420 likes | 1.74k Views
薄膜在 DRAM 元件的應用. 指導 老師:吳文端 學生: MA230106 劉期政 MA230123 吳智捷. Outline. DRAM 介紹 DRAM 結構與 組成 薄膜之特性與說明. DRAM 介紹. DRAM 稱為 動態隨機存取記憶體 。 記憶體主要分為 RAM 和 ROM 。 RAM 可以更改寫入的資料但是當電源移除資料 便會 消失。 ROM 寫入資料後無法修改,不過當電源移除時資料也 不會消失 RAM 又分為 DRAM 與 SRAM 。 兩者的差別是 DRAM 需要不斷的充電以保持資料,而 SRAM 則不用,此外 ,. DRAM 結構與組成.
E N D
薄膜在DRAM元件的應用 指導老師:吳文端 學生:MA230106劉期政MA230123吳智捷
Outline DRAM介紹 DRAM結構與組成 薄膜之特性與說明
DRAM介紹 • DRAM稱為動態隨機存取記憶體。 • 記憶體主要分為RAM和ROM。 • RAM可以更改寫入的資料但是當電源移除資料便會消失。 • ROM寫入資料後無法修改,不過當電源移除時資料也不會消失 • RAM又分為DRAM與SRAM。 • 兩者的差別是DRAM 需要不斷的充電以保持資料,而 SRAM 則不用,此外,
薄膜之特性與說明 x P-well N-well 2x P-sub • 緩衝氧化層: 減低應力對矽晶片造成的缺陷。 • N-well與P-well層: 使用磷離子(P31)與硼離子(B11)進行離子佈植,且P- well深度約是 N-well的兩倍。
薄膜之特性與說明 空乏區域 APT N-well N-well N-well N-well P-sub P-sub • 場氧化層APT佈植: 為了避免空乏區過大造成源極與汲極類似短路現象,所以會將源極與汲極基體的濃度增濃。
薄膜之特性與說明 • 複晶矽沉積: 以LPCVD沉積,用來作為閘極。 • 源極與汲極製作: nMOS使用As75離子佈植作源極與汲極,pMOS以BF2 離子佈植作源極與汲極。 • 金屬層Ⅰ沉積: 濺鍍金屬層,金屬結構為Ti/TiN/鋁矽銅合金/TiN,後者TiN為用來當作該層的抗反射層。
薄膜之特性與說明 • ILD製程: ILD為一層三明治結構,分別沉積PECVDOxide/SOG/ PECVD Oxide。 • 金屬層Ⅱ沉積: 該金屬層沉積Ti,該層因為沒直接與矽接觸所以無須沉積TiN。 • 鈍化層沉積: 使用PECVD沉積SiO2,該層為用來保護鋁矽銅合金與緩衝層。
參考文獻 • 圖解RAM結構與原理,系統記憶體的Channel、Chip與Bank - 第 1 頁。http://www.techbang.com/posts/18381-from-the-channel-to-address-computer-main-memory-structures-to-understand?page=1 • bm.nsysu.edu.tw/tutorial/cmfong/reports/%B2%A3%B7~%A4%C0%AAR/DRAM%B2%A3%B7~.pdf • 南臺科技大學,MY數位學習,蔣富成,積體電路製程,上課教材CH3~CH5。http://my.stust.edu.tw/course.php?courseID=27724&f=doclist