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Thème : Conception, simulation et mesure de composants et circuits photoniques et microondes Dirigé par C. Rumelhard. Laboratoire Systèmes de Communication. 3 Equipes (13 chercheurs - 12 chercheurs associés – 18 doctorants) Equipe Hyperfréquence et Propagation (UMLV)
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Thème : Conception, simulation et mesure de composants et circuits photoniques et microondes Dirigé par C. Rumelhard
Laboratoire Systèmes de Communication • 3 Equipes (13 chercheurs - 12 chercheurs associés – 18doctorants) • Equipe Hyperfréquence et Propagation (UMLV) • Equipe Circuits et systèmes de radiocommunication numériques (ESIEE) • Equipe Composants et circuits microondes et optoélectroniques (CNAM) • 4 Thèmes • Emetteurs de radiocommunications numériques (ESIEE, CNAM) • Algorithmes de modélisation électromagnétique et mesures comparatives (UMLV, CNAM) • Conception, simulation, mesure de composants et circuits photoniques et microondes (CNAM, ESIEE, UMLV) • Codage des signaux et applications de la théorie de l'information au traitement du signal (ESIEE) • Environnement de mesures et de simulation • Banc de mesure de communications numériques • Banc de caractérisation hyperfréquence • Banc de mesure opto-microonde • Banc de caractérisation d’antennes et de matériaux absorbants • Moyens de simulation de composants, de circuits et d’antennes • Technologie hybride
Sujets • Conception de MMIC • Modélisation de phototransistors et photodiodes, • conception et mesure de circuits opto-microondes • Simulation de liaisons optiques en microondes • Réseau télécom UWB
Conception de MMIC • Conception d’un modulateur millimétrique à • suppression d’OL et de bande latérale basse, M. Mehdi • Difficulté d’effectuer un bon filtrage à des fréquences très élevées de l’ordre de plusieurs GHz et sur une bande étroite. • Cahier des charges : Transistors utilisés UMS • - Fréquence intermédiaire : FFI = 2 GHz • - Fréquence de l’oscillateur local : FOL = 29 GHz
Modélisation de phototransistors et photodiodes, conception et mesure de circuits opto-microondes
Popt C C B IAV RC E Icni ICC X.CjC Vopt .Vopt (1-X).CjC B IcN Ict Rb1 Rb2 CjE IbN IEC IEni POUT RE E Modèle de phototransistor
Amplificateur opto-millimétrique : - Conception et dessin CNET Bagneux - Réalisation Opto+/Alcatel - Packaging ESIEE - Mesures LEST Brest
Génération d’un signal microondepar la technique de battement de deux lasers Pélec Popt Coupleur t l1 l Lasers accordables Pélec Popt 50/50 l Dl Détecteur (PiN, HPT, …) l2 l Df f Microondes Ondes optiques
Banc de caractérisation de photodétecteurs à 940 nm Analyseur de Spectre Optique laser 1 Coupleur atténuation Coupleur Rack d’alimentation 50/50 50/50 laser 2 S1 S2 Cavités externes étendues Puissancemètre S3 Photodiode rapide Circuit Analyseur de Spectre microondes sous test
Le HBT Si/SiGe est-il un bon phototransistor? • Thèse de J-L. Polleux • Contact avec l’Université de Ulm (Allemagne) • Réalisation de PTH Si/SiGe Atmel – Ulm (Allemagne) • Caractérisation électrique statique ESIEE, IEF • Montage d’un banc de mesure à 940 nm au CNAM/ESCPI
Modèle du Laser • Circuit électrique équivalent de la couche active IST bISP ICAPA
Liaisons optiques • Introduction dans le modèle de diode laser existant • du bruit en 1/f • avec THALES
UWB - Projet RNRT ERABLE Simulation ampli faible bruit Simulation ampli de puissance