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布里奇曼法 LaBr 3 :Ce 晶体生长

布里奇曼法 LaBr 3 :Ce 晶体生长. 为什么是 LaBr 3 :Ce 晶体生长的问题 晶体生长工艺 晶体性能. 为什么是 LaBr 3 :Ce. 2LaBr 3 +O 2 2LaOBr+2Br 2 LaBr 3 +H 2 O LaOBr+HCl. c. b. a. 晶体生长的问题. LaBr 3 极易潮解、氧化. （ 100 ）严重解理 热膨胀各向异性突出. LaBr 3 非常容易开裂. P63/m a=7.96 c=4.51. 定向生长 自发成核技术. 晶体生长工艺. 原料预处理.

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布里奇曼法 LaBr 3 :Ce 晶体生长

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Presentation Transcript

  1. 布里奇曼法LaBr3:Ce晶体生长 • 为什么是LaBr3:Ce • 晶体生长的问题 • 晶体生长工艺 • 晶体性能

  2. 为什么是LaBr3:Ce

  3. 2LaBr3+O2 2LaOBr+2Br2 • LaBr3+H2O LaOBr+HCl c b a 晶体生长的问题 LaBr3极易潮解、氧化 • （100）严重解理 • 热膨胀各向异性突出 LaBr3非常容易开裂 P63/m a=7.96 c=4.51 • 定向生长 • 自发成核技术

  4. 晶体生长工艺 原料预处理 抽真空封装 晶体生长 水、氧含量 < 1ppm 真空度 ~1pa 温度梯度20~30C/cm

  5. 晶体生长成果 1英寸LaBr3:Ce单晶生长技术已经成熟

  6. 晶体生长成果 毛胚晶体 3850mm3 加工晶体 1010 10mm3

  7. 晶体闪烁性能 紫外激发 X射线激发 射线能谱

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