1 / 72

התקני MOS

התקני MOS. פרופ ’ יוסי שחם המחלקה לאלקטרוניקה פיזיקלית אוניברסיטת תל-אביב ( לפי ההרצאות של יאן ראבאי מברקלי ). מטרת הפרק. הבנה בסיסית של התקני מל”מ רלבנטים חזרה על המשוואות הבסיסיות פתרון “ידני” של מעגלים מבוא ל - SPICE מבוא להתקנים תת-מיקרונים. דיודה. B. A. Al. SiO. 2. p. n.

cai
Download Presentation

התקני MOS

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. התקניMOS פרופ’ יוסי שחם המחלקה לאלקטרוניקה פיזיקלית אוניברסיטת תל-אביב (לפי ההרצאות שליאן ראבאי מברקלי)

  2. מטרת הפרק • הבנה בסיסית של התקני מל”מרלבנטים • חזרה על המשוואות הבסיסיות • פתרון “ידני” של מעגלים • מבוא ל- SPICE • מבוא להתקנים תת-מיקרונים

  3. דיודה B A Al SiO 2 p n חתךבדיודתצומת בVLSI A Al A p n B B חתך חד ממדי סמל

  4. אזורהמיחסור

  5. זרם

  6. ממתח קדמי

  7. ממתח אחורי

  8. סוגידיודות דיודה קצרה ליד מגע מתכת דיודה ארוכה טיפוסית לדיותות למצע

  9. מודל דיודה

  10. קיבול צומת

  11. קיבול הדיפוזיה

  12. מיתוג דיודה

  13. פריצה

  14. מודל דיודה - מלא

  15. פרמטריSPICE

  16. טרנזיסטורMOS

  17. טרנזיסטורMOS

  18. חתך בטכנולוגיתCMOS

  19. סימנים וסמלים שלטרנזיטוריMOS D D G G S S Depletion NMOS Enhancement NMOS D D G G B S S NMOS with PMOS Enhancement Bulk Contact

  20. מתח סף - עקרון בסיסי

  21. מתח סף - חישוב

  22. אפייני מתח זרם

  23. אפייני מתח-זרם בתחוםהלינארי וברוויה

  24. טרנזיסטור ברוויה

  25. אפיין מתח-זרם

  26. מודל לחישוב “ידני”

  27. מודל דינמי של טרנזיסטורMOS

  28. קיבול השער

  29. קיבול שער ממוצע Different distributions of gate capacitance for varying operating conditions Most important regions in digital design: saturation and cut-off

  30. קיבול הדיפוזיה

  31. קיבולהצמתות

  32. לינאריזציהשל קיבול הצומת Replace non-linear capacitance by large-signal equivalent linear capacitance which displaces equal charge over voltage swing of interest

  33. מודל שלטרנסיטורMOS תת-מיקרוני • חישוב מתח סף מתוקן • התנגדויות פרזיטיות • רווית מהירות וירידת ניידות • הולכה בתת-סף • LATHCUP

  34. אפקטים של תעלה קצרה

  35. מודלים של תעלה קצרה

  36. חיבורי התקניMOS

  37. שינויי מתח הסף

  38. התנגדויות פרזיטיות

  39. רווית מהירות (א)

  40. רווית מהירות (ב)

  41. הולכה בתת-סף

  42. Latchup

  43. מודלים שלSPICE • רמה 1 - התקנים ארוכים, פשוט • רמה 2 - מודל פיזיקלי, כולל רווית מהירות ומתח סף מתוקן • רמה 3 - חצי-ניסויי, התאמת פרמטרים • רמה 4 (BSIM ) - ניסויי, כולל כל האפקטים, פופולרי מאוד.

  44. פרמטרים עיקריים של טרנזיסטורMOS

  45. מודלSPICE לרכיבים פרזיטים

  46. מודלSPICE לטרנזיסטורים

  47. מודלSPICE לתהליך 0.5 מיקרון .MODEL CMOSN NMOS LEVEL=3 PHI=0.7 TOX=10E-09 XJ=0.2U TPG=1 VTO=0.65 DELTA=0.7+ LD=5E-08 KP=2E-04 UO=550 THETA=0.27 RSH=2 GAMMA=0.6 NSUB=1.4E+17 NFS=6E+11+ VMAX=2E+05 ETA=3.7E-02 KAPPA=2.9E-02 CGDO=3.0E-10 CGSO=3.0E-10 CGBO=4.0E-10+ CJ=5.6E-04 MJ=0.56 CJSW=5E-11 MJSW=0.52 PB=1.MODEL CMOSP PMOS LEVEL=3 PHI=0.7 TOX=10E-09 XJ=0.2U TPG=-1 VTO=-0.92 DELTA=0.29+ LD=3.5E-08 KP=4.9E-05 UO=135 THETA=0.18 RSH=2 GAMMA=0.47 NSUB=8.5E+16 NFS=6.5E+11+ VMAX=2.5E+05 ETA=2.45E-02 KAPPA=7.96 CGDO=2.4E-10 CGSO=2.4E-10 CGBO=3.8E-10+ CJ=9.3E-04 MJ=0.47 CJSW=2.9E-10 MJSW=0.505 PB=1

  48. התאמת פרמטרים לרמה 1

  49. התקדמות הטכנולוגיה

  50. התקניםביפולרים

More Related