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セラミックス

セラミックス. 　セラミックスの物性③. 第 1 １， 12 回　７月 9 日 ( 水）. 電気・電子・磁気的特性. （１）サ－ミスタ（ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ）* ) ［： 図４．７ 参照］特性 [ 定義 ] ：温度により材料の電気抵抗値が変化する性質 　　　　　　　　　　　　　　　（温度調整、測定用の温度センサー用素子） 　　①ＣＴＲサ－ミスタ（ critical temperature controler ）：臨界温度サ－ミスタ 　　②ＮＴＣサ－ミスタ（ negative temperature controler ）

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Presentation Transcript

  1. セラミックス 　セラミックスの物性③ 第1１，12回　７月9日(水）

  2. 電気・電子・磁気的特性 （１）サ－ミスタ（ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ）*)［：図４．７参照］特性 [定義]：温度により材料の電気抵抗値が変化する性質 　　　　　　　　　　　　　　　（温度調整、測定用の温度センサー用素子） 　　①ＣＴＲサ－ミスタ（critical temperature controler）：臨界温度サ－ミスタ 　　②ＮＴＣサ－ミスタ（negative temperature controler） 　　③ＰTCサ－ミスタ（positive temperature control thermistor） *)ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ （：thermally sensitive resistor） 　抵抗の特異な温度依存性を利用して、材料の電気抵抗を測定することによって温度を検出するセンサー素子 図４．７　３種類の代表的サ－ミスタ 　　　　　　　の電気抵抗の温度依存性

  3. ①ＣＴＲサ－ミスタ：結晶の構造変化が生じる相転移点で抵抗が急激に低下する材料①ＣＴＲサ－ミスタ：結晶の構造変化が生じる相転移点で抵抗が急激に低下する材料 　　Ｖ2Ｏ5：８０℃以下（単斜晶系）では抵抗が負の温度係数を持った半導体 　　　　 ８０℃以上（ルチル構造：正方晶系）では電気伝導度が２ケタ以上増加 （抵抗が急激に減少）し、金属的挙動［温度の増加につれ抵抗は増加する 　　　　　　　　　　　・・・抵抗：正の温度係数］を示す 　　応用：温度スイッチなどの各種センサ材料 ②ＮＴＣサ－ミスタ：抵抗が温度上昇に伴って単調（指数関数的）に減少する材料 　　　　　　　　　　（ＣＴＲサ－ミスタとは異なり、相転移には無関係） 　　不純物注入型遷移金属酸化物（Ｆｅ2Ｏ3－Ｔｉ系，ＮｉＯ－Ｌｉ系）， 　　ＺｒＯ2－Ｙ2Ｏ3系，ＳｉＣなど 　　応用：ダイオ－ド，ヒュ－ズ，各種温度スイッチ類など ③ＰTCサ－ミスタ：相転移点で抵抗が急激に上昇する材料（ＮＴＣサ－ミスタとは 　　　　　　　　　異なって、抵抗は温度上昇に伴って増加し、かつＣＴＲサ－ミスタ同様， 　　　　　　　　　結晶の相変化に起因する） 　　　　　　　　　　・・・正方晶－立方晶変態に伴う抵抗変化 　　応用：電圧異常と回路の短絡保護材料・・・大電流が流れると、サ－ミスタの温度 　　　　　が上昇し，抵抗値が増加し電流量を低下させる

  4. サーミスタ(Thermistor, Thermally sensitive resistor)の種類 • NTCサーミスタ（Negative Temperature Coefficient) • :温度が上昇すると抵抗値が連続的に減少する • (2)PTCサーミスタ（Positive Temperature Coefficient) • :温度が上昇すると特定の温度以上で抵抗値が • 　　　　　　　　急激に増加するサーミスタ • (3)CTRサーミスタ（Critical Temperature Thermistor) • :温度が上昇すると抵抗値が急激に減少する

  5. ※NTCサーミスタ（温度制御用センター素子として多用)の※NTCサーミスタ（温度制御用センター素子として多用)の 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　温度と抵抗値の関係式 R:温度Tにおける抵抗値 T:温度(K) R0:基準温度T0における抵抗値 T0:基準温度(K)(一般に25℃(=298K)を使用） B:定数 [身近な用途]　電子体温計、冷蔵庫、冷凍庫、エアコンの制御用温度センサー 　　　　　（その他：OA機器、カーエアコン、自動車エンジン用温度計(センサー）

  6. （２）バリスタ（ｖａｒｉａｂｌｅ　ｒｅｓｉｓｔｅｒ）特性（２）バリスタ（ｖａｒｉａｂｌｅ　ｒｅｓｉｓｔｅｒ）特性 　　：電流－電圧特性が非直線的なセラミックス半導体材料 　　（電圧が増加すると抵抗が急減し、非オ－ム則を示す材料） 　　［：図４．８，図４．９参照］ 　　・・・低電圧ではバリスタは温度依存性が小 　　　　　さいが、ある臨界降伏電圧ＶBで突然 　　　　　抵抗値が消失し電流が急激に増加する ※V=IRに従わない 図４．８　ＺｎＯバリスタの典 　　　　　　　型的なＩ－Ｖ特性 　　　　（電流はＶBで急速に増加）　　　　　　　図４．９　ＺｎＯとＳｉＣのバリスタ特性 　用途：①整流器で発生する異常電圧から、回路素子を保護 　　　 　②落雷，高電圧の流入による電気回路の破壊防止用

  7. （３）誘電体特性［：図４．１０参照］ 　　：絶縁体と同等な挙動をとるが、電界を印加した場合に定常電流は流れないが、 　　電荷を蓄積できる特性を有する材料［：図４．１１，図４．１２参照］ ①常誘電体：誘電率の低い物質［：ＢａＴｉＯ3の高温相（立方晶型）］ ②強誘電体：外部電界によって双極子モ－メントが整列することによって自発分極が 　　　　　　発生し、かつ自発分極の方向が変化できる物質 　　　　　　［：ＢａＴｉＯ3の低温相（正方晶型）］ ③反強誘電体：自発的な双極子の配列が結晶内で平行になるよりも、反平行になる方 　　　　　　　が安定な物質［：ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ3）］ 図４．１０　電界を印加した時の誘電体の分極モデル

  8. 図４．１１　ＢａＴｉＯ3の結晶構造　　　　図４．１２　ＢａＴｉＯ3の誘電率の図４．１１　ＢａＴｉＯ3の結晶構造　　　　図４．１２　ＢａＴｉＯ3の誘電率の 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　温度依存性（εa：ａ軸方向の誘電率， εc：ｃ軸方向の誘電率）

  9. 補足：　ＢａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3セラミックス補足：　ＢａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3セラミックス 　高誘電率材料，強誘電体材料の代表・・・小型大容量のセラミックスコンデンサの開発 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　［：図１，図２，表１参照］ 図１　ＢａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3セラミックス材料の応用分野

  10. 図２　ＢａＴｉＯ3セラミックスの比誘電率ε／ε0と誘電損失ｔａｎδ図２　ＢａＴｉＯ3セラミックスの比誘電率ε／ε0と誘電損失ｔａｎδ 　　　　　　　の温度特性 　　　　・・・コンデンサの静電容量Ｃ：Ｃ＝εs／ε0・Ａ／ｔ［Ｆ］ εs：比誘電率（εs＝ε／ε0，ε：誘電率） ε0：真空中の誘電率（8.854×10-12［Ｆ／ｍ］） 　　　　　　　　　 Ａ：電極面積［ｍ2］， 　　　　　　　　　 ｔ：セラミックス素子の厚さ［ｍ］ 比誘電率が大きいほど、同一形状での大容量のコンデンサとなる 　　　　　　　　　（→同一容量のコンデンサを小型化できる）

  11. 表１　アルミナ，ジルコニア，チタニア（ＴｉＯ2）とＢａＴｉＯ3，表１　アルミナ，ジルコニア，チタニア（ＴｉＯ2）とＢａＴｉＯ3， 　　　　　　　　ＳｒＴｉＯ3セラミックスの結晶構造

  12. （４）　ＰＺＴセラミックス 　Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3セラミックス［：図４．１３参照］ 　　・・・圧電性セラミックスの代表的材料 　　　　　　基本機能（・・・電気－機械変換素子）［：図４．１４，表４．４参照］ 　　　　　　　：①圧力→電気 　　　　　　　　②電気→振動・変位 　　　　　　　　③電気→振動→電気 図４．１３　Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3セラミックス ［：ＰＺＴ］の応用例

  13. 図４．１４　圧電セラミックスの３種類の基本的機能

  14. 表４．４　ＰＺＴとＢａＴｉＯ3セラミックスの圧電特性の比較

  15. （５）　磁性体セラミックス 　フェライト，酸化鉄セラミックス［：図４．１５，表４．５参照］ 軟磁性材料(ソフト） 　　（ex.磁気ヘッド材料) 半硬磁性材料 （セミハード） (ex.磁気記録材料） 硬磁性材料(ハード) (ex.永久磁石) 図４．１５　磁性体セラミックス （フェライト，酸化鉄セラミックス）の用途

  16. 表４．５　代表的な鉄酸化物系化合物 特性良好 (永久磁石) フェライトの一般式：M・Fe2O4・・・M：2価の金属イオン 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（M=Mn,Ni,Zn,Ba,Sr,・・・） **酸化鉄、（磁性体酸化鉄）・・・Fe3O4:マグネタイト 「主な用途」：　①ビデオテープ用磁性体 　　　　　　　　　②音声録音（カセットテープ）用磁性体 　　　　　　　　　③モータ回転用マグネット(ex.PC用ハードディスクドライブモーター) 　　　　　　　　　④スピーカー用マグネット BaO・6Fe2O3 SrO・6Fe2O3 磁気記録用磁性体粉末 現在：CD,MO,MD(光磁気記録用メディア材料） (フロッピーディスク・・・）

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