,如下圖。 P:輸出光功率 I :電流 斜率由LED的材料及結 構所決定
圖3.19 R 9V • LED 電路設計 • 電阻 R 可以決定LED的電流 ( 與亮度有關 ) • 蕭特基二極體(Schottky Diode) • 鋁+少量n型矽結合,供高速開關用
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