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第二章 各种类型的光控器件. 第一节 电光控制器件 第二节 声光控制器件 第三节 磁光控制器件. 第一节 电光控制器件. 2.1.1 几种常用电光材料的线性电光效应. 常用的线性电光效应较强的材料: LiNbO 3 (铌酸锂)、 LiTaO 3 、 KDP (磷酸二氢钾) 、 KTN (铌酸锂钾) 、 BaTiO 3 等. 一、铌酸锂晶体的线性电光效应. 铌酸锂是一种人工生长的晶体,简写为 LN ; 0.4~5 m 光谱范围内的透过率大于 95%; 光学均匀性好 不潮解,属于三方晶系点群结构. 特 点. 2.1.2 铌酸锂的线性电光效应.
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第二章 各种类型的光控器件 第一节 电光控制器件 第二节 声光控制器件 第三节 磁光控制器件
第一节 电光控制器件 2.1.1 几种常用电光材料的线性电光效应 常用的线性电光效应较强的材料: LiNbO3(铌酸锂)、LiTaO3 、KDP(磷酸二氢钾)、KTN(铌酸锂钾)、BaTiO3等 一、铌酸锂晶体的线性电光效应 • 铌酸锂是一种人工生长的晶体,简写为LN; • 0.4~5m光谱范围内的透过率大于95%; • 光学均匀性好 • 不潮解,属于三方晶系点群结构 特 点
2.1.2 铌酸锂的线性电光效应 线性电光系数矩阵: 在外加电场E(E1,E2,E3)作用下,新的折射率椭球方程:
一、外加电场平行于z轴 即E1=E2=0 由于此时没有交叉项出现,说明加电场后折射率椭球的主轴与原来的折射率椭球的主轴完全重合,折射率椭球仍为旋转椭球。
一、外加电场平行于z轴 一般ij的量级为10-10cm/V,而E的量级通常为104V/cm ij E<<1 利用泰勒级数展开:
一、外加电场平行于z轴 由此可以得到新的主折射率为: LiNbO3晶体沿z轴方向加电场后,只产生横向电光效应,而不产生纵向电光效应。 对于纵向调制,两个正交的线偏振光经调制器出射所产生的相位差为: 横向调制所产生的相位差为:
二、外加电场平行于y轴 • 折射率主轴x轴不转动; • 折射率椭球z轴长短不变,x和y方向的主值发生了变化; • 适用于纵向及横向的应用。 当外加电场平行于y轴时, E1=E3=0 折射率椭球主轴将绕x轴转动了一个角度,并且由单轴晶体变成了双轴晶体。 新的主折射率为:
三、外加电场平行于x轴 与外加电场平行于y轴对晶体的作用基本相同,差别仅在于主轴旋转的程度不一样。 当外加电场平行于x轴时, E2=E3=0 出现两个交叉项,说明在E1的作用下,晶体的折射率椭球主轴绕两个主轴发生了转动。 新的主折射率为:
2.1.3 GaAs和InP的线性电光效应 线性电光系数矩阵: 在外加电场E(E1,E2,E3)作用下,新的折射率椭球方程:
2.1.3 GaAs和InP的线性电光效应 没有外加电场时,折射率椭球为一球体. 当外加电场平行于x轴时, E2=E3=0 出现一个交叉项,说明在E1的作用下,晶体的折射率椭球绕x轴转动了一定角度(450),得到新的折射率椭球方程:
2.1.3 GaAs和InP的线性电光效应 新的主折射率为: 可运用在横向和纵向调制
2.1.4 电光调制器 电光调制的物理基础是电光效应,即某些晶体在外加电场作用下,其折射率发生与电场相关的变化。当光波通过时,其传输特性就在外加电场的作用下发生可控的变化。这种现象就是电光效应作用的结果。 在外加电场的作用下,可以人为的改变媒质(包括晶体和各向同性媒质)的光学性质。利用这些电光材料做成的电光器件可以实现对光束的振幅、相位、频率、偏振态和传播方向的调制,使电光效应在现代光电工程系统得到广泛的应用。
一、电光体相位调制器 设起偏器的偏振通光方向平行于晶体的感应主轴x’(或y’) 因此,入射晶体的线偏振光不再分解成沿x’,y’的两个分量,外电场不改变出射光的偏振状态,仅改变其相位:
一、电光体相位调制器 对于KDP晶体: 假设外加电场为: 晶体入射面光场为: 晶体出射面光场为:
一、电光体相位调制器 相位调制系数
二、电光体强度调制器 起光偏置作用,使调制信号的工作点位于线性调制区域。 1.结构 • 比相位调制器多了一个检偏器和1/4波片 • 如果外电场为零,偏振面不发生旋转,通不过检偏器,则输出光强为零; • 如果外加电压正好使偏振面转过900,完全从检偏器通过,则输出光强最大,这个电压称为半波电压。
二、电光体强度调制器 2. 调制原理 在外加电场作用下,电光晶体尤如一块波片,相位延迟随外加电场的大小而变,随之引起偏振态的变化,从而使得检偏器出射光的振幅受到调制。
二、电光体强度调制器 KD*P类晶体纵向运用: 晶体的感应主轴x’,y’与未加电场时单轴晶体的两主振动方向为x,y成450,且与起偏器P的透光轴成450角。 强度分布为: 则通过检偏器的光强为: 相对光强为:
二、电光体强度调制器 晶体的透射比曲线 透射的相对光强随外加电压变化关系曲线I/I0~V(或) • 工作点在透射比曲线的非线性部分时,输出光信号失真; • 工作点选在透射比曲线线性区(=/2附近)时,得到不失真的基频信号.
二、电光体强度调制器 ? 如何获得 =/2的偏置相位差 加入1/4波片,引入固定的偏置相位差--光偏置法 且1/4波片位置可前可后。 由于引入了/2的偏置相位差,P和A之间的总相位差为: /2+ 如果交流调制信号电压为正弦信号: 输出相对光强为:
二、电光体强度调制器 • 可用于实现激光通信; • 可用于测定高电压及用作电光开关; • 用电光效应实现光束偏转的器件称为电光偏转器件。
三、电光波导调制器 1. 电光波导调制器的概念 电光体调制器 • 具有较大体积尺寸的分离器件; • 几乎整个晶体材料都受到外加电场的作用,因此器件必须施加强大的电场,以改变整个晶体的光学特性,从而使之通过的光波受到调制。 光波导调制器 介质光波导是集成光学技术的基本组成部件,它主要可分为平面波导和矩形波导(条形波导)两大类,波导层的厚度一般为微米量级。从外界输入信号对介质波导中传播的光波加以控制,就称之为光波导调制器。
三、电光波导调制器 • 光波导调制器的优势: • 体积小,易于集成; • 所需的驱动功率比体调制器要减小1~2个量级。 光波导调制器与体调制器比较 相同点: 由介质构成的光波导调制器,其电光、声光等物理效应对光参数的控制过程,也是使介质的介电张量产生微小的变化(即折射率变化),从而使两传播模间有一相位差; 不同点:外场的作用会导致波导中本征模传输特性的变化及两个不同模式之间的耦合转换,因此光波导调制器的基本特性可以用介质光波导的耦合模理论来描述。
2. 电光波导调制器的调制原理 当波导上加上电场时,产生介质折射率的微小变化,从而引起波导中本征模传输特性的变化及两个不同模式之间的耦合转换。 模式间的耦合与介电张量的变化的关系: (1) 如只含有对角线介电张量元素xx和yy 将会引起TE模之间或TM模之间的自耦合,只改变其各自的相位,从而产生相对的相位延迟,与电光体相位调制器一样。 (2) 介电张量变化含有非对角张量元素xy 将会引起TE模和TM模之间的互耦合,将导致模式间的功率转换。
3.对电光体调制器的要求及其参数选择 1)调制器应有足够宽的调制带宽,以满足高效率无畸变地传输信息; 2)调制器消耗的电功率小; 3)调制特性曲线的线性范围大; 4)工作稳定性好。 要 求 参数选择 (1)电光晶体材料的选择 • 光学性能好,对调制光透明度要高,吸收和散射损耗小,并且晶体的折射率均匀,折射率变化n10-4cm; • 电光系数大 • 消光比高(103以上),透过率要高85%~98%,透过范围要宽(0.2m~2 m) • 较好的物理化学性能
3.对电光体调制器的要求及其参数选择 参数选择 (2)降低调制器功率损耗的方法 采用n级晶体串联的方式 注意:串接晶体的块数不宜过多,以免造成透过率太低或电容太大 (3)调制电压的选择 为保证调制光发生畸变,限制高次谐波的幅值 (4)电光晶体尺寸的选择 电光晶体尺寸是指其长度和横截面的大小。增加长度有助于减小调制器的电容,使频带展宽。但不能过长。
第二节 声光控制器件 2.2.1 声光控制器件的类型 • 用来调制光束强度的声光器 • 用来改变光束方向的声光器 • 选择光束波长的声光器件 • 引起光束频移的声光器件
2.2.1 声光控制器件的类型 一、用来调制光束强度的声光器 声光调制是一种先进和实用的光调制技术,输入声光调制器的电信号可以载入通过器件的激光束,输出激光束的强度将随输入电信号的幅度变化而变化。 声光调制技术 根据输入电信号的类型 脉冲(开关)声光调制器 正弦波声光调制器 分类 多信道声光调制器 • 响应速度高,比电光调制的适用面广。 • 声光调制具有效率高和全电控的特点,可对激光共振腔进行腔内或腔外调制 优 势
2.2.1 声光控制器件的类型 改变声光偏转器的驱动电信号的频率 二、用来改变光束方向的声光器件 有两种方式:一种是连续地改变光束传播方向,相邻两个光点是部分重叠的,许多光点组成一条光扫描线; 另一种是离散地、随机地改变光束传播方向。 声光偏转是一种先进的光偏转技术,既可以实现连续的光偏转,又可以实现随机的光偏转,无可动部件,是全电控的。 如果在改变声光偏转器驱动电信号频率的同时,对电信号施以幅度调制,则输出光在改变传播方向的同时,光束的强度也受到调制,称为声光偏转调制器
2.2.1 声光控制器件的类型 三、选择光束波长的声光器件 声光可调谐滤光器:利用声光器件可以从自发辐射的宽光谱入射光中,选择输出光的波长。光波长的数值与输入电信号的频率相对应,改变驱动信号的频率,输出的光波长也相应改变的声光器件。 优势: 电控调谐的,调谐范围宽,具有角孔径大和光谱分辨率高的特点。 典型应用: 在红外光频谱分光技术、红外传感系统和在非相干背景辐射中探测弱激光信号等领域有重要的应用,也用于特殊的光谱分析、染料激光器的调谐和彩色信息处理。
2.2.1 声光控制器件的类型 四、引起光束频移的声光器件 • 激光是光频范围的电磁波,具有很高的频率稳定性。利用声光衍射器件,可以使激光束的频率发生变化,这种工作方式的声光器件,称为声光移频器。 • 移频的方式: • 改变声光移频器的电信号驱动频率,输出光的移频量也相应改变。 • 保持驱动频率不变,取不同的衍射级作输出,它们之间的移频量也不同。 • 主要应用:声光移频器在相干系统、光通信和信号处理系统有重要的应用。
2.2.2 声光器件的材料 一、声光器件的晶体选材要求 1、声光品质因素M2 表征声光材料性能的优劣,反映出材料的固有衍射效率。 式中n—折射率, P—光弹性常数 --材料密度 va—声传播速度 材料的折射率和光弹性常数大、密度和声速小,则品质因素高。
一、声光器件的晶体选材要求 2. 声衰减系数 式中:-Gruneisen常数,-角频率,K-导热率 超声衰减与声速的五次方成反比,超声速低的材料声损耗也大,这与品质因素对材料的要求矛盾。 二、声光材料 玻璃:熔石英、重火石玻璃 液体(如水) 固体 晶体:TeO2, PbMoO4等
2.2.2 声光体调制器 一、声光体调制器的构成 声光体调制器是由声光调制器,它由声光介质、电一声换能器、吸声装置及驱动电源四部分构成。
2.2.2 声光体调制器 一、声光体调制器的构成 1.声光介质 声光介质是声光互作用的场所。当一束光通过变化的超声场时,由于光和超声场的互作用,其出射光就具有随时间而变化的各级衍射光,利用衍射光的强度随超声波强度的变化而变化的性质,就可以制成光强度调制器。 2.电一声换能器(又称超声发生器) 它是利用某些压电晶体(石英、LiNb03等)或压电半导体(CdS. Zn0等)的反压电效应,在外加电场作用下产生机械振动而形成超声波,将调制的电功率转换成声功率。
2.2.2 声光体调制器 一、声光体调制器的构成 3.吸声(或反射)装置 放置在超声源的对面,用以吸收已通过介质的声波,以免返回介质产生干扰(超声场工作在行波状态); 如果超声场工作在驻波状态,吸声装置需换成反射装置。 4.驱动电源 用以产生调制信号,驱动声光调制器工作。
2.2.2 声光体调制器 二、声光体调制器的工作原理 声光调制是利用声光效应将信息加载于光频载波上的一种物理过程。 调制信号(电信号) 电声换能器 获得以电信号形式变化的超声场,当光波通过声光介质时,由于声光作用,使光载波受到调制而成为“携带”信息的强度调制波。 其衍射效率均与附加相位延迟因子有关 其中为相位延迟因子,n为声致折射率差。 n 正比于弹性应变幅值S,而S正比于声功率Ps
二、声光体调制器的工作原理 布喇格声光调制特性曲线 衍射效率与超声功率Ps是非线性调制曲线形式,为了使调制不发生畸变,则需加超声偏置,使其工作在线性较好的区域。
二、声光体调制器的工作原理 在声功率Ps(或声强Is)较小的情况下,衍射效率随声强度Is中增加线性增加。 其衍射效率表达式为: 考虑了布喇格角对声光作用的影响 布喇格衍射工作频率高,效率高,调制带宽较宽; 喇曼-纳斯型衍射效率低,只限于低频工作(低于10MHz),带宽有限;
2.2.3 声光控制器件的主要特性参数 • 一、 声光衍射效率 • 衍射效率定义为输出衍射光的强度相对于入射光强度的比值,用百分数表示。 • 提高布喇格声光调制器衍射效率的途径: • 选择声光性能指数的声光介质, • 声光介质的长度足够长而宽度窄和适当增加声功率。注意:功率过高会导致器件过热,从而影响器件的工作性能和可靠性。 上升时间定义为衍射光强由稳定值的10%增加到稳定值的90%所需要的时间。 声光池的调制度传递函数下降3dB时的调制频率 二、调制速度 调制速度的描述与声光调制器的调制信号类型有关 脉冲型声光调制器:用上升时间来描述。 正弦形声光调制器:用3dB调制带宽来描述。
2.2.3 声光控制器件的主要特性参数 二、调制速度 提高声光调制器调制速度的主要途径是减小声波横越光孔的渡越时间。 三、声光偏转器的可分辨容量 声光衍射使光的传播方向发生变化,通过控制输入电信号的频率,就可以获得不同传播方向的衍射光,即实现光的偏转。
2.2.3 声光控制器件的主要特性参数 • 三、声光偏转器的可分辨容量 • 可分辨点数(容量)。偏转器的可分辨点数与偏转光的扫描角成比例关系,而与入射光束的发散角成反比例关系。 • 偏转时间。通过声光衍射,光束从一个偏转方向转移到下一个偏转方向的切换时间就是偏转时间。偏转时间就等于声波渡越时间。 还有声光移频器的特性、光谱分辨率、角孔径等主要技术参数,大家自行。
2.2.4 声光器件的应用 • 应用在激光谐振腔系统的有声光锁模、声光Q开关和腔倒空技术; • 应用在信号处理系统的有雷达、电子对抗和光通信的声光信号处理技术; • 应用在光学高精度传感系统的有光学陀螺、水听器和干涉系统的技术; • 应用在激光技术系统的有文字、图像和其它信息处理技术。
第三节 磁光控制器件 磁光效应是磁光控制器件的物理基础,最重要的磁光效应是法拉第旋转磁光效应:使一束偏振光的偏振方向发生旋转,旋转角度与外磁场强度呈正比。 磁光体调制器
第三节 磁光控制器件 磁光波导模式转换调制器
2.3.1 磁光隔离器 磁光隔离器简称光隔离器,又称光单向器,作用是用来隔离光通道中反向传输的干扰光。 一、光隔离器的工作原理 入射A线偏振光沿磁光材料的磁化强度M方向,正向通过产生一法拉第旋转角,使光的偏振态变为B。当偏振态为B的偏振光反向通过该元件时,其偏振态将不再变为A,而继续旋转变为偏振态C这样,C的偏振方向与A成2角这就是法拉第效应的非互易性。
2.3.1 磁光隔离器 根据马吕斯定律,经磁光材料传输后的光强度为: 由此可得正向传输输出光强 反向传输输出光强 光隔离器的结构 从而达到正向通过,反向隔离的目的。