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1.4 场效应晶体管. Field-Effect Transistors (FETs). 内容提要. 1.4.1 结型场效应管 , 原理、输出特性与转移特性 1.4.2 绝缘栅型场效应管 , 原理、输出特性与转移特性 1.4.3 场效应管的主要参数 1.4.5 场效应管与晶体管的比较. 1.4.1 结型场效应管的结构和符号. 图 1.4.2 N 沟道 结型场效应管的结构示意图. 图 1.4.3 u DS = 0 时 u GS 对导电沟道的控制作用. 沟道变窄. 沟道消失. 图 1.4.4 U GS(off) < u GS <0 且 u DS >0 的情况.
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1.4场效应晶体管 Field-Effect Transistors (FETs)
内容提要 • 1.4.1结型场效应管,原理、输出特性与转移特性 • 1.4.2绝缘栅型场效应管,原理、输出特性与转移特性 • 1.4.3场效应管的主要参数 • 1.4.5场效应管与晶体管的比较
图1.4.3 uDS=0时uGS对导电沟道的控制作用 沟道变窄 沟道消失
图1.4.4 UGS(off)< uGS <0且uDS >0的情况 预夹断 DS间为电阻特性 恒流
图1.4.5 场效应管的输出特性 1 2 3
图1.4.7 N沟道增强型MOS管结构示意图 及增强型MOS的符号
图1.4.9 uGS为大于UGS(th)的某一值时uDS对iD的影响
图1.4.11 N沟道耗尽型MOS管结构 示意图、符号及转移特性
1.4.3场效应管的主要参数 • 直流参数 • 交流参数 • 极限参数 夹断电压 开启电压 饱和漏极电流 直流输入电阻 低频跨导 极间电容 击穿电压 最大耗散功率 最大漏极电流
例 1.4.2 试分析 为0V,8V和10V情况下 分别为多少?
如图所示电路,场效应管的夹断电压UGS(off)=-4V,饱和漏电流IDSS=4mA。试问,为保证负载电阻RL上的电流为恒流, RL的取值范围为多少?
1.4.5场效应管与晶体管的比较 • 流控?压控? • 温度稳定性 • 噪声 • 管脚互换性 • 偏置的多样性 • 工艺性 • 放大倍数
今日作业 • 1.15,1.16