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CHIP VARISTOR--Varistor ESD

CHIP VARISTOR--Varistor ESD. 1. 靜電發生之電壓高低 2. ESD HUMAN BODY MODELING 3. 半導體器件在 ESD 電壓沖繫下,崩潰電壓範圍 4. IC Device 在 ESD 實驗下之結果 5. ESD 對策方法 6. ESD 測定對應 7. 加入回路保護元件之效果 8. 對 ESD 保護電壓準位之測定回路 9. 實驗結果 10. 抑制元件安裝位置與 ESD 改善效果. 目錄. PART A : ESD 對策.

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Presentation Transcript

  1. CHIP VARISTOR--Varistor ESD

  2. 1. 靜電發生之電壓高低 2. ESD HUMAN BODY MODELING 3. 半導體器件在ESD電壓沖繫下,崩潰電壓範圍 4. IC Device在ESD實驗下之結果 5. ESD 對策方法 6. ESD 測定對應 7. 加入回路保護元件之效果 8. 對 ESD 保護電壓準位之測定回路 9. 實驗結果 10. 抑制元件安裝位置與ESD改善效果 目錄 PART A : ESD對策

  3. PART B : SURGE SOLUTION 1.接入 Surge Absorber Device的效果測試 2. VARISTOR 的電壓電流特性 3. VARISTOR 的選擇方法 4. 各種 Varistor 的特性

  4. 1. 靜電發生之電壓高低

  5. 2. 靜電發生模式: 人体MODEL: 因人体活動時產生 電位MODEL : 因電磁場誘導而產生 帶電器件 MODEL : 充電的電荷放電時發生

  6. 2. ESD HUMAN BODY MODE IEC1000-4-2 ESD TEST STANDARD GUN

  7. 3. 半導體器件在ESD電壓沖繫下,崩潰電壓範圍

  8. 4. IC Device在ESD實驗下之結果 各類IC之崩潰電壓關係 Failue Voltage (V) IC 種類

  9. 5. ESD 對策方法

  10. 50Ω衰減機 放入SURGE吸收元件 DIGITAL OSC ESD 實驗機 6. ESD 測定對應 * OPEN CIRCUIT 測試, 請使用 P6015A儀器 * SHORT CIRCUIT 測試, 請使用P6015A儀器,為求測試精確, 並請使用 1GHZ 頻寬之PROB(探針頭)

  11. 7. 加入回路保護元件之效果

  12. 8. 對 ESD 保護電壓準位之測定回路

  13. 9. 實驗結果

  14. 10. 抑制元件安裝位置與ESD改善效果

  15. LS HC 在同一回路中,限流阻抗變化時,被保護的元件崩潰破壞電壓比較

  16. 附加限流阻抗與電容器時, IC之崩潰破壞電壓

  17. PART B: SURGE Solution 1. 接入 SURGE Absorber Device的效果測試

  18. VA2012L 接入 Peak 10 kV Peak 40V 50V/dev 2000V/dev 30uS/dev 30uS/dev Open circuit voltage 接入Varistor時之 Clamping效果

  19. Input : 500 V 10 A Current 特性 Voltage Clamping 特性

  20. 2. VARISTOR 的電壓電流特性 Varistor voltage Working voltage

  21. 3. VARISTOR 的選擇方法 AC電源 LINE 110 V 系列 220 V 系列 SURGE 對策位置 DC 5V (以下) DC 電源 LINE DC 12V 系列 車輛用 一般使用 其它 電話回路 Signal LINE 屋外 信號 BOARD 屋內

  22. 4. 各種 Varistor 的特性 CHIP VARISTOR : 用於ESD回路. 防止功能喪失Failue 去除信號線的Burst/EFT 用於電源2次側之Surge消除 抑制電源開關產生之突波(Surge) 特性: 可低電壓操作 (低 Vc 值) 與其它Device比較時,有更快.更好之頻率響應.

  23. CHIP SURGE ABSORBER : 防止因ESD造成之Circuit Failue • 或誤動作之元件.) • 特性: • 有極小之 Cp 值 ( 1pF 以下, 3pF以下) • 快速頻率反應 • 一般Varistor無法應用之超高速回路. • (一些公司用於天線回路保護上)

  24. CHIP VARISTOR ARRAY :并行信號線上之ESD, EFT/Burst 雜訊消除使用 特性:并行Data Line的ESD, EFT/Burst去除用 使用全球首先成功應用之鍍金技術 體積輕小

  25. VARISTOR 內裝型CHIP LC FILTER : 低通濾波器與ESD. EFT/BURST. SURGE可同時去除. 因而開發之新產品 特性: 有VARISTOR 及 SURGE 抑制元件效果 有EMI FILTER 之同樣效果 貼片型體輕小型 (2012~ 3216 SIZE)

  26. VL SERIES VARISTOR 用於高頻信號線上 低雜散電容型上之Varistor 用於信號線上之ESD. EFT / BURST 的去除 特性: 高速頻率響應 低Cp值,可應用於高頻回路上

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