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GPA667. CONCEPTION ET SIMULATION DE CIRCUITS ÉLECTRONIQUES. AMPLIFICATEURS EN CASCADE OU MULTIÉTAGES. AMPLIFICATEURS EN CASCADE OU MULTIÉTAGES. Bloc amplificateur Effet de R S (source) et R L (charge) Topologies d’amplificateurs BJT et FET Modèles et paramètres BJT et FET
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GPA667 CONCEPTION ET SIMULATION DE CIRCUITS ÉLECTRONIQUES AMPLIFICATEURS EN CASCADE OU MULTIÉTAGES AMPLIFICATEURS ÉTAGES
AMPLIFICATEURSEN CASCADE OU MULTIÉTAGES • Bloc amplificateur • Effet de RS (source) et RL (charge) • Topologies d’amplificateurs BJT et FET • Modèles et paramètres BJT et FET • Mise en cascade des étages • Notion de décibel (dB) AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
BLOC AMPLIFICATEUR AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
BLOC AMPLIFICATEUR AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
BLOC AMPLIFICATEUR AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
RÉSISTANCE DE CHARGE RL AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
RÉSISTANCE DE CHARGE RL AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
RÉSISTANCE DE SOURCE RS AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
RÉSISTANCE DE SOURCE RS AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
EFFET COMBINÉ DE RS et RL AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
EFFET COMBINÉ DE RS et RL AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
TOPOLOGIES • Les paramètres AV, Zi et Zo pour les différentes topologies à BJT et FET sont disponibles au Tableau 5.1 du chapitre 5, Two-Port System Approach (« Electronic Devices and Circuit Theory », Boylestad e& Nashelski, édition 12) • Nous ferons simplementun rappel des paramètres qui figurent dans ce tableau et qui ont été vu au cours GPA325 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
MODÈLE TRANSISTOR BJT Emetteur Commun hie≈ βre AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
MODÈLE TRANSISTOR BJT Emetteur Commun ca= hfe ≈ cc AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
MODÈLE TRANSISTOR BJT Emetteur Commun On peut négliger ro si ro > 10 RC où RC est la résistance dans le collecteur AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Amplificateur BJTémetteur commun, pol. base AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Amplificateur BJTcollecteur commun, pol. diviseur AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Amplificateur BJTémetteur commun,pol. div., avec contre réaction émetteur AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Amplificateur BJTémetteur commun,pol. diviseur, avec découplage AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Amplificateur BJTémetteur commun,pol. diviseur, avec découplage et contre réaction émetteur AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Exemple (Boylestad & Nashelski) Calculer le gain AVs de l’amplificateur à transistor suivant AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Exemple (Boylestad & Nashelski) Zi = RB // βre IB = (12-0.7)/470K IB = 24 uA IE = 100 x IB = 2.4 mA βre = 26 mV/IB = 1.08K Zi = 470K // 1.08K = 1.07K Zo = 3 K AV = V0/Vi = -(RL//RC)/re AV = -170 AVS = 1.07K/(0.3K + 1.07K)*AV AVS = -133 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
TRANSISTORS JFET ÉQUATION DU JFET ou ÉQUATION DE SHOCKLEY AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
COUBE DE TRANSFERT JFET ÉQUATION DE LA COURBE DE TRANSFERT IDS vs VGS AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
COURBE DE TRANSFERT JFETPOINTS PARTICULIERS AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
TRANSFERT SORTIE COURBES DE TRANSFERTET DE SORTIE, JFET N AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
MODÈLE DE JFET AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
RELATIONS IMPORTANTES AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
MODÈLE FET AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
MODÈLE JFET gm AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
MODÈLE JFET gm AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
MODÈLE JFET rd AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Amplificateur FETsource commune,pol. auto, avec découplage AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Amplificateur FETsource commune,pol. auto, avec contre réaction AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Amplificateur FETdrain commun,pol. auto (RD = 0) AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
MISE EN CASCADEAMPLIFICATEUR MULTIÉTAGES AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski) Figure 5.68 Exemple 5.14 AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski) • Le gain en charge du premier étage émetteur commun est : AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski) • Le gain en charge du deuxième étage base commune est : AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
Exemple 5.14 (Boylestad & Nashelski) • Le gain total AVT des deux étages en cascade est : • Le gain total des deux étages en cascade incluant la résistance de source Rs est : AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
GAIN DE TENSION :SOMME DES GAINS EN dB AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
RAPPORT DE PUISSANCE : BEL AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
DÉCIBEL AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE
RAPPORT DE TENSION :DÉCIBEL AMPLIFICATEURS ÉTAGESRÉPONSE EN FRÉQUENCE