Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники

1. Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники Учебно-методический комплекс ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет»

2. Краткое описание УМК • Цель обучения: • Прошедший подготовку и итоговую аттестацию должен быть готов к профессиональной деятельности по сквозному проектированию компонентной базы микро- и наноэлектроники с применением современных методов и средств САПР TCAD в качестве инженера-технолога, инженера конструктора изделий электронной техники

3. Краткое описание УМК • Целевая аудитория: • инженер-технолог; • инженер-конструктор; • Освоение видов профессиональной (трудовой) деятельности: • проектно-технологическая; • проектно-конструкторская

4. Требования к поступающим • Лица, поступающие на обучение, должны иметь диплом о высшем образовании по направлению Электронная техника, радиотехника и связь, а также следующие компетенции для освоения программы повышения квалификации: • способность привлекать физико-математический аппарат для решения задач профессиональной деятельности; • способность владеть основными методами и средствами получения и переработки информации, работать с компьютером как средством управления информацией; • способность осуществлять сбор и анализ исходных данных для расчета и проектирования электронных приборов.

5. Будет способен обосновано выбирать и применять физико-математические модели и экспериментальные методы при проектировании технологии приборов микро- и наноэлектроники • Сможет проводить экспериментальные исследования в области технологического проектирования с применением современных методов и средств САПР TCAD • Будет разрабатывать и проводить сквозное моделирование технологии и электрофизических параметров элементов электронной компонентной базы Компетенции, которые получит специалист в рамках проектно-технологическойпрофессиональной деятельности:

6. Будет готов обосновано выбирать и применять физико-математические модели и экспериментальные методы при проектировании конструкции приборов микро- и наноэлектроники • Будет проводить экспериментальные исследования в области конструкторско-топологического проектирования с применением современных методов и средств САПР TCAD • Сможет разрабатывать и проводить сквозное приборно-технологическое моделирование элементов электронной компонентной базы Компетенции, которые получит специалист в рамках проектно-конструкторской профессиональной деятельности:

7. Структура УМК

8. Модуль 1: Физико-математические модели технологических процессов в микро- и наноэлектронике Раздел 1. Физическое и математическое моделирование процессов в микроэлектронике как инструмент оптимизации параметров ИС и фундамент современных систем математического моделирования Раздел 2. Модели термического окисления Раздел 3. Аналитические методы расчета диффузионных профилей на основе уравнений Фика Раздел 4. Физико-математические модели процесса ионной имплантации Раздел 5. Методы расчетов параметров легированных структур

9. Модуль 2: Основы работы в среде приборно-технологической САПР TCAD Раздел 1. Введение в проектирование и технологию элементной базы микроэлектроники и твердотельной электроники Раздел 2.Основы приборно-технологического проектирования в специализированном пакете TCAD Раздел 3. Моделирование технологии элементной база микроэлектроники и твердотельной электроники в специализированном пакете Sentaurus (ISETCAD) Раздел 4. Создание и моделирование приборов микроэлектроники и твердотельной электроники в специализированном пакете Sentaurus (ISE TCAD) Раздел 5. Проектирование элементов и технологических процессов изготовления сверх- и ультрабольших интегральных схем

10. Модуль 3. Сквозное моделирование технологии и электрофизических параметров элементов электронной компонентной базы Раздел 1. Физические и схемотехнические основы проектирования элементной базы твердотельной электроники Раздел 2.Проектирование биполярных структур в САПР ТCAD приборно-технологического моделирования Раздел 3. Проектирование МОП структур в САПР ТCAD приборно-технологического моделирования Раздел 4. Проектирование КМОП структур в САПР ТCAD приборно-технологического моделирования Раздел 5. Проектирование структур с субмикронными размерами в САПР ТCAD приборно-технологического моделирования

11. Стажировка Цели стажировки: • Обучение инженеров-технологов и инженеров-конструкторов современным методам и средствам проектирования компонентной базы • Формирование практических навыков проектирования конкретных полупроводниковых приборов в разрезе производимой базовым предприятием продукции • Изучение опытавнедрения и использования современных средств автоматизированного проектирования на базе ведущих зарубежных инновационных центров и предприятий

12. Стажировка В России За рубежом «Методы проектирования полупроводниковых приборов и технологии их создания» (на базе Инжинирингового центра Технопарка ВГУ) • «Опыт внедрения и использования современных средств автоматизированного проектирования компонентной базы микро- и наноэлектроники в ведущих зарубежных инновационных центрах и предприятиях» (на базе Инновационного парка MINATEC, Гренобль, Франция)

13. Контактная информация Название: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Воронежский государственный университет» (ФГБОУ ВПО «ВГУ») Адрес: Университетская пл., 1, Воронеж, 394006 Тел./Факс: +7 (473) 220-87-55 Сайт: http://www.vsu.ru