1 / 55

模 拟 电 子 线 路

模 拟 电 子 线 路. 主讲: 李贤志 副教授. 办公室: A201 电 话: 3306878(O) 3387761(H) Email:Lixzhi@wxc.edu.cn. 第 1 章 晶体二极管. 1.1 半导体 物理 基础知识. 1.2 PN 结. 1.3 晶体 二 极管电路的分析方法. 1.4 晶体 二极 管 的应用. 1. 5 其它二极 管( 略 ). 返回. 1.1 半导体 物理 基础知识. 图 1-0-1 晶体二极管内部结构示意图. 图 1-1-1 硅和锗的原子结构模型.

cairo-hicks
Download Presentation

模 拟 电 子 线 路

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. 模 拟 电 子 线 路 主讲: 李贤志 副教授 办公室:A201 电 话:3306878(O) 3387761(H) Email:Lixzhi@wxc.edu.cn

  2. 第1章 晶体二极管 1.1 半导体物理基础知识 1.2 PN结 1.3 晶体二极管电路的分析方法 1.4 晶体二极管的应用 1.5其它二极管(略) 返回

  3. 1.1 半导体物理基础知识 图1-0-1 晶体二极管内部结构示意图 图1-1-1 硅和锗的原子结构模型 图1-1-2 硅和锗共价键结构示意图 图1-1-3 空穴在晶格中的移动 图1-1-4 N型半导体结构示意图 图1-1-5 P型半导体结构示意图 图1-1-6 电场作用下的漂移运动 图1-1-7 热平衡状态遭到破坏时载流子分布图 返回 例题

  4. 图1-0-1 晶体二极管内部结构示意图 返回

  5. 图1-1-1 硅和锗的原子结构模型 返回

  6. 图1-1-2 硅和锗共价键结构示意图 返回

  7. 图1-1-3 空穴在晶格中的移动 返回

  8. 图1-1-4 N型半导体结构示意图 返回

  9. 图1-1-5 P型半导体结构示意图 返回

  10. 图1-1-6 电场作用下的漂移运动 返回

  11. 图1-1-7 热平衡状态遭到破坏时载流子分布图 返回

  12. 例题 Page6 例1 Page6 例2 Page6 例3 Page8 例 返回

  13. P6 例1 例1 一块本征硅片中掺入五价元素砷,浓度Nd=8×1016cm-3。试求室温T=300K时自由电子和空穴的热平衡浓度值。 返回

  14. P6 例2 例2 在上例中,当温度升高到400K时,试求自由电子和空穴和热平衡浓度值。 返回

  15. P6 例3 例3 一块本征硅片,先掺入浓度为8×1016cm-3的五价砷原子,为N型半导体,再掺入浓度为5×1017cm-3的三价硼原子,试问它为代何种杂质半导体,并求室温时多子和少子的热平衡浓度值。 返回

  16. P8 例 例 试求室温下(a)本征半导体和(b)掺入Nd =1016cm-3的杂质半导体的电导率。 返回

  17. 1.2PN结 图1-2-1 空间电荷区的形成 图1-2-2 P+N结的内建电位差 图1-2-3 PN结的三种杂质分布 图1-2-4 P+N外加正偏电压 图1-2-5 P+N外加反偏电压 图1-2-6 温度特性 图1-2-7 PN的击穿特性 图1-2-8 稳压管的电路符号和相应的伏安特性 图1-2-9 势垒电容 图1-2-10 扩散电容的成因 图1-2-11 变容管的电路符号 返回

  18. 图1-2-1 空间电荷区的形成 返回

  19. 图1-2-2 P+N结的内建电位差 返回

  20. 图1-2-3 PN结的三种杂质分布 返回

  21. 图1-2-4 P+N外加正偏电压 返回

  22. 图1-2-5 P+N外加反偏电压 返回

  23. 图1-2-6 温度特性 返回

  24. 图1-2-7 PN的击穿特性 返回

  25. 图1-2-8 稳压管的电路符号和相应的伏安特性 返回

  26. 图1-2-9 势垒电容 返回

  27. 图1-2-10 扩散电容的成因 返回

  28. 图1-2-11 变容管的电路符号 返回

  29. 1.3晶体二极管电路的分析方法 图1-3-1 晶体二极管的伏安特性曲线 图1-3-2 用两段折线逼近伏安特性曲线 图1-3-3 理想二极管的伏安特性和电路符号 图1-3-4 晶体二极管的简化电路模型 图1-3-5 增量电阻的示意图 图1-3-6 晶体二极管小信号电路模型 图1-3-7 晶体二极管电路 图1-3-8 图解分析法 图1-3-10 简化分析法 例题 返回

  30. 图1-3-1晶体二极管的伏安特性曲线 返回

  31. 图1-3-2 用两段折线逼近伏安特性曲线 返回

  32. 图1-3-3 理想二极管的伏安特性和电路符号 返回

  33. 图1-3-4 晶体二极管的简化电路模型 返回

  34. 图1-3-5 增量电阻的示意图 返回

  35. 图1-3-6 晶体二极管小信号电路模型 返回

  36. 图1-3-7 晶体二极管电路 返回

  37. 图1-3-8 图解分析法 返回

  38. 图1-3-10 简化分析法 返回

  39. 例题 Page27 例1 Page28 例2 Page28 例3 返回

  40. 试求下图(a)所示的管外电路的静态工作电压和电流。 Page27 例1 戴维宁定理 返回

  41. 戴维宁定理 对外电路来说,一个线性有源二端网络可用一个电压源和一个电阻串联的电路来等效,该电压源的电压等于此有源二端网络的开路电压,串联电阻等于此有源二端网络除去独立电源后在其端口处的等效电阻。 返回

  42. 在图1—3—11(a)所示电路中,已知两个二极管的VD(on)=0.7V,RD=100Ω,试画出VO随VI变化的传输特性。在图1—3—11(a)所示电路中,已知两个二极管的VD(on)=0.7V,RD=100Ω,试画出VO随VI变化的传输特性。 Page28 例2 返回

  43. 例3 在图1—3—12(a)所示电路中,已知IQ=0.93mA,R=10kΩ,ΔVDD=sin2π×100t(V),试求ΔV。 Page28 例3 返回

  44. 1.4晶体二极管的应用 图1-4-1 电源设备的组成框图 图1-4-2 半波整流电路 图1-4-3 稳压电路 图1-4-4 稳压管 图1-4-5 稳压器的大信号等效电路 图1-4-6 稳压器的小信号等效电路 图1-4-7 双向限幅特性 图1-4-8 单向限幅特性 图1-4-9 双向限幅电路 图1-4-10 采用稳压管的双向限电路 返回 例题

  45. 图1-4-1 电源设备的组成框图 返回

  46. 图1-4-2 半波整流电路 返回

  47. 图1-4-3 稳压电路 返回

  48. 图1-4-4 稳压管 返回

  49. 图1-4-5 稳压器的大信号等效电路 返回

  50. 图1-4-6 稳压器的小信号等效电路 返回

More Related