1 / 12

Metalli k Katılar

Metalli k Katılar. Bant Teorisi. İletkenlik Bantı. Boş. Li atomlarının s ve p orbitalleri arasında etkileşim mevcut. Dolu. Fermi Seviyesi. Fermi Seviyesi: T = 0 daki HOMO düzeyi. Değerlik Bantı. T > 0 da, Fermi d üzeyindeki e lar uyarılarak iletkenlik bantına ge ç er.

iona-herrera
Download Presentation

Metalli k Katılar

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. MetallikKatılar

  2. Bant Teorisi

  3. İletkenlik Bantı Boş Li atomlarının s ve p orbitalleri arasında etkileşim mevcut Dolu Fermi Seviyesi Fermi Seviyesi: T = 0 daki HOMO düzeyi Değerlik Bantı T > 0 da, Fermi düzeyindeki e lar uyarılarak iletkenlik bantına geçer. Bu e lar elektrik alanında hareket eder.

  4. Silisyum Have 1000 Si atoms 4000 e- or 2000 pairs 2 pairs per Si atom Band is completely filled This gives 2 bond per Si atom

  5. yalıtkan yarıiletken iletken Eg  6 Elmas Yalıtkan Eg  0.5 – 3 Yarıiletkenler Eg  0 İletken Metaller

  6. Elektrik İletkenliği Metaller — Sıcaklık arttıkça iletkenlik azalır Yarıiletkenler —Sıcaklık arttıkça iletkenlik artar Yalıtkanlar— iletkenlikleri çok düşüktür Metallerde, T arttıkça atomların titreşimleri artar, bu durum iletkenliğin düşmesine neden olur. Yarıiletkenlerde, T arttıkça daha fazla elektron iletkenlik bantına geçtiğinden iletkenlik artar.

  7. Öz Yarıiletkenler Grup 4A Band gap (eV) C 6.0 Si 1.1 Ge 0.7 Gri Sn (>13 ˚C)0.1 Bayaz Sn (<13 ˚C) 0 Karbon 0 Safsızlık Yarıiletkenleri • İletkenlik esermiktardaki safsızlık ilavesi ile kontrol edilir. • Safsızlıklar Ga, Al veya As atomlarıdır. • Aşılanan atom (dopant) Si atomları ile yer değiştirir. • Dopant atom ya Si dan daha az elektron ( Ga veya Al) yada Si dan daha fazla elektron( As) içerir.

  8. + + + Silisyum n-tipi p-tipi e- e- e- İletkenlik bandı e- e- e- Donor level • Acceptor level is slightly higher in energy than Fermi level. • Electrons readily promoted into acceptor level. 1.1 eV Acceptor level Değerlik Bandı As veya Sb Ga veya Al • Donor level has electrons. • Electrons promoted from donor level to conduction band. • Negative electrons are charge carriers and so called n-type.

  9. Bant teorisinin uygulamaları: LED veGüneş Pilleri • Light-emitting diode (LED) • Converts electrical input to light output: electron inphoton out • Light source with long life, low power, compact design. • Applications: traffic and car lights, large displays. • Solar Cell • Converts light input to electrical output: photon inelectron outRenewable energy source! LED Solar Cell

  10. Schematic of edge-emitting LED _ + Composition of p/n regions tuned to produce red & blue lasers. Green lasers (532 nm) use special optical means to double the frequency of infrared light emitted from p/n junction.

  11. Schematic of a solar house

More Related