1 / 13

И.С. МАРТЕМЬЯНОВ , В.О. ТУРИН , В.В. ИВАНОВА , Г.И. ЗЕБРЕВ *, А.М. ЦЫРЛОВ **

МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА И ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВОГО ДМОП ТРАНЗИСТОРА С УЧЕТОМ ЭФФЕКТА САМОРАЗОГРЕВА. И.С. МАРТЕМЬЯНОВ , В.О. ТУРИН , В.В. ИВАНОВА , Г.И. ЗЕБРЕВ *, А.М. ЦЫРЛОВ ** УНИЛ ПТММиН при кафедре “Физика” Госуниверситет-УНПК , voturin@ostu.ru

benedict-griffin
Download Presentation

И.С. МАРТЕМЬЯНОВ , В.О. ТУРИН , В.В. ИВАНОВА , Г.И. ЗЕБРЕВ *, А.М. ЦЫРЛОВ **

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА И ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВОГО ДМОП ТРАНЗИСТОРА С УЧЕТОМ ЭФФЕКТА САМОРАЗОГРЕВА И.С. МАРТЕМЬЯНОВ, В.О. ТУРИН, В.В. ИВАНОВА, Г.И. ЗЕБРЕВ*, А.М. ЦЫРЛОВ** УНИЛ ПТММиН при кафедре “Физика” Госуниверситет-УНПК, voturin@ostu.ru *Национальныйисследовательскийядерныйуниверситет(МИФИ)  **OAO «Протон»

  2. Оптореле • ОАО “Протон”, г. Орел производит различные типы оптореле на основе вертикальных МОП транзисторов с двойной диффузией.

  3. Параметры моделируемой ячейки: ε=3.9 W=100 мкм L=4 мкм dox=68 нм μ=405 м^2/Вс Vth=2,2 В УПРОЩЁННАЯ МОДЕЛЬ ЯЧЕЙКИВЕРТИКАЛЬНОГО МОП-ТРАНЗИСТОРАС ДВОЙНОЙ ДИФФУЗИЕЙ (ВСЕГО 2489 ЯЧЕЕК)‏

  4. Моделирование саморазогрева VDMOS транзистора с длиной канал 4 мкм Повышенное выделение тепла наблюдается в области вертикального стока. Граничные условия, использовавшиеся при моделировании: • Начальная температура стока: • Тепловое сопротивление стока:

  5. Выделение Джоулева тепла

  6. Сравнение ВАХ ячейки реального ДМОП транзистора и ячейки, промоделированной в TCAD Sentaurus с учетом саморазогрева

  7. Моделирование саморазогрева ДМОП транзистора с длиной канала 1 мкм

  8. Выделение Джоулева тепла в ячейке ДМОП транзистора с каналом 1мкм

  9. Сравнение зависимостей максимальной температуры прибора от напряжения на стоке для ДМОП транзисторов с длиной канала 1мкм и 3.6мкм

  10. Эффект саморазогрева вызвал деградацию тока на 30% при напряжении затвор-исток Vg=8B Деградация выходных характеристик из-за эффекта саморазогрева в ДМОП транзисторе с длиной канала 1мкм

  11. Расчет изменения сопротивления вертикального стока • Параметры моделирования: • Площадь поверхности: • Напряжение затвор-исток: • Напряжение сток-исток: • В транзисторе, промоделированном с учетом саморазогрева, сопротивление вертикального стока увеличилось на 253 Ом.

  12. Выводы Температура ячейки транзистора с длиной канала 1 мкм в среднем на 20К выше, чем температура транзистора с длиной канала 4 мкм при том же напряжении на затворе Саморазогрев ячейки транзистора с длиной канала 1 мкм вызывает увеличение сопротивления вертикального стока на 253 Ом при напряжении на затворе Vg = 8В

  13. Работа в Госуниверситете-УНПК велась в УНИЛ ПТММиН при кафедре «Физика»и поддержана грантом РФФИ 09-08-9909-р_офиСпасибо за внимание!

More Related