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電晶體及共射極放大電路. 類比電子實驗 單元四. 教材投影片放在 http://140.127.194.152/member/phd/9203003d.html. Online. 電晶體 用三用電表量測電晶體的 值 共射極放大電路 圖解法分析共射極放大電路. 電晶體的結構 (p.105). 兩塊 P 型之間夾一片很薄的 N 型 , 兩塊 N 型之間夾一片很薄的 P 型. 射極 (E). 集極 (C). 射極 (E). 集極 (C). 基極 (B). 基極 (B). PNP 電晶體. NPN 電晶體. 電晶體的特性 (p.106).
E N D
電晶體及共射極放大電路 類比電子實驗 單元四 教材投影片放在 http://140.127.194.152/member/phd/9203003d.html
Online • 電晶體 • 用三用電表量測電晶體的 值 • 共射極放大電路 • 圖解法分析共射極放大電路
電晶體的結構(p.105) • 兩塊P型之間夾一片很薄的N型,兩塊N型之間夾一片很薄的P型 射極(E) 集極(C) 射極(E) 集極(C) 基極(B) 基極(B) PNP電晶體 NPN電晶體
電晶體的特性(p.106) • E-B之間加上順向電壓(VBE),PN接間導通,產生順向電流,且IE=IB . • B-C之間加上逆向電壓(VBC),PN接間不導通,IB= IC= 0.
電晶體的特性(cont.) • IE=IB+ IC且IE IC » IB ,由射極流入的電流幾乎由集極流出,基極電流只是很小的一部分.
電晶體的特性(cont.) • IE=IB+ IC且IE IC » IB ,由集極流入的電流幾乎由射極流出,基極電流只是很小的一部分.
電晶體的 值(p.107) • 由於IB « IC ,控制IB可控制IC ,電晶體具有放大作用,電晶體的電流放大率以 或hFE表示,定義為 • 一般電晶體的 約為10~300左右.
電晶體的電路符號(p.107) • 實際應用電路圖 NPN PNP 逆向偏壓 逆向偏壓 順向偏壓 順向偏壓
電晶體的電路符號(cont.) C C B B E E
電晶體的V-I特性曲線(p.109) • VBE-IB及VCE-IC特性曲線 飽和區 工作區
以三用電表判斷電晶體之E、B、C(p.115) • NPN與PNP,黑紅棒位置相反
以三用電表量測電晶體之 值(p.115) • 將三用表置於hFE, 並作0歸零 • C9014 NPN電晶體的 值約220 C9014 24k hFE C9014 E B C
以三用電表量測電晶體之 值(cont.) • C9012 PNP電晶體的 值約160 C9012 24k hFE C9012 E B C
共射極放大電路(p.121) • VBB ,VCC , RB , RL給予電晶體適當的偏壓 • CC 為交連電容或耦合電容,阻隔輸入信號的直流成分流入基極,以免影響電晶體的偏壓
等效電路 輸出 輸入
三種工作情形(p.123) • 當Vin=0, Iin=0時, VCE=VCCICRL, VCE介於VCC與0之間 Vin=0 Iin=0
三種工作情形(cont.) • 當Vin=15mV, Iin=10A時(正半週峰值) Vin=15mV Iin=10A
三種工作情形(cont.) • 當Vin= 15mV, Iin= 10A時(負半週峰值) Vin= 15mV Iin= 10A
Vin(mV) 極性相反 振幅放大
圖解法分析(p.124) • 直流負載線表示一個電路的輸出電流與輸出電壓的關係 IC(mA) VCE(V)
圖解法分析(cont.) • 合併電晶體VCE-IC特性曲線及負載線 工作點(當IB=20A時候)
工作點對放大電路的影響(p.127) 工作點偏低 工作點偏高 工作點在中間
工作點對放大電路的影響(cont.) • 工作點偏低,造成失真,波峰被削平
工作點對放大電路的影響(cont.) • 工作點偏高,造成失真,波峰被削平
工作點對放大電路的影響(cont.) • 輸入信號過大,造成失真,兩端波峰被削平
實習(p.129) • VR控制偏壓IB的大小,VR IB ,VR IB
實習(cont.) 當偏低IB,則工作點Q徧低,使輸出波形正週波波峰削平 VCE
實習(cont.) 當偏低IB,則工作點Q徧高,使輸出波形負週波波峰削平 VCE
實習(cont.) • 當偏壓VCE=1/2VCC,則工作點在正中央,使輸出的Vp-p值最大(不變形) • 不過輸入超出範圍,則兩端波峰削平 VCE