AC-transport in p- SiGe / Ge / SiGe

1. AC-transport in p-SiGe/Ge/SiGe I.L.Drichko, V.A.Malysh, I.Yu.Smirnov, L.E.Golub, S.A.Tarasenko, A.V.Suslov, O.A.Mironov, M.Kummer, H.von Känel

2. The p-SiGe/Ge/SiGe structure was grown by low-energy plasma–enhanced chemical vapor deposition (LEPECVD) [1] on a Si substrate. p=61011 см-2 and6104 см2/Вс (4.2 К). [1] C. Rosenblad, H.R. Deller, A. Dommann, T. Meyer, P. Schroeter, and H. von Känel, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2785 (1998) EF=14 meV << ∆ELL-HH

3. The properties of the two-dimensional hole gas are studied by a contactless acoustoelectonic method

4. The dependences ofи v/vоn magnetic field at temperatures(0.3-1.6) К, f=30 МГц.

5. The dependences of 1оn magnetic field at different temperatures (0.3-5.8) К,f=30МГц.T

6. The dependences of 1and2 on magnetic field ; Т=0.3 К, f=30 MHz

7. The dependences of1and2ontemperature for а) =4, b) =5, с) =6, d) =7 The dependences of 1in minimum of oscillations on magnetic field at temperatures: 0.3, 0.7, 1.1 и 1.6 К

8. Comparison of (DC) conductivity and (hf)-conductivity 1 from acoustic methods .I. L. Drichko, A.M. Diakonov, E.V. Lebedeva, I. Yu. Smirnov, A.V. Suslov, O.A. Mironov, М. Kummer, H. von Känel, J. Appl. Phys. 106, 094305 (2009

9. 1exp[-Е/2kBT], Е = gµВB. g4.50.3. A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, and A. F. Zinovieva, Phys. Rev B 67, 205301 (2003). The dependence of ln 1on1/T. Inset 1: the dependence of Е on magnetic field В. Inset 2: the dependence of g-factoron Fermi energy F 5. Ю.Г. Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус , Н.Г.Шелушинина, М.В.Якунин, О.А.Кузнецов, Л.Пономаренко, АдеВиссер , ФНТ, 30, 1157 (2004) 6.А.В.Черненко, Н.Г.Калугин, О.А.Кузнецов, ЖЭТФ,114, 619 (1998)

10. The dependences of  and V/V on magnetic field at different tilt angles, 30 MHz, 0.3 K

11. The dependence of 1 on B for different tilt angles =(082)0; f=30 MHz, T=0.3 K

12. if ,

13. а) The dependence of1on Btot at different tilt angle  for=2, 3 и 4; b) the dependence of 1on Bzfor different : 00,540,570,620,680,740,750,780; for 5, Т=0.3 К, f=30 MГц

14. T. Ando, A.B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54,437 (1982). V.S. Khrapai, E.V. Deviatov, A.A. Shashkin, V.T. Dolgopolov,Proc. NGS 10 IPAP Conf. Series 2, 105 (2001). V.E. Kozlov, S.I. Gubarev, I.V. Kukushkin, JETP Letters 94, 397 (2011) [Pis'ma v Zh. Eksp. Teor. Fiz. 94, 429 (2011)] A.T. Hatke, M.A. Zudov, L.N. Pfeier, K.W. West, Phys.Rev. B 85, 241305(R) (2012). Зависимость ln[1()/(0)] от Bz3*tan2() for =12, 14, 16 and 18

15. a b The dependence of (g0-sBII2)/g0отВII for two filling factors: =5,7 The dependence of ln[()/0] onB||2Bz=Вz3tan2; ,

16. Calculation of s in the framework of Luttinger Hamiltonian

17. The dependences of c and s on the QW width for a strained (=100 meV, solid curves) and strain-free (=0, dashed curves) Ge quantum well for =13 and 1 =5 X X

18. ЗАКЛЮЧЕНИЕ С помощью акустической бесконтактной методики в структуре p-GeSi/Ge/GeSi с одиночной напряженной квантовой ямой Ge проведены измерения поглощения и изменения скорости ПАВ в области температур( 0.3- 5.8) К и магнитных полях до 18 Т и определена высокочастотная проводимость при f=30 МГц В режиме осцилляций Шубникова-де Гааза газа были определены основные параметры дырочного газа бесконтактным образом. В режиме квантового эффекта Холла. При Т < 1K высокочастотная проводимость в минимумах осцилляций является прыжковой и может быть описана 2-х узельной моделью. В области температур , в которой АС-проводимость имеет активационный характер, определен g-фактор Акустические эффекты были также измерены при Т = 0.3 К в наклонном магнитном поле. Показано, что увеличение проводимости в минимумах осцилляций при увеличении  определяется уменьшением g-фактора и увеличением циклотронной эффективной массы при росте продольной составляющей магнитного поля

19. Часть работы выполнялась в лаборатории сильных магнитных полей в Таллахасси (США)