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Buffer layer 磊晶

Buffer layer 磊晶. 成分 : 為 AlN 或 GaN 成長溫度約為 480 °c~550°c 。 使用 MOCVD 磊晶，其主要氣體為氨氣 (NH3) 與有機化合物三甲基鎵 ( Trimethyl gallium, TMG) 反應後形成緩衝層 (Buffer layer) 。. N- GaN 磊晶. 成分 : 為 GaN 摻雜 Si 成長溫度約為 1050°c 。 使用 MOCVD 磊晶，其主要氣體為氨氣 (NH3) 、三甲基鎵 ( Trimethyl gallium, TMG) 與 矽甲烷 (SiH 4 ) 反應後形成。.

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  1. Buffer layer磊晶 • 成分:為AlN或GaN • 成長溫度約為480 °c~550°c。 • 使用MOCVD磊晶，其主要氣體為氨氣(NH3)與有機化合物三甲基鎵(Trimethyl gallium, TMG)反應後形成緩衝層(Buffer layer)。

  2. N-GaN磊晶 • 成分:為GaN摻雜Si • 成長溫度約為1050°c。 • 使用MOCVD磊晶，其主要氣體為氨氣(NH3)、三甲基鎵(Trimethyl gallium, TMG)與矽甲烷(SiH4 )反應後形成。

  3. Multiple Quantum Well磊晶 • 成分:InGaN/GaN(well/barrier) • 成長溫度約為770°c。 • 使用MOCVD磊晶，Well的部分主要氣體為氨氣(NH3)、有機化合物三甲基鎵(Trimethyl gallium, TMG)與三甲基銦(Trimethyl-Indium, TMI)反應形成，Barrier的主要氣體為氨氣(NH3)與有機化合物三甲基鎵(Trimethyl gallium, TMG)反應後形成。

  4. Electron Blocking Layer磊晶 • 成分:為AlGaN摻雜Mg • 成長溫度約為950°c。 • 使用MOCVD磊晶，其主要氣體為氨氣(NH3)、三甲基鎵(Trimethyl gallium, TMG)、三甲基鋁（Trimethylaluminum, TMAL）與二茂鎂(CP2Mg)反應後形成。

  5. P-GaN磊晶 • 成分為GaN摻雜Mg • 成長溫度約為950°c~1120°c。 • 使用MOCVD磊晶，其主要氣體為氨氣(NH3)、三甲基鎵(Trimethyl gallium, TMG)與二茂鎂(CP2Mg)反應後形成。

  6. 參考資料 • http://www.ledinside.com.tw/knowledge/20121018-23464.html • http://www.levitronix.com/cn/cmp-slurry-683.html • http://big5.made-in-china.com/info/article-5005884.html • http://een.ctu.edu.tw/ezfiles/16/1016/img/833/LED13.pdf • http://www.cnledw.com/inter/upload/201105061522121214.pdf • http://www.ieo.nctu.edu.tw/sclab/oedevicepdf/III-V_MOCVD.pdf

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