存储器应用实例

存储器应用实例 • 用8256存储器芯片构成1M×8的存储器 SRAM8256为256K×8的芯片例题1：

D0~D7 • A0 • • D0~D7 A17 A0 WE D0~D7 A17 OE A0 D0~D7 WE A17 CS A0 OE WE G1 G1 A17 CS G2A OE WE G2B G2B CS OE A A B CS B C C 解： D0~D7 D0~D7 A0 A0 A17 A17 MEMW MEMW MEMR MEMR & & Y0 Y1 A18 A18 Y2 A19 A19 Y3

例题2： • 用Intel2114芯片构成2K×8的内存空间，要求映射的地址空间为78000H~787FFH。

& CS CS1 D3~D0 2114 A9～A0 A9～A0 2114 D3~D0 D3~D0 2114 A9～A0 A9～A0 2114 D3~D0 R/W R/W CS2 CS 解： A9~A0 A9~A0 A9~A0 MEMW MEMR D7~D4 D3~D0 DB D7~D0 D7~D4 D3~D0 A19~A10 片选信号译码模块 A9~A0 A9~A0

MEMW & & MEMR G1 A18 G2A Y0 A17 CS1 G2B A16 ≥1 A15 A19 A14 Y1 A13 CS2 C A12 B A11 A A10 译码模块：

练习： • P244 5.8

流程图的画法 • 椭圆框：用于表示程序的开始和结束。开始 • 矩形框：用于简明扼要地说明一段程序功能。移入高四位 • 菱形框：用于进行判断，规定程序转向。 AX=0？

开始向每个单元写入数据‘A’ 设置首地址读出一个数据取下一个地址输出“ok！” 输出“wrong!” N Y N 是否为A？地址读完否？ Y 结束程序流程

DATA SEGMENT INF1 DB "RIGHT!$" INF2 DB "WRONG!$" DATA ENDS CODE SEGMENT ASSUME CS:CODE, DS:DATA; 参考程序： START: MOV AX,DATA MOV DS,AX MOV AX, 6000H MOV ES, AX MOV DI, 1000H MOV CX,1000H CLD MOV AL, 'A' REP STOSB

MOV DI,1000H MOV CX,1000H MOV BL, 'A' NEXT: MOV AL, ES:[DI] CMP BL,AL JNZ NOTEQU INC DI LOOP NEXT

MOV DX, OFFSET INF1 MOV AH, 09H INT 21H MOV AH,4CH INT 21H NOTEQU: MOV DX, OFFSET INF2 MOV AH, 09H INT 21H MOV AH,4CH INT 21H CODE ENDS END START

三、动态随机存储器DRAM 特点： • DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，需要动态刷新，相应外围电路就较为复杂； • 刷新定时间隔一般为几微秒～几毫秒； • 集成度高,功耗低,速度慢； • DRAM在微机中应用非常广泛。

地址选择线 数据线 T 存储电容 C 刷新放大器存储元基本存储单元（存储元）：分布电容 C0

典型DRAM芯片2164A • 2164A：64K×1bit • 采用行地址和列地址来确定一个单元； • 行列地址分时传送，共用一组地址信号线； • 地址信号线的数量仅为同等容量SRAM芯片的一半。

2164A芯片的外部特性 2164A外部引线图： • 地址输入线：A0~A7； • 地址选通线：RAS、 CAS； • 数据线：DIN、DOUT； • 写允许信号：WE 。

RAS CAS A0~A7 行地址列地址 WE=1 DOUT 有效读出数据 2164A的工作过程数据读出时序：

RAS CAS A0~A7 行地址列地址 WE DINT 有效写入数据数据写入时序：

RAS CAS A0~A7 行地址数据刷新时序： • 将存放于每位中的信息读出再照原样写入原单元的过程－－刷新

A 2164 D0 A0 A0 ×8片 LS158 ~ ~ ~ A8 D7 A7 A7 B ~ A15 RAS0 RAS0 CAS0 CAS0 S ADDSEL WE MEMW MEMR A B LS245 DR E RAMADSEL 2164A在系统中的连接

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