２．５　発振回路 oscillation circuit

２．５　発振回路oscillation circuit • ウィーン・ブリッジ型正弦波発振回路引用：棚木義則著「ＰＳｐｉｃｅ入門編」ＣＱ出版，251P. 正帰還 V1 V2 RB/RA=2 非反転増幅器バンドパス・フィルタ

バンドパスフイルタ部の周波数特性 ゲイン｜Ｖ２／Ｖ１｜ 1/3 １［Ｈｚ］ｆ0＝２πＲＣ 0 f0 Im(V2/V1) 位相φ Φ＝tan-1 [rad] Re(V2/V1) ＋９０° ただし，Ｒｅ：実数部，Ｉｍ：虚数部 0 f0 －９０° 引用：棚木義則著「ＰＳｐｉｃｅ入門編」ＣＱ出版，251P.

１．回路と実行条件 電源投入時のショックによる発振をシミュレートするために，Ｒ１のシンボルをダブルクリックしてＩＣ（初期条件）を１Ｖに設定しておくこと

解析結果

２．素子のばらつきの影響（ＰＡＲＡＭの配置と変数による抵抗値の表現）２．素子のばらつきの影響（ＰＡＲＡＭの配置と変数による抵抗値の表現）

（抵抗値のリストを入力）

解析結果：抵抗が大きいと振幅が１割程度おちる解析結果：抵抗が大きいと振幅が１割程度おちる

３．温度による影響（Ｒ４の抵抗値を４９５Ｖに戻しておく）３．温度による影響（Ｒ４の抵抗値を４９５Ｖに戻しておく）

実行条件の指定

解析結果：温度が高くなれば，わずかに振幅が少なくなる。周期はほぼ一緒だが位相がずれている解析結果：温度が高くなれば，わずかに振幅が少なくなる。周期はほぼ一緒だが位相がずれている

余裕のある方へ：C:\Orcadlite\Capture\Library\Pspice\breakout.libのファイルの最後にモデルを追加し，ｂｒｅａｋｏｕｔ．ｌｉｂからＤｂｒｅａｋＺを配置して温度解析を行ってみよう。余裕のある方へ：C:\Orcadlite\Capture\Library\Pspice\breakout.libのファイルの最後にモデルを追加し，ｂｒｅａｋｏｕｔ．ｌｉｂからＤｂｒｅａｋＺを配置して温度解析を行ってみよう。 U1 RAM(16,1) DPWR DGND RE WE + A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 + D_IN D_OUT + RAM8Kx1_TIMING IO_STD + MNTYMXDLY={MNTYMXDLY} IO_LEVEL={IO_LEVEL} *+ DATA= *+ FILE= .MODEL RAM8Kx1_TIMING URAM .ENDS *$ .MODEL DZ6_2 D(IS=1f BV=5.8 RS=2 CJO=120p TT=1u) *$ この２行を追加する

２．５　発振回路 oscillation circuit