1 / 177

模拟电子技术

模拟电子技术. 李应生制作. 《 模拟电子技术 》. 总复习. 一、单选题 ( 每题 1 分 ) 1. 　半导体的导电阻率为 。 A ρ <10 -6 Ω·m ，　　　　 B ρ >10 8 Ω·m ， C ρ 介于 10 -6 ～ 10 8 Ω·m ， 　 ∨ D ρ >10 10 Ω·m. 2. 　本征激发是指 现象。 A 　价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的 ∨ B 　价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的 C 　价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的.

brennan-howell
Download Presentation

模拟电子技术

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. 模拟电子技术 李应生制作

  2. 《模拟电子技术》 总复习

  3. 一、单选题(每题1分) • 1.　半导体的导电阻率为。 Aρ<10-6Ω·m，　　　　 Bρ>108Ω·m， Cρ介于10-6～108Ω·m， 　∨ Dρ >1010Ω·m

  4. 2.　本征激发是指现象。 • A　价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的∨ • B　价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的 • C　价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的

  5. 4.P(N)型半导体是在本征半导体硅(或锗)中掺入少量的而获得的杂质半导体。4.P(N)型半导体是在本征半导体硅(或锗)中掺入少量的而获得的杂质半导体。 A　二价元素， B　三价元素，　　　　　∨ C　四价元素， D　五价元素　　　　　 (∨)

  6. 5.　模拟信号是指的信号。 A　时间连续， B　数值连续， C　时间和数值都连续，　　∨ D　时间和数值都不连续

  7. 6.　放大电路放大倍数是指。 A　输出信号与输入信号的比值，∨ B　输入信号与输出信号的比值， C　输出电压与输入电流的比值， D　输出电流与输入电压的比值。

  8. 7.　某放大电路的电压增益为60dB，则该电路的电压放大倍数为倍。7.　某放大电路的电压增益为60dB，则该电路的电压放大倍数为倍。 A10，B102，C103，D104 • 8.　放大电路中的非线性失真是有引起的。 • A　电抗元件， • B　放大元器件的非线性，　　　∨ • C　非电抗元件， • D　输入信号的失真。

  9. 9.PN结雪崩击穿主要主要发生在情况下。 APN结反偏较低， BPN结正偏电压较高， CPN结反偏较高，　　　　∨ DPN结正偏电压较低。

  10. 10.PN结齐纳击穿主要主要发生在情况下。 APN结反偏较低，　　　∨ BPN结正偏电压较高， CPN结反偏较高， DPN结正偏电压较低。

  11. 11.　锗(硅)晶体二极管的正常工作电压约为。 A0.7V，　　　　 (∨) B0.5V，　 C0.1V，　 D0.2V。　　　　　∨

  12. 12.　晶体三极管工作在放大(饱和、截止)状态的外部条件为。12.　晶体三极管工作在放大(饱和、截止)状态的外部条件为。 A.　发射结正偏，集电结反偏， ∨ B.　发射结反偏，集电结正偏， C.　发射结正偏，集电结正偏， (饱∨) D.　发射结反偏，集电结反偏。 (截∨)

  13. 13.PNJ雪崩击穿和齐纳击穿同时出现在反偏电压为 。 A5V以下， B8~1000V， C5~8V，　　　　　∨ D10~500V。

  14. 14.　硅(锗)晶体二极管的门坎电压(又称为死区电压)为。14.　硅(锗)晶体二极管的门坎电压(又称为死区电压)为。 A0.7V，　　　　　 ∨ B0.5V，　 C0.1V，　　　　　 (∨) D0.2V。

  15. 15.　对于低频小功率晶体管的基区体电阻rb，通常情况下为。15.　对于低频小功率晶体管的基区体电阻rb，通常情况下为。 A.200Ω∨ B.100Ω C.150Ω D.300Ω

  16. 16.　当温度升高1oC时，晶体管的参数VBE将增大。16.　当温度升高1oC时，晶体管的参数VBE将增大。 A.　－(2~2.5)mV，　　　∨ B.(2~2.5)mV， C.(1~1.5)mV，　 D.　－(1~1.5)mV

  17. 17.当温度升高1oC时，晶体管的参数β将增大。 A.0.5%， B.0.5%~1.0%，　　　　∨ C.0.5%~2.0%， D.1.0%~2.0%

  18. 18.　三极管的电流分配关系为。 A.IE＝IC+I B∨ B.IE＝IC－IB C.IC＝IB－IE D.IB＝IC－IE

  19. 19.　晶体三极管放大作用的实质是。 A.　把微弱的电信号加以放大， B.　以弱电流控制强电流， C.　以强电流控制弱电流， D.　以弱电流控制强电流，把直流电能转 　　换为交流电能。　　　　　∨

  20. 20.　多级放大电路总的放大倍数等于各级放大倍数。20.　多级放大电路总的放大倍数等于各级放大倍数。 A.　的乘积，　　　　　　∨ B.　的和，　 C.　的差， D.　相除的商。

  21. 21.　多级放大电路的频率特性(响应)随着级数的增加而　　。21.　多级放大电路的频率特性(响应)随着级数的增加而　　。 A.　变宽，　　 B.　变窄，　　　　　∨ C.　变大， D.　变小。

  22. 22.fH (fL)称为放大电路的。 A.　截止频率， B.　上限频率，　　　　∨ C.　下限频率， 　　　 (∨) D.　特征频率。

  23. 23.fβ(fT)称为共发射极。 A.　截止频率，　　　　 ∨ B.　上限频率，　　　　 C.　下限频率， 　　　 D.　特征频率。 　　　 (∨)

  24. 24. BJT(FET)又称为。 A.单极型晶体管，　　　　 (∨) B.双极型晶体管，　　　　 ∨ C.电子型晶体管， D.空穴型晶体管。

  25. 26.　互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值，忽略VCES时的效率约为。26.　互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值，忽略VCES时的效率约为。 A.30%， B.78.5%，　　　　　∨ C.60%， D.85%。

  26. 27.　甲乙类互补对称功率放大电路当工作点不合适时，将产生。27.　甲乙类互补对称功率放大电路当工作点不合适时，将产生。 A. 交越失真， 　　　　∨ B. 线性失真， C. 频率失真，　 D. 相位失真。

  27. 28.　甲乙(甲、乙)类功放电路晶体管的导通角θ为。28.　甲乙(甲、乙)类功放电路晶体管的导通角θ为。 A.2π，　　　　　　　(甲∨) B.π，　　　　 　　　 (乙∨) C.π<θ<2π，　　　　 ∨ D.θ<π。

  28. 29.乙类双电源互补对称功率放大电路实际上是。29.乙类双电源互补对称功率放大电路实际上是。 • A.　由两个不同类型晶体管构成的共发射极放大电路组成， • B.　由两个不同类型晶体管构成的共基极放大电路组成， • C.　由两个不同类型晶体管构成的射极输出器组成， ∨ • D.　由两个相同类型晶体管构成的射极输出器组成。

  29. 30.大规模集成电路在一个硅片上可集中制作。 A.　十～几十个元件， B.　几十个～几百个元件， C.　几百个～几千个元件，　∨ D.　几千个以上元件；

  30. 31.三点式振荡电路的相位平衡条件为。 A.　基(集同)射反， B.　射同基(集)反，　　　∨ C.　基同射反， D.　集同射反，

  31. 32.　正弦振荡的起振(平衡)条件为。 ∨A. AF >1， B. AF <1， (∨)C. AF ＝1， D. AF < 0。

  32. 33.　在电源电压不变的情况下，提高OTL功率放大电路输出功率的有效方法是 。 A.　加接自举电路，　　　∨ B.　改变工作状态， C.　降低静态工作点， D.　提高静态工作点。

  33. 34.　正弦波电压信号的数学表达式是 　 　。 A v(t)＝C， B C D∨

  34. 35.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路A。35.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路A。 • A：VAO＝－6V，二极管处于正偏导通状态。 • B：VAO＝－12V，二极管处于反偏截止状态。 • C ：VAO＝－6V，二极管处于反偏截止状态。 • D ：VAO＝－12V，二极管处于正偏导通状态。 ［转37］

  35. 36.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路B。36.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路B。 • A：VAO＝－15V，二极管处于正偏导通状态。 • B：VAO＝－12V，二极管处于反偏截止状态。 • C ：VAO＝－15V，二极管处于反偏截止状态。 • D ：VAO＝－12V，二极管处于正偏导通状态。 ［转39］

  36. 37.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路C。37.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路C。 • A：VAO＝－12V，D1正偏导通， D2反偏截止。 • B：VAO＝－15V，D1反偏截止， D2正偏导通。 • C ：VAO＝0V，D1正偏导通， D2反偏截止。 • D ：VAO＝0V，。D2正偏导通， D1反偏截止。 ［转41］

  37. 38.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路D。38.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路D。 • A：VAO＝－12V，D1正偏导通， D2反偏截止。 • B：VAO＝－12V，D1反偏截止， D2正偏导通。 • C ：VAO＝ —6V ，D1正偏导通， D2反偏截止。 • D ：VAO＝—6V， D1反偏截止， D2正偏导通。 ［转43］

  38. 39.有两个BJT，其中一个管子的 β＝150，ICEO＝200μ A,另一个管子的 β＝50，ICEO＝10μA，其它参数一样，你选B。 • A： β＝150，ICEO＝200μ A的管子。 • B： β＝50，ICEO＝10μA的管子。

  39. 二、多选题(每空1分，共20分) • 40.　桥式整流输出电压与电源变压器次级电压的关系为A，电容滤波电路输出电压与电源变压器次级电压的关系为C 。 A.VL＝0.9V2， B.VL＝1.0V2， C.VL＝1.2V2， D.VL＝1.4V2。

  40. 41.给乙类互补对称功率放大电路D，可消除E。 A.　加一放大电路， B.　加一很大的集电极电流， C.　加一衰减电路， D.　加一合适的静态工作点。 E.　交越失真，　　　F.　线性失真， G.　频率失真， 　 H.　相位失真。

  41. 42.晶体三极管内部载流子的运动规律为 B、D、C。 A. 基区向发射区注入载流子 B. 发射区向基区注入载流子 C. 集电区收集载流子 D. 非平衡载流子在基区的扩散与复合 E. 发射区收集载流子 F. 载流子在发射区的扩散与复合

  42. 43.BJT的制造工艺特点为: A、D、C。 A. e区掺杂浓度最高， B.e区掺杂浓度最低， C.c区掺杂浓度适中， D.b区掺杂浓度最低且最薄， E.c区掺杂浓度最高， F.b区掺杂浓度最高且最薄。

  43. 44.PNJ的单向导电性表现为: B、C。 APNJ反偏导通， BPNJ正偏导通， CPNJ反偏截止， DPNJ正偏截止。

  44. 45.PN结又称为A、C、 和E。 A　空间电荷区，　B　电阻层， C　耗尽层，　　　D　电位区， E　势垒区，　　　F　扩散区。

  45. 46.PN结的形成过程是: B 、A 、F 。 A 少子的漂移运动， B 多子的扩散运动 C　多子与少子的相互作用， D 少子的扩散运动， E多子的漂移运动， F多子的扩散与少子的漂移运动达到动态平衡。 G　多子的漂移与少子的扩散运动达到动态平衡。

  46. 47.　一般情况下，当信号源内阻远远小于放大电路输入电阻(即Rs<<Ri )时，信号源使用A更为有利；当信号源内阻远远大于放大电路输入电阻(即Rs>>Ri )时，信号源 C 使用更为有利。 A. 电压源，　B. 分压电路， C. 电流源，　D. 集成运放。

More Related