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MIEL – CBN – L3. Méthodes de caractérisation. plan. Exercice corrigé Méthodes de caractérisation Signal CMOS Signal standard Temps de propagation et de transition Capacité maximale de charge Puissance consommée Simulateur électrique Eldo. La cible technologique.
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MIEL – CBN – L3 Méthodes de caractérisation ENST Paris – COMELEC – Jean Provost
plan • Exercice corrigé • Méthodes de caractérisation • Signal CMOS • Signal standard • Temps de propagation et de transition • Capacité maximale de charge • Puissance consommée • Simulateur électrique Eldo ENST Paris : MIEL_CBN_L3
La cible technologique • Fondeur AustriaMicroSystems CMOS 0,35µm • http://www.austriamicrosystems.com/ • Fondeur STMicrolectronicshttp://www.stm.com/ • Technologie CMOS 90nm • Niveaux métal = 7 • Alimentation VDD = +1V • Nb de masques = 33 (dont 1 poly) • Paramètres techno = typique • Température = 25°C • Modèle MOS = BSim3v3 ENST Paris : MIEL_CBN_L3
La cible technologique valeurs des paramètres technologiques Ldf = 0,1µm Vdd = +1V tox = 2nm Wdf = 0,5µm C’ox = 17,7fF µm-2 Ljdf = 0,5µm VT0N = +0,26V VT0P = -0,22V kn = 492 µA V-2 kp = 172 µA V-2 LD = 9nm LD = 5nm C’j0n = 1,0fF µm-2 C’j0p = 0,95fF µm-2 C’j0wn = 0,3fF µm-1 C’jw0p = 0,3fF µm-1 ENST Paris : MIEL_CBN_L3
G G S D CGB CGSO CGDO B B S D CGC Ids CGB CjD CjS CCB B Modèle capacitif du transistor MOSschéma du circuit équivalent ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Modèle capacitif du transistor MOSquelques équations! e0erox CGC = W L tox 1 CGB = ––––––––––– e0erSi 1 1 CCB = W L ––– + ––––– xd(Vgb) CGCCCB(Vgb) CGD = CGS ½ C'ox W L CDB = CSB = C’jW Lj + C’jw 2(W+Lj) ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Vgs = 0 VT0N Ids = 0 Vgs = Vdd > VT0N Vds 0+ 0 < Vds < Vdssat Vds = Vdssat = Vgs - VT0N Vds > Vdssat Le courant Ids du NMOS (résumé) quelques équations! ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Exercice: amplification logiqueoptimisation du temps de propagation Ln = Lp = Ldf tp Wnu = Wdf 2 Wp = Wn*psn u k = µ0*C’ox CL=100Ceu Si: VT0N = |VT0P| kn psn = (équilibrage) kp Wn2 = Wnu*kw ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Exercice: amplification logiqueproblématique tp 2 tpal = tpINVu + tpINV2 u CL tpINVu = tpu + dtpu*CeINV2 tpINV2 = tp0INV2 + dtpINV2*CL tp0INV2 ? tpu, kw dtpINV2 ? dtpu, kw CeINV2 ? Ceu, kw ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Exercice: amplification logiqueCeu, Ceinv2 Ce = CGCN + CGCP Ceu = C'ox*Ldf*Wdf*(1+psn) u 2 Ceinv2 = C'ox*Ldf*Wdf*kw*(1+psn) Ceinv2 = Ceu*kw ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Exercice: amplification logiqueCsu, Csinv2 Cs = 2(CGDN+CGDP) + CDBN+CDBP Csu = C'ox*Ldf*Wdf*(1+psn) +Wdf*(C’j0N*Lj+C’j0wN*2(1+Lj/Wdf) +psn(C’j0P*Lj+C’j0wP*2(1+Lj/Wdf)) u Csinv2 = kw*Wdf*[C'ox *Ldf*(1+psn) + (C’j0N*Lj+C’j0wN*2(1+Lj/kw*Wdf) +psn(C’j0P*Lj+C’j0wP*2(1+Lj/ kw* Wdf)) )] 2 Csinv2 Csu*kw ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Exercice: amplification logiqueRsu, dtpu, Rsinv2, dtpinv2 dtp = Rs RDS0 u Rsud [kn*Wdf/Ldf*(Vdd-VT0N)]-1 2 Rsinv2 [kn*Wdf*kw/Ldf*(Vdd-VT0N)]-1 Rsinv2 = Rsu/kw dtpinv2 = dtpu/kw ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Exercice: amplification logiquetp0u, tpu, tp0inv2 tp0 = Rs*Cs RDS0*Cs u tp0u= tpu = Rsu * Csu 2 tp0inv2= Rsinv2*tp0inv2 = Rsu/kw*Csu*kw tp0inv2 = tpu ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Exercice: amplification logiquekwopt tp 2 u CL tpal = 2*tpu + dtpu*(Ceu*kw + CL/kw) kwopt = VCL/Ceu CL = 100Ceu kwopt = 10 ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Caractérisation: le signal CMOS • But de la simulation:être le plus «réaliste» possible • Exemple le signal CMOS: • Un générateur idéal • 2 inverseurs unitaires • Dimensions minimales: Wnu=Wdf, Lnu=Lpu=Ldf, • Équilibrés: u u Vg Ve ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Caractérisation: le signal standard • Buts de la bibliothèque:être le plus «prévoyant» possiblesimplifier la conception de matériel • Exemple le signal standard: • Un signal CMOS • Un temps maximal de transition: ttmax • À l’intérieur du circuit: i : tti ttmax, • ttmax: temps de transition (montée et descente) • à la sortie de 1 invu • chargée par 16 invu ENST Paris : MIEL_CBN_L3
le signal standard: ttmaxcaractérisation de la technologie u1 ttm=ttd=ttmax u2 u u u M=16 Vg Ve Vs u15 u16 ENST Paris : MIEL_CBN_L3
le signal standard: ttmaxsignal appliqué X Cei ttm=ttd=ttmax u u Vg Cx Ve Cx + Cei = 16*Ceu ENST Paris : MIEL_CBN_L3
tp = tp0 + dtp * Cext Cext = Cei ei , sk : ttm ttmax ttd ttmax Ce sur chaque ei tp0 entre chaque [ei, sk] (en respectant ttmax) m et d dtp sur chaque sk (en respectant ttmax) Cextmax sur chaque sk (Cext telle que tt=ttmax) Caractérisation: quels paramètres? • Conditions • Conséquences ENST Paris : MIEL_CBN_L3
tpei = tpxe Cei = Cxe tp tpxe tpxe tpei u u u Cxe Cxe Cei Caractérisation: la capacité d’entrée X Cei tpei u u u Vg ENST Paris : MIEL_CBN_L3
t ttk ttmax tp0ik + dtpkCext dtpk ttk tp0ik Cext Cextmax Cext Caractérisation: tp0, dtp, Cextmax X sk ei ttmax u u Vg Cx ENST Paris : MIEL_CBN_L3
P, t ttk ttmax Pvdd Cext X sk ei Cextmax ttk ttmax Vdd = u u Vdq = Cext Vg Cx Caractérisation: Puissance consomméeà vide en µW Mhz-1 À partir de Pvdd, comment calculer la puissance consommée à vide,alors que Cext n’est pas nulle? ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Feuille de caractéristiquesdata sheet 0.35 µm CMOS NA2 table de vérité capacités Pin Cap [fF] A 8 B 10 A B Q 0 X 1 X 0 1 1 1 0 NA2 puissance aire 55 µm2 0.293 µW/MHz ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Feuille de caractéristiquesdata sheet 0.35 µm CMOS NA2 Caractéristiques dynamiques: Tj = 27°C VDD = 3.3V Typical Process Rise Fall Slope [ns] 0.1 2 0.1 2 Load [pF] 0.015 0.15 0.015 0.15 0.015 0.15 0.015 0.15 Delay A => Q 0.11 0.59 0.32 0.88 0.11 0.49 0.23 0.83 Delay B => Q 0.12 0.6 0.37 0.9 0.11 0.49 0.16 0.69 Slew A => Q 0.31 1.87 0.69 2.09 0.18 1.09 0.65 1.5 Slew B => Q 0.34 1.92 0.75 2.13 0.18 1.09 0.6 1.39 ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Paramètres typiques • Paramètres technologiques • « slow » • « typ » • « fast » • Température • 150°C • 27°C • Tension d’alimentation • Dégradéee: +0,8V • Nominale: +1,0V ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Choix du jeu de paramètres Nombre de circuits validés Performance Rejetés parle fondeur slow fast typ ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Simulateur électrique Eldodescription du circuit • Instanciation des éléments = Spice:commandes ne commençant pas par «.» • V = générateur de tension • R = résistance • C = capacité • M = transistor MOS • X = sous-circuit (déclaré dans .SUBCKT) • … ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Simulateur électrique Eldocommandes principales • Commandes commençant par «.» • Bibliothèque des paramètres technologiques • .LIB ’/comelec/softs/opt/opus_kits/AMS/ams_v3.30/eldo/csx/cmos53tm.mod’ • Paramétrages des dimensions minimales • .PARAM ldf=.35u wdf=1.u ljdf=1.u alm=+3.3 kdf=2.4 • Variables électriques à sauvegarder • .PROBE TRAN V(e) V(s) I(Vis) I(Vdd) • Simulation en régime transitoire • .TRAN .1p 2n • Multi-simulation • .STEP PARAM kdf 1 5 .5 • Extraction de paramètres • .EXTRACT TRAN LABEL=nom_du_tableau-de_valeurs … ENST Paris : MIEL_CBN_L3
0,9*alm 0,1*alm tms tds Simulateur électrique Eldoextraction de paramètres • temps de transition en montée: • … LABEL= tms TRISE (V(sortie), VL={alm*0.1}, VH={alm*0.9], OCCUR=1) • temps de transition en descente: • … LABEL= tds TFALL (V(sortie), VL={alm*0.1}, VH={alm*0.9], OCCUR=1) tension du nœud « sortie » alm temps 0 ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Simulateur électrique Eldoextraction de paramètres • temps de propagation à la montée (logique impaire): • … LABEL= tpm TPDDU (V(entree), V(sortie), VTH={alm*0.5}, OCCUR=1) tension alm entree ½*alm temps 0 alm sortie ½*alm 0 temps tpm ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Simulateur électrique Eldoextraction de paramètres • temps de propagation à la descente (logique impaire): • … LABEL= tpd TPDUD (V(entree), V(sortie), VTH={alm*0.5}, OCCUR=1) tension alm entree ½*alm temps 0 alm sortie ½*alm 0 temps tpd ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Simulateur électrique Eldoextraction de paramètres • temps de propagation à la descente (logique paire): • … LABEL= tpd TPDDD (V(entree), V(sortie), VTH={alm*0.5}, OCCUR=1) tension alm entree ½*alm temps 0 alm sortie ½*alm 0 temps tpd ENST Paris : MIEL_CBN_L3
Simulateur électrique Eldoextraction de paramètres • temps de propagation (logique différentielle): • .DEFWAVE ediff={+V(e)-V(eb)} • .DEFWAVE sdiff={+V(s)-V(sb)} • … LABEL= tpm TPDDU (W(ediff), W(sdiff), VTH={0}, OCCUR=1) tension alm e ½*alm eb 0 temps s alm ½*alm sb 0 temps tpm ENST Paris : MIEL_CBN_L3