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第四节 基本逻辑门电路. 一、基本逻辑关系 在数字电路中,逻辑关系是以输入、输出脉冲信号电平的高低来实现的。如果约定 高电平用逻辑“ 1 ” 表示, 低电平用逻辑“ 0 ” 表示,便称为“ 正逻辑 系统”。反之,如果高电平用逻辑“ 0” 表示,低电平用逻辑“ 1” 表示,便称为“负逻辑系统”,我们讨论时采用正逻辑系统。 逻辑关系是渗透在生产和生活中的各种因果关系的抽象概括。事物之间的逻辑关系是多种多样的,也是十分复杂的,但最基本的逻辑关系却只有三种,即“与”逻辑关系、“或”逻辑关系和“非”逻辑关系。. 其它几种复合逻辑关系. 提问:.
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第四节 基本逻辑门电路 一、基本逻辑关系 在数字电路中,逻辑关系是以输入、输出脉冲信号电平的高低来实现的。如果约定高电平用逻辑“1”表示,低电平用逻辑“0”表示,便称为“正逻辑系统”。反之,如果高电平用逻辑“0”表示,低电平用逻辑“1”表示,便称为“负逻辑系统”,我们讨论时采用正逻辑系统。 逻辑关系是渗透在生产和生活中的各种因果关系的抽象概括。事物之间的逻辑关系是多种多样的,也是十分复杂的,但最基本的逻辑关系却只有三种,即“与”逻辑关系、“或”逻辑关系和“非”逻辑关系。
提问: 1、与出“与”、“或”、“非”、“与非”、“或非”的逻辑符号和逻辑表达式? 2、熟悉“异或”、“同或”的符号和逻辑函数?
二、门电路 逻辑表达式为: F=AB 真值表 1.分立元件门电路 (1)二极管“与”门电路 与门逻辑符号为: F 逻辑功能:有“0”为“0”,全“1”出“1”。
(2)二极管或门电路 其逻辑表达式为: Y=A+B 真值表 或门逻辑符号为: Y 逻辑功能为:全“0”为“0”,有“1”出“1”。
A F 真值表 (3)三极管“非”门电路 逻辑表达式为: Y= 逻辑功能为:取反 波形图为:
2、集成逻辑门电路 分立元件电路有许多缺点,如体积大、可靠性差等,一般在电子电路中作为补充电路时用到,在数字电路中广泛采用的是集成逻辑门电路。 集成门电路目前主要有两大类,一类是采用三极管(晶体管)构成的,如TTL集成电路(双极型三极管)。另一类是由MOS管构成的,通常有NMOS集成电路、PMOS集成电路、用NMOS和PMOS混合构成CMOS集成电路。 和其它集成电路一样,集成门电路我们可以不去讨论它的内部结构和工作原理,但需要知道它的分类、引脚定义、参数和使用方法。
将TTL“与非”门的一个输入端的电位由零逐渐增大,而将其它输入端接高电平(电源正极)或空着不接,测出其输出电压。从电压传输特性上可以看到,TTL“与非”门的标准低电平是0.3V,这时的输出为高电平3.6V。将TTL“与非”门的一个输入端的电位由零逐渐增大,而将其它输入端接高电平(电源正极)或空着不接,测出其输出电压。从电压传输特性上可以看到,TTL“与非”门的标准低电平是0.3V,这时的输出为高电平3.6V。 当输入信号偏离标准低电平而增大时,输出的高电平并不立即下降,大约当输入接近1.4V时,输出信号开始迅速下降; TTL“与非”门的标准高电平是3.6V,这时的输出为低电平0.3V,同样当输入信号偏离标准高电平3.6V而减小时,输出的高电平也不立即上升。
(3)TTL“与非”门的主要参数 ①输出高电平U0H:典型值为3.6V。 ②输出低电平UOL:典型值为0.3V。 ③输入高电平UiH:典型值为3.6V,一般规定最小输入高电平为2.OV,称为开门电平UON,即只要输入Ui>UON,输出一定为标准低电平。 ④输入低电平UiL:典型值为0.3V,一般规定最大输入低电平为0.9V,称为关门电平UOFF,即只要输入Ui<UOFF,输出一定为标准高电平。
开门电平UON与关门电平UOFF在使用集成门电路时是十分重要的参数,它反映了电路的抗干扰能力,标准高电平与开门电平的差值越大,说明与非门输入高电平的抗干扰能力越强。同理,标准低电平与关门电平的差值越大,说明与非门输入低电平的抗干扰能力越强。 其它六个参数: 略 (4)TTL集成门芯片 略
(5)TTL三态输出与非门电路 C为低电平有效 C是控制端,也称为使能端。高电平有效。 逻辑功能为: ① 当控制端C=1时,F= ② 当控制端C=0时,输出端开路而处于高阻状态。
例如: 三态与非门组成的双向传输通路 低电平有效 高电平有效 工作原理: 当C=O时,G2为高阻状态,G1打开,信号由A经G1传送到B。 当C=l时,Gl为高阻状态,G2打开,信号由B经G2传送到A。
3、CMOS门电路 G为低电平有效 G为高电平有效 PMOS为P沟道增强型 NMOS为N增强型
(1)CMOS与非门 T1和T2为串联高电平导通; T3和T4为并联低电平导通。
(4) (3) (1) (2) UDD UDD UDD UDD T4 T4 T3 T3 T3 T4 T3 T4 F F F F T2 T2 T2 T2 T1 T1 T1 T1 逻辑表达式为:F= 等效电路如上图所示
(2)CMOS或非门 T1和T2为并联高电平导通; T3和T4为串联低电平导通。
(1) (2) (3) (4) UDD UDD UDD UDD T4 T4 T4 T4 T3 T3 T3 T3 F F F F T1 T1 T2 T2 T2 T1 T2 T1 等效电路如上图所示 逻辑表达式为:F=
(3)CMOS三态门 当控制端C=l时,Tl、T4同时截止,输出端F处于高阻悬空状态。 当控制端C=O时,Tl、T4同时导通,输出端F由输入端A决定,即: F= T1和T2为串联高电平导通; T3和T4为串联低电平导通。
三、TTL门电路和MOS门电路的使用 (一)、 TTL门电路的使用 1、多余输入端的处理 与非门多余输入端的处理 或非门多余输入端的处理 对于TTL与门多余输入端处理和与非门完全相同,而对TTL或门多余输入端处理和或非门完全相同。
2、TTL电路使用注意事项 (1)电路输入端不能直接与高于+5.5V,低于-0.5V的低电阻电源连接,否则因为有较大电流流入器件而烧毁器件 (2)除三态门和OC门之外,输出端不允许并联使用,否则会烧毁器件。 (3)防止从电源连线引入的干扰信号,一般在每块插板上电源线接去藕电容,以防止动态尖锋电流产生的干扰。 (4)系统连线不宜过长,整个装置应有良好的接地系统,地线要粗、短。
(二) M0S门电路的使用 1、多余输入端的处理 或非门多余输入端处理 与非门多余输入端处理 2、MOS电路使用注意事项 (1) 要防止静电损坏。MOS器件输入电阻大,可达 Ω以上,输入电容很小,即使感应少量电荷也将产生较高的感应电压(UGS=Q/C),可使MOS管栅极绝缘层击穿,造成永久性损坏。 (2) 操作人员应尽量避免穿着易产生静电荷的化纤物,以免产生静电感应。 (3) 焊接MOS电路时,一般电烙铁容量应不大于20W,烙铁要有良好的接地线,焊接时利用断电后余热快速焊接,禁止通电情况下焊接。