X9R 介质瓷料的介电性能研究

X9R介质瓷料的介电性能研究 报告人：张宁导师：李玲霞教授

主要内容： 研究背景及意义研究内容与思路主要结论 1 3 2

（一）研究背景及意义 MLCC市场占有率日本村田、TDK、京瓷、太阳诱电，韩国三星电机等生产商 • 由于缺乏自主知识产权，我国在许多高性能的瓷料和设备方面都依赖进口，产业发展受到很大限制 • 本课题研究围绕可用于高温度稳定型MLCC瓷料的钛酸钡基介质材料展开 • 研究意义：在改变目前我国高性能MLCC瓷料依赖进口的现象以及提升我国电子元器件领域竞争力等方面具有一定的积极作用。

（二）研究内容及思路 • X7R：-55℃~125℃ • X8R：-55℃~150℃ • X9R：-55℃~175℃/200℃ BaTiO3陶瓷介温特性 (纯BaTiO3，Tc~130℃) 、 ΔC/C20℃≤±15% 介电常数添加剂温度（℃）

（三）主要结论 X9R型BaTiO3基介质陶瓷不同NBT粉末编号及对应Bi/Na比 NBT最佳煅烧方式确定 BT-NBT基体的研制 Nb2O5对BT-NBT基体的掺杂改性 Bi/Na比>1 在BT中分别添加相同质量百分比的四种NBT，发现随Bi/Na比的增加，居里温度下降。不同BTNBT样品介温曲线

Bi/Na比为0.8的NBT（简称为Bi80）移峰效果最为显著Bi/Na比为0.8的NBT（简称为Bi80）移峰效果最为显著不同BTNBT样品介温曲线

各样品编号 样品BTBi80d（Bi80的添加量为15 wt%）居里温度最高（~200℃）。 Bi80添加量的确定

不同Nb2O5添加量样品介温曲线 不同烧结温度样品介温曲线不同球磨时间样品介温曲线不同保温时间样品介温曲线

在Nb2O5的添加量为2.5wt%、球磨时间为8小时、烧结温度为1240℃、烧结过程中的保温时间为3小时等条件下，制备出的介质陶瓷具有最佳性能：-55℃~190℃温区内容温变化率不大于±15%，室温介电常数为1746，室温介电损耗为1.628%，并有望继续拓展工作温区，使温度上限达到200℃以上。在Nb2O5的添加量为2.5wt%、球磨时间为8小时、烧结温度为1240℃、烧结过程中的保温时间为3小时等条件下，制备出的介质陶瓷具有最佳性能：-55℃~190℃温区内容温变化率不大于±15%，室温介电常数为1746，室温介电损耗为1.628%，并有望继续拓展工作温区，使温度上限达到200℃以上。

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X9R 介质 瓷料的介电性能研究