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I) Etude des architectures classe AB en entrée II) Conception d’un amplificateur en classe AB III) Conclusion. Conception d’un amplificateur de sortie CMOS Faible consommation en classe AB. Arnaud Peizerat (peizeratar@chartreuse.cea.fr). Directeur de thèse : Gérard Bouvier
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I) Etude des architectures classe AB en entrée II) Conception d’un amplificateur en classe AB III) Conclusion Conception d’un amplificateur de sortie CMOS Faible consommation en classe AB Arnaud Peizerat (peizeratar@chartreuse.cea.fr) Directeur de thèse : Gérard Bouvier Encadrant CEA/Leti : Marc Arques
I) Etude des architectures classe AB en entrée (1) 1) Rappels sur la paire différentielle : I1, I2 et Vs en fonction de DV V1=Vcm+DV/2 V2=Vcm-DV/2
I) Etude des architectures classe AB en entrée (2) 2) Utilisation de miroirs de courants : I_tail = I0 + a . | I1 - I2 | [Deg82] •a < 1 , bon hconso mais I_tail < I0/(1-a) • a > 1 , I_tail illimité mais hconso se dégrade a=1
I) Etude des architectures classe AB en entrée (3) 3) Utilisation de suiveurs : • Vs = min ( V1-Vt , V2-Vt) [Har99] et [Tak00] [Deg82] avec a=1 • Vs = constante Vcm-Vt [Ram02]
VS2 VS1 I) Etude des architectures classe AB en entrée (4) • Vs1 =V2 – Vb et Vs2 = V1 – Vb [Cas85], [Cal90], [Pel97], [Elw00]
II) Conception d’un amplificateur en classe AB (1) 1) Cahier des charges: • tension d’alimentation de 3,3 V en techno CMOS 0,35µm à T=77K • dynamique de 2 V • temps d’établissement (à 1%) 30ns • 50 pF < capacité de charge < 100 pF • gain en suiveur # 1 (# 40 dB en BO) et non-linéarités < 1% • tension de bruit en sortie 40 µV rms • réduire la consommation de 9 mA à ???
I1 I2 V1 V2 M1 M2 suiveur Vb Vb II) Conception d’un amplificateur en classe AB (2) 2) Méthode de conception • Conception de « l’ampli externe » • Conception des « suiveurs » principe retenu pour la classe AB
K:1 1:K II) Conception d’un amplificateur en classe AB (3) 3) Conception de « l’ampli externe » OTA à 5 T ⊕ stabilité ⊝ conso. des suiveurs ⊝ capacité d’entrée OTA à 9 T ⊕ capacité d’entrée ⊕ conso. des suiveurs ⊝ stabilité
K:1 1:K K = 4 IM1= IM2= 125 µA IM5 = IM6 = IM7 = IM8 = 500 µA II) Conception d’un amplificateur en classe AB (4) • Raisonnement « petits signaux » sans tenir compte du SR • Gm doublé ⇒ gain de l’OTA doublé et déphasage identique ► Gain_DC > 34 dB (40-6=34) ► fT > 13,5 MHz (27 MHz ⇒ 1er ordre qui s’établit à 1% en 30ns) ► Mj > 85degrés (Mj > 70 degrés en classe AB)
IM1 IM2 V1 V2 N2 M1 M2 V2 N1 N4 augmente la dynamique Vb N4 suiveur Vb N3 Vb IN1= 62,5 µA IN2 = 200 µA Compromis vitesse/stabilité/consommation II) Conception d’un amplificateur en classe AB (5) 4) Conception des « suiveurs »
II) Conception d’un amplificateur en classe AB (6) 5) Conditions de simulation - Techno CMOS standard 0,35µm, tension d’alimentation de 3.3V, - Modèles de transistors « dédiés basse température » (77 K), - Environnement Cadence/AnalogArtist et Simulateur Eldo
II) Conception d’un amplificateur en classe AB (7) 6) Résultats de simulation Simulations AC (en boucle ouverte) Pour Cload=100pF : • Gain_DC = 46,8 dB • Fc = 152,2 kHz • Ft = 33,5 MHz • M = 73,1 °
II) Conception d’un amplificateur en classe AB (8) Simulations transitoires : montage suiveur, Cload=100pF
II) Conception d’un amplificateur en classe AB (9) Simulations transitoires : temps d’établissement à 1% tps tps Cload=100pF Cload=50pF quel que soit l’échelon dans la plage [0,9V ; 3,1V], le temps d’établissement est inférieur à 26ns
II) Conception d’un amplificateur en classe AB (10) Simulations transitoires : linéarité du gain gain gain Cload=50pF Cload=100pF non-linéarités inférieures à 0,33 %
<Ialim> II) Conception d’un amplificateur en classe AB (11) Simulations transitoires : consommation moyenne • Période = 100ns • Vcm = 2V • Istatique = 1,84mA • Ipire_cas = 4,25mA
Caractéristiques de simulations de l’amplificateur En boucle ouverte Gain DC 46,8 dB fT > 33 MHz Marge de phase > 73 deg En boucle fermée, montage suiveur Temps d’établissement (1%) < 26 ns Courant statique de l’alimentation < 1,9 mA Courant pointe de l’alimentation < 26 mA Courant pointe dans la charge < 20 mA Bruit rms en sortie sur [1 Hz ; 10GHz] (simulation AC) 27,1 µV Capacité présentée par l’entrée < 200fF Non-linéarité < 0,33 % II) Conception d’un amplificateur en classe AB (12) Simulations: Bilan pour Cload = 100pF
III) Conclusion • Etude des architectures classe AB en entrée choix d’une technique de classe AB : [Elw00] • Conception d’un amplificateur en classe AB respect du cahier des charges + Istatique/5 • Travail restant validation du circuit par des mesures ( ∼Juin 2004 )