100 likes | 269 Views
BỘ KHUÊCH ĐẠI BJT. Nhóm thực hiện Dương Vũ Mão Nguyễn Minh Mẫn Nguyễn Thanh Tùng. |A i |. Low-Frequency. Hi-Frequency. Mid-Frequency. f L. f H. f. BỘ KHUẾCH ĐẠI BJT. BỘ KHUẾCH ĐẠI BJT. Thiết kế để đạt Maxswing Chọn R e = 560 , R c = 2.2k, R L = 330
E N D
BỘ KHUÊCH ĐẠI BJT Nhóm thực hiện Dương Vũ Mão Nguyễn Minh Mẫn Nguyễn Thanh Tùng
|Ai| Low-Frequency Hi-Frequency Mid-Frequency fL fH f BỘ KHUẾCH ĐẠI BJT
BỘ KHUẾCH ĐẠI BJT Thiết kế để đạt Maxswing Chọn Re = 560, Rc = 2.2k, RL = 330 Transistor C1815 có hfe = 150 Rb = 0.1βRe, chọn Rb=4k ICQTƯ = VCC/(RDC+RAC)=3.78mA VBB=ICQTƯ(RB/hfe+RE)=2.85V
BỘ KHUẾCH ĐẠI BJT R1 = RBVCC / (VCC - VBB) R2 = RBVCC/VBB Chọn R1 = 5.6k, R2 = 18k Tính được : ICQTƯ = 3.88mA hie = 1.4hfeVT/ICQ hib = 10.4Ω RB’ = RB//[hie+hfeRE]
BỘ KHUẾCH ĐẠI BJT Chọn giá trị tụ điện Ce = {2πfL[Re//(hib+Rb/hfe)]}-1 Chọn Ce = 560uF Cc1 = [2πf(Ri + Rb’)]-1 Cc2 = [2πf(Rc + RL)]-1 Chọn Cc1 = 100uF, Cc2 = 47uF
BỘ KHUẾCH ĐẠI BJT Phân tích lí thuyết fL={2πCe[Re//(hib+Rb/hfe)]}-1=20.5Hz f1 = (2πReCe)-1 = 1Hz Aim = hfe/(1+hie/Rb) =110.3 (40.9dB) Aio = Aimω1/ω2 = 5.51 (14.8dB)
|Ai| (dB) 40.9dB 20.5Hz f 1Hz 10 Hz 100Hz BỘ KHUẾCH ĐẠI BJT
BỘ KHUẾCH ĐẠI BJT Đo đạc thực tế Function Generator : f = 102Hz, DC Generator : Vcc = 11.9V
BỘ KHUẾCH ĐẠI BJT Đo Ii = UR0/R0 : UR0 = 4.9mV -> Ii = 4.9uA Đo IRL = URL/RL : URL = 0.17V -> IRL = 515uA Ai = IRL/Ii = 143 (43.1dB)