160 likes | 307 Views
1. 1886. Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет. Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик. Мультиферроики. Материалы, обладающие пьезоэлектрическим или электрострикционным эффектом. Материалы, обладающие магнитострикционным эффектом.
E N D
1 1886 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик
Материалы, обладающие пьезоэлектрическим или электрострикционным эффектом Материалы, обладающие магнитострикционным эффектом Однофазные мультиферроики, обладающие магнитодиэлектрическим эффектом BaTiO3 PbZr1-xTixO3 Ba0.8Pb0.2TiO3 (1-x)[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3] -x[PbTiO3]. BiFeO3 Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 YbMnO3 BiМnO3 LaMnO3 CoFe2O4 LiFe2O4 Y3Fe5O12
Планарные конденсаторные структуры на основе материалов с мультиферроидными свойствами, полученные двумя способами: а) многослойные структуры, содержащие пленки сегнетоэлектриков и ферромагнетиков б) введение в сегнетоэлектрик магнитных элементов в концентрациях, достаточных для возникновения магнитных свойств в композитном материале. Способы формирования искуственных мультиферроидных сред Толщины слоев: BSTO: 0.5 – 1.5 мкм YIG: 5 – 8 мкм Подложка: 300 – 500 мкм
Магнитодиэлектрическое взаимодействие в мультиферроиках
Электродинамическое взаимодействиеЭлектрическая и магнитная перестройка дисперсионных кривых b Dielectric substrate Ferroelectric Film Ferrite Film Dielectric substrate Ferroelectric Film Dielectric substrate Dk, 1/cm d1L, mm w, mm 6
Резонатор на основе структуры феррит-сегнетоэлектрик щелевая линия СВЧ U а б Cu Pt ЖИГ Pt БСТ ЖИГ ЖИГ ГГГ ЖИГ ГГГ ГГГ ГГГ 7
1 – вакуумный колпак установки УВР3-29; 2 – держатель и нагреватель подложек; 3 – порошковая мишень ( 120 мм)
Дифрактограмма BSTO (x=0.5) пленки выращенной на ферритовой подложке. 9
XPS спектр слоистой структуры BSTO/YIG/GGG Рисунок 7 - Слоистая структура идеальный металл–диэлектрик–СЭП–диэлектрический буферный слой–пленка ферритадиэлектрик–идеальный метал и ее электродинамическая модель.
Характеристики исследованных образцов
Установка для измерения диэлектрических характеристик и электропроводности Планарный сегнетоконденсатор
Результаты измерений диэлектрических характеристик исследуемых пленок 13
Вольт-фарадные характеристики и температурные зависимости емкости конденсатора на основе пленки 353S Вольт-фарадные характеристики и температурные зависимости емкости конденсатора на основе пленки 353F
ВФХ структуры металл/BST(Mn)/GGG в магнитном поле Пленка Ba0,5Sr0,5TiO3 с содержанием Mn 15 вес.% 8