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有机化合物的结构表征

有机化合物的结构表征. 【 本章重点 】. 红外光谱、核磁共振谱。. 【 必须掌握的内容 】. 1. 红外光谱、核磁共振谱的基本原理。. 2. 红外光谱、核磁共振谱谱图的解析方法。. 前 言:. 有机化合物的结构表征(即测定) —— 从分子水平 认识物质的基本手段,是有机化学的重要组成部分。过. 去,主要依靠化学方法进行有机化合物的结构测定,其 缺点是:费时、费力、费钱,试剂的消耗量大。例如: 鸦片中吗啡碱结构的测定,从 1805 年开始研究,直至 1952 年才完全阐明, 历时 147 年。. 而现在的结构测定,则采用现代仪器分析法,其优

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有机化合物的结构表征

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  1. 有机化合物的结构表征 【本章重点】 红外光谱、核磁共振谱。 【必须掌握的内容】 1. 红外光谱、核磁共振谱的基本原理。 2. 红外光谱、核磁共振谱谱图的解析方法。 前 言: 有机化合物的结构表征(即测定)—— 从分子水平 认识物质的基本手段,是有机化学的重要组成部分。过

  2. 去,主要依靠化学方法进行有机化合物的结构测定,其去,主要依靠化学方法进行有机化合物的结构测定,其 缺点是:费时、费力、费钱,试剂的消耗量大。例如: 鸦片中吗啡碱结构的测定,从1805年开始研究,直至1952 年才完全阐明,历时147年。 而现在的结构测定,则采用现代仪器分析法,其优 点是:省时、省力、省钱、快速、准确,试剂耗量是微

  3. 克级的,甚至更少。它不仅可以研究分子的结构,而且克级的,甚至更少。它不仅可以研究分子的结构,而且 还能探索到分子间各种集聚态的结构构型和构象的状况, 对人类所面临的生命科学、材料科学的发展,是极其重 要的。 对有机化合物的研究,应用最为广泛的是:紫外光 谱(ultravioler spectroscopy 缩写为UV)、红外光谱 (infrared spectroscopy 缩写为IR)、核磁共振谱 (nuclear magnetic resonance 缩写为NMR)和质谱 (mass spectroscopy 缩写为MS). §3-1 有机化合物的结构与吸收光谱

  4. 光是一种电磁波,具有波粒二相性。 波动性:可用波长(λ)、频率(ν)和波数(σ)来 描述。 按量子力学,其关系为: 微粒性:可用光量子的能量来描述:

  5. 该式表明:分子吸收电磁波,从低能级跃迁到高能该式表明:分子吸收电磁波,从低能级跃迁到高能 级,其吸收光的频率与吸收能量的关系。 由此可见,λ与E,ν成反比,即λ↓,ν↑(每秒 的振动次数↑),E↑。 在分子光谱中,根据电磁波的波长(λ)划分为几个 不同的区域,如下图所示:

  6. 分子的总能量由以下几种能量组成:

  7. §3-2 红外光谱 一、红外光谱的表示方法 一般指中红外(振动能级跃迁)。

  8. 横坐标:波数(σ)400~4000 cm-1;表示吸收峰的位置。 纵坐标:透过率(T %),表示吸收强度。T↓,表明吸收的 越好,故曲线低谷表示是一个好的吸收带。 I:表示透过光的强度; I0:表示入射光的强度。

  9. 二、分子振动与红外光谱 1 1.分子的振动方式 (1)伸缩振动:

  10. (2)弯曲振动: 值得注意的是:不是所有的振动都能引起红外吸收, 只有偶极矩(μ)发生变化的,才能有红外吸收。 H2、O2、N2电荷分布均匀,振动不能引起红外吸收。 H―C≡C―H、R―C≡C―R,其C≡C(三键)振动 也不能引起红外吸收。

  11. 化学键 键长(nm) 键能(Kj.mol-1) 力常数 k(N.cm-1) 波数范围(cm-1) C―C 0.154 347.3 4.5 700~1200 C=C 0.134 610.9 9.6 1620~1680 C≡C 0.116 836.8 15.6 2100~2600 2.振动方程式(Hooke定律) 式中:k — 化学键的力常数,单位为N.cm-1 μ — 折合质量,单位为g 力常数k:与键长、键能有关:键能↑(大),键长↓(短),k↑。 一些常见化学键的力常数如下表所示:

  12. 折合质量μ:两振动原子只要有一个的质量↓,μ↓,折合质量μ:两振动原子只要有一个的质量↓,μ↓, σ(ν)↑,红外吸收信号将出现在高波数区。 3. 分子的振动能级跃迁和红外吸收峰位 分子的振动是量子化的,其能级为: 式中:v — 为振动量子数 (0,1,2,…);ν振为化学键的振动频 率。

  13. 分子由基态v = 0 跃迁到激发态v = 1 时,吸收光的能 量为: 分子振动频率习惯以σ(波数)表示: 由此可见:σ(ν)∝k,σ(ν)与μ成反比。 吸收峰的峰位:化学键的力常数k越大,原子的折合 质量越小,振动频率越大,吸收峰将出现在高波数区(短

  14. 波长区);反之,出现在低波数区(高波长区)。波长区);反之,出现在低波数区(高波长区)。 结论: 产生红外光谱的必要条件是: 1. 红外辐射光的频率与分子振动的频率相当,才能满 足分子振动能级跃迁所需的能量,而产生吸收光谱。 2. 振动过程中必须是能引起分子偶极矩的分子才能 产生红外吸收光谱。 三、有机化合物基团的特征频率 总结大量红外光谱资料后,发现具有同一类型化学 键或官能团的不同化合物,其红外吸收频率总是出现在

  15. 一定的波数范围内,我们把这种能代表某基团,并有较一定的波数范围内,我们把这种能代表某基团,并有较 高强度的吸收峰,称为该基团的特征吸收峰(又称官能 团吸收峰)。 1.特征频率区: 在1600~3700 cm-1区域(称为:高频区)出现的吸 收峰,较为稀疏,容易辨认,主要有: (1)Y-H 伸缩振动区: 2500~3700 cm-1,Y= O、N、C。 (2)Y≡Z 三键和累积双键伸缩振动区: 2100~2400 cm-1,主要是:C≡C、C≡N 三键和 C=C=C、C=N=O 等累积双键的伸缩振动吸收峰。

  16. (3)Y=Z双键伸缩振动区: 1600~1800 cm-1,主要是:C=O、C=N、C=C等双 键。 2.指纹区: <1600 cm-1的低频区,主要是:C-C、C-N、C-O 等单键和各种弯曲振动的吸收峰,其特点是谱带密集、难 以辨认。 3.倍频区: >3700 cm-1的区域,出现的吸收峰表示基团的基本 频率,而是一些基团的倍频率,其数值略低于基本频率 的倍数。

  17. 四、红外谱图解析 红外谱图解析的基本步骤是: 鉴定已知化合物: 1.观察特征频率区:判断官能团,以确定所属化合物 的类型。 2.观察指纹区:进一步确定基团的结合方式。 3.对照标准谱图验证。 测定未知化合物: 1.准备性工作: 了解试样的来源、纯度、熔点、沸点等;

  18. 经元素分析确定实验式; 有条件时可有MS谱测定相对分子量,确定分子式; 根据分子式计算不饱和度,其经验公式为: Ω = 1 + n4 + 1 / 2(n3 – n1) 式中:Ω—代表不饱和度;n1、n3、n4分别代表分 子中一价、三价和四价原子的数目。 双键和饱和环状结构的Ω为1、三键为2、苯环为4。 2.按鉴定已知化合物的程序解析谱图。 谱图解析示例:

  19. 1.烷烃: 1. 2853~2962cm-1C—H伸缩振动; 2. 1460cm-1、1380cm-1C—H(—CH3、—CH2)面内弯曲振动; 3. 723cm-1C—H[—(CH2)n—, n ≥ 4]平面摇摆振动;若n<4 吸 收峰将出现在734~743cm-1处。

  20. 2.烯烃 1. 3030cm-1=C—H伸缩振动;2. C—H伸缩振动; 3. 1625cm-1C=C伸缩振动;4. C—H(—CH3、— CH2)面内弯曲振动;

  21. 二者的明显差异: 1.C=C双键的伸缩振动吸收峰: 顺式—1650cm-1。反式—与CH3、CH2的弯曲振动 接近。 2.=C-H的平面弯曲振动吸收峰位置: 顺式—700cm-1;反式—965cm-1。 3.醇

  22. 三者的异同点: 1.缔合O—H的伸缩振动吸收峰:均出现在3350cm-1处左右,差距不大。 2. C—O键的伸缩振动吸收峰有明显的差异: 伯醇:1050~1085cm-1; 仲醇:1100~1125cm-1; 叔醇:1150~1120cm-1。

  23. 4.醛与酮

  24. 二者的异同点: 1.在1700cm-1处均有一个强而尖的吸收峰,为C=O (羰基)的特征吸收峰。 C=O(羰基)吸收峰的位置与其邻近基团有关,若 羰基与双键共轭,吸收峰将向低波数区位移。 2.醛基在2715cm-1处有一个强度中等的尖峰,这是鉴 别分子中是否存在—CHO的特征基团。 5. 羧酸及其衍生物

  25. 1.O—H 伸缩振动吸收峰:二聚体3000~2500cm-1; 2.C—H 伸缩振动吸收峰: 3.C=O 伸缩振动吸收峰:1725~1700cm-1(脂肪族 羧酸),1700~1680cm-1(芳香族羧酸)。

  26. 1. C=O伸缩振动:在1850~1780 cm-1、1790~1740 cm-1两处同时出现。 2.C—O—C伸缩振动:1300~1050cm-1(强吸收)。

  27. §3-3 核磁共振谱 一、基本原理 1. 原子核的自旋 核象电子一样,也有自旋现象,从而有自旋角动量。 核的自旋角动量(ρ)是量子化的,不能任意取值, 可用自旋量子数(I)来描述。

  28. I=0、1/2、1…… I = 0,ρ=0, 无自旋,不能产生自旋角动量,不会 产生共振信号。 ∴ 只有当I>O时,才能发生共振吸收,产生共振 信号。 I 的取值可用下面关系判断: 质量数(A)原子序数(Z)自旋量子数(I) 奇 数 奇数或偶数半整数 n + 1/2。n = 0,1,2,… 奇 数整 数 偶 数 偶 数 0

  29. 例如: 2.自旋核在外加磁场中的取向 取向数= 2 I + 1 (在没有外电场时,自旋核的取向是任意的)。

  30. 3.磁共振的产生 在外场中的取向。 磁性核的自旋取向表明 它的某个特定能级状态(用 磁量子数ms表示)。取值为 –I… 0 … +I。 即:每一个取向都代表一个能级状态,有一个ms。 如:1H核:∵I=1/2 ∴ ms为-1/2 和+1/2

  31. 结论: (1)ΔE ∝ H0; (2)1H受到一定频率(ν)的电磁辐射,且提供的能 量 =ΔE,则发生共振吸收,产生共振信号。 二、化学位移

  32. 1. 化学位移的由来 —— 屏蔽效应 化学位移是由核外电子的屏蔽效应引起的。 若质子的共振磁场强度只与γ(磁旋比)、电磁波照射 频率H0有关,那么,试样中符合共振条件的1H都发生共振, 就只产生一个单峰,这对测定化合物的结构是毫无意义 的。 实验证明:在相同的频率 照射下,化学环境不同的质子 将在不同的磁场强度处出现吸 收峰。 H核在分子中不是完全裸

  33. 露的,而是被价电子所包围的。因此,在外加磁场作用露的,而是被价电子所包围的。因此,在外加磁场作用 下,由于核外电子在垂直于外加磁场的平面绕核旋转, 从而产生与外加磁场方向相反的感生磁场H ' 。这样,H 核的实际感受到的磁场强度为: 式中:σ为屏蔽常数 核外电子对H核产生的这种作用,称为屏蔽效应(又 称抗磁屏蔽效应)。 显然,核外电子云密度越大,屏蔽效应越强,要发 生共振吸收就势必增加外加磁场强度,共振信号将移向

  34. 高场区;反之,共振信号将移向低场区。 因此,H核磁共振的条件是: 2. 化学位移的表示方法 不同化学环境的H核,受到不同程度的屏蔽效应的影 响,因而吸收峰出现在核磁共振谱的不同位置上,吸收 峰这种位置上的差异称为化学位移。

  35. 为什么选用TMS(四甲基硅烷)作为标准物质? (1)屏蔽效应↑,共振信号在高场区(δ值规定为 0),绝大多数吸收峰均出现在它的左边。 (2)结构对称,是一个单峰。 (3)容易回收(b.p低),与样品不缔合。 三、影响化学位移的因素 凡影响电子云密度的因素都将影响化学位移。其中

  36. 影响最大的是:诱导效应和各向异性效应。 (1)电负性的影响: 元素的电负性↑,通过诱导效应,使H核的核外电子 云密度↓,屏蔽效应↓,共振信号→低场。例如:

  37. (2)磁各向异性效应: A.双键碳上的质子 烯烃双键碳上的H质子位于π键环流电子产生的感生 磁场与外加磁场方向一致的区域(称为去屏蔽区),去 屏蔽效应的结果,使烯烃双键碳上的H质子的共振信号移

  38. 向稍低的磁场区,其δ=4.5~5.7。 同理,羰基碳上的H质子与烯烃双键碳上的H质子相 似,也是处于去屏蔽区,存在去屏蔽效应,但因氧原子 电负性的影响较大,所以,羰基碳上的H质子的共振信号 出现在更低的磁场区,其δ=9.4~10。

  39. B.三键碳上的质子: 碳碳三键是直线构型,π 电子云围绕碳碳σ键呈筒型分 布,形成环电流,它所产生的 感生磁场与外加磁场方向相反, 故三键上的H质子处于屏蔽区, 屏蔽效应较强,使三键上H质 子的共振信号移向较高的磁场 区,其δ=2~3。

  40. 练习: 苯环上H质子的共振信号应出现在高场区还是低 场区?为什么? 小结:

  41. 四、决定质子数目的方法 吸收峰的峰面积,可用自动积分仪对峰面积进行自 动积分,画出一个阶梯式的积分曲线。 峰面积的大小与质子数目成正比。 峰面积高度之比= 质子个数之比。 五、共振吸收峰(信号)的数目

  42. 一个化合物究竟有几组吸收峰,取决于分子中H核一个化合物究竟有几组吸收峰,取决于分子中H核 的化学环境。 有几种不同类型的H核,就有几组吸收峰。 例如: 低分辨率谱图 六、自旋偶合与自旋裂分 在高分辨率核磁共振谱仪测定CH3CH2―I 或 CH3CH2OH时CH3―和―CH2―的共振吸收峰都不是单峰,

  43. 而是多重峰。 产生的原因: 相邻的磁不等 性H核自旋相互作 用(即干扰)的结 果。这种原子核之 间的相互作用,叫做自旋偶合。由自旋偶合引起的谱线 增多的现象,叫做自旋裂分。 偶合表示核的相互作用,裂分表示谱线增多的现象。 现以CH3CH2―I为例,讨论自旋偶合与自旋裂分作用:

  44. 首先,分析―CH3上的氢(以Ha表示): 它的邻近―CH2―上有两个H核(以Hb表示),Hb对 Ha的影响可表示如下: ∵H核的自旋量子数I = 1/2,在磁场中可以有两种 取向,即: + 1/2(以↑表示)和 -1/2(以↓表示) 这样,Hb的自旋取向的排布方式就有以下几种情况:

  45. 同理,也可画出Ha对Hb的影响。

  46. 由此可见,裂分峰的数目有如下规律: 峰的数目 = n + 1 n:为相邻H核的数目

  47. 七、偶合常数 每组吸收峰内各峰之间的距离,称为偶合常数,以 Jab表示。下标ab表示相互偶合的磁不等性H核的种类。 偶合常数的单位用Hz表示。偶合常数的大小与外加 磁场强度、使用仪器的频率无关。 值得注意的是: 自旋偶合与相互作用的两个H核的相对位置

  48. 有关,当相隔单键数≤3时,可以发生自旋偶合,相隔三个以上单键,J值趋于0,即不发生偶合。 磁等性H核之间不发生自旋裂分。如CH3—CH3只有 一个单峰。 八、谱图解析 1.

  49. 一张谱图可以向我们提供关于有机分子结构的如下信一张谱图可以向我们提供关于有机分子结构的如下信 息: 1. 由吸收峰的组数,可以判断有几种不同类型的H核; 2. 由峰的强度(峰面积或积分曲线高度),可以判断 各类H的相对数目; 3.由峰的裂分数目,可以判断相邻H核的数目; 4. 由峰的化学位移(δ值),可以判断各类型H所属 的化学结构; 5. 由裂分峰的外型或偶合常数,可以判断哪种类型H 是相邻的。

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