思考题

思考题 11. (a) 一个太阳电池受到光强为20mW/cm2，波长70nm的单色光的均匀照射，如果半导体的禁带宽度为1.4eV，问相应的入射光的光子通量及电池能输出的短路电流的上限是多少。 (b) 如果禁带宽度为2.0eV，相应的电流是多少。

思考题 12.试说明采用热扩散对Si掺杂制造太阳电池时，对表面Si浓度及掺杂深度的要求。并说明对p型半导体受主浓度的要求及基本原因。 13.试说明太阳电池表面收集电流的金属汇流主线与栅线造成功率损耗的主要因素。结合造成功率损耗的上述因素，阐述金属栅极设计原则。

思考题 14.根据自己的理解，请尽可能列举提高太阳电池转换效率的方法及其根据，包括材料选择，电池部件的设计，聚光与跟踪系统的使用，分光与复层电池的设计等。 15. 结合经济性与太阳电池的特点，列举目前比较适合于太阳电池应用场合。