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1. BJT( 雙極性接面電晶體 ). 雙載子接面電晶體 又稱 三極體 ,根據不同的 參雜 方式,在同一矽晶片上,製造出三個摻雜區域,形成兩個 P-N 接面。 BJT 摻雜濃度 :E 射 >B 基 >C 集極 是利用基極電流來控制導通電流的大小 , 是一種 電流 控制元件. BJT 分為 NPN 型和 PNP 型. NPN 型電晶體頻率特性優於 PNP 型電晶體 原因是 : NPN 型電晶體主要載子為 電子 PNP 型電晶體主要載子為 電洞 # 電子移動速率為電洞之兩倍 #. BJT 電晶體工作模式. 工作 於主動區 線性放大
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1. BJT(雙極性接面電晶體) • 雙載子接面電晶體 • 又稱三極體,根據不同的參雜方式,在同一矽晶片上,製造出三個摻雜區域,形成兩個 P-N接面。 • BJT摻雜濃度:E射>B基>C集極 • 是利用基極電流來控制導通電流的大小,是一種電流控制元件
BJT分為NPN型和PNP型 NPN型電晶體頻率特性優於PNP型電晶體 原因是: NPN型電晶體主要載子為電子 PNP型電晶體主要載子為電洞 # 電子移動速率為電洞之兩倍 #
BJT電晶體工作模式 • 工作 於主動區 線性放大 • 工作 於飽和區 開關ON • 工作 於截止區 開關OFF
2. FET(場效單極性電晶體) • 單載子接面電晶體 • 是利用靜電場(端點間電壓)來控制導通電流的大小,是一種電壓控制元件 • FET 分2種 JFET & MOSFET • JFET(接面場效電晶體)分成N通道(NJFET)和P通道(PJFET) • MOSFET(金氧半場效電晶體)分成空乏型(DMOS)和增強型(EMOS) • FET耗電小,製程容易,熱穩定性良好,廣泛運用在數位及類比積體電路上
JFET(接面場效電晶體)分成N通道 (NJFET)和P通道(PJFET) • 依材料不同分為N通道型和P通道型 • N通道型傳導載子為電子,電子流方向 • 由”汲極D流向源極S” • P通道型傳導載子為電洞,電洞流方向 • 由”源極S流向汲極D”
MOSFET(金氧半場效電晶體)分成空乏型(DMOS)和增強型(EMOS)MOSFET(金氧半場效電晶體)分成空乏型(DMOS)和增強型(EMOS) • 分成空乏型(DMOS)和增強型(EMOS)不同之處在於 • 空乏型(DMOS)汲極和源極間本身已具有通道存在 • 增強型(EMOS) 汲極和源極間並無實質通道存在
空乏型(DMOS) #(N通道空乏型) VGS>0 , 通道寬度變大,導電性增大,電流變大 VGS<0 , 通道寬度變小,導電性增大,電流變小 若VGS<VP<0,VP為夾止電壓,(則通道過窄,無法讓載子”電子”通過,故無電流) #(P通道空乏型) VGS<0 , 通道寬度變大,導電性增大,電流變大 VGS>0 , 通道寬度變小,導電性降低,電流變小 若VGS>VP>0,VP為夾止電壓,(則通道過窄,無法讓載子”電洞”通過,故無電流)
增強型(EMOS) • (N通道增強型) • 若VGS<0,無通道產生,無電流 • 若VGS>VT>0,通道足夠寬,有電流產生 • (P通道增強型) • 若VGS>0,無通道產生,無電流 • 若VGS<VT<0,通道足夠寬,有電流產生
3.史密特觸發器 • 能將任何輸入波型,轉為方波或脈波輸出 • 是波型整形電路 • 用途為抗雜訊 • 可以消除機械式接點的彈跳現象 • 施密特觸發器,其工作原理類似比較器,能夠將任何輸入波形轉變為方波或脈波輸出,且有較高的雜訊免疫能力,因此廣泛地應用於電壓比較器與信號產生器的波形整形電路等。
4.反彈跳電路 「按鈕」雖然只按了一次,但會在接點處產生跳動的現象,相當於按了數次開關,容易造成錯誤的雜訊,這就是「彈跳現象」 • 反彈跳電路,是利用一個74LS00系列的IC中兩個NAND閘組成得RS正反器,透過正反器的作用,把雜訊波型濾掉,已獲得正確穩定的輸入訊號,達到消除開關彈跳
5.掃描式七段顯示電路 所謂掃描七段顯示LED的控制,又稱為分時控制七段顯示LED。由於七段顯示器,是將所有LED的筆畫連接在一起,保持共陽極或共陰極的分開。而同一時間其實只能點亮一個七段顯示LED。但是,由於人類的眼睛在看過東西之後,約有40mSec的影像殘存,也就是所謂的「視覺暫留」,因此,只要影像消失不超過40mSec,則眼睛就無法察覺。所以會感覺看到一個持續存在的影像。就好像晚上點著香,快速繞圈會看到光圈的原理一樣。 • 所以,如果把個別的七段顯示LED快速的輪流點亮,則人的眼睛將無法察覺七段顯示LED的熄滅,而誤以為所有的七段顯示LED是一起點亮。
七段顯示器共陽和共陰 • 低電位動作的七段顯示器,因為七個二極體的陽極接在一起,則稱為共陽極七段顯示器 • 高電位動作的七段顯示器,因為七個二極體的陰極接在一起,則稱為共陰極七段顯示器