1 / 19

IC gy ártás

IC gy ártás. Új technológiák. Strained Silicon (laza szilícium). Strained Silicon (laza szilícium). Strained Silicon (laza szilícium). Strained Silicon (SiGe). Strained Silicon (laza szilícium). Strained Silicon (laza szilícium).

isaac-rogers
Download Presentation

IC gy ártás

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. IC gyártás Új technológiák

  2. Strained Silicon (laza szilícium)

  3. Strained Silicon (laza szilícium)

  4. Strained Silicon (laza szilícium)

  5. Strained Silicon (SiGe)

  6. Strained Silicon (laza szilícium)

  7. Strained Silicon (laza szilícium) • E lazább szerkezetű, módosított szilíciumon a kisebb ellenállásnak köszönhetően 70%-kal gyorsabban áramolnak keresztül az elektronok !!! • IBM szilícium-germánium tranzisztor: (210 GHz) • (chip órajel cca. 100 GHz lehet) • Pl. 12.5 Gbit Ethernet

  8. Strained Silicon (laza szilícium)

  9. SOI ( Silicon On Insulator )

  10. SOI ( Silicon On Insulator )

  11. SOI ( Silicon On Insulator )

  12. GaAs

  13. GaAs

  14. GaAs

  15. IntelSpacer Gate technológia

  16. Intel (45nm technológia: 2007 második félév) Gateoxid: 1.2nm (cca.5 atom vastag)

  17. Intel (45nm technológia: 2007 második félév) Tri-gate

  18. Intel (45nm technológia: 2007 második félév) Tri-gate SRAM: cella kiolvasási árama 50%-kal nagyobb, mint a hagyományos planár tanzisztoroké

  19. Intel Penryn „Az Intel a Penryn lapkákat 45nm-es technológiával gyártja, amely hafnium alapú dielektrikumot és fém kaput használ. Ezek a megoldások csökkentik a szivárgó áram mértékét és így a jelenleginél sokkal energiahatékonyabb lapkák előállítását teszi lehetővé. Csökken az energia-felvételük és mégis nő a sebességük. Az új anyagok használata megkönnyíti a gyártást, javítja a kihozatalt és beépíthetők a következő, kisebb méretű eszközökbe.  Az Intel 45nm-es gyártási eljárás az első, amely nagy tömegben gyártott CPU-khoz használja ezeket az újításokat. …A 45nm-es Penryn lapkák szállítása az év második felében kezdődik.”(Prim Online 2007.02.26)

More Related